1.一种低tg的高频mpi组合物，其特征在于，是由以下重量份的组分制成：
所述低tg的高频mpi组合物的固体含量为30wt％，粘度为20000-50000cps。
2.根据权利要求1所述的一种低tg的高频mpi组合物，其特征在于，所述芳香族四羧酸二酐为对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐、双酚a型二醚二酐的一种或两种组合。
3.根据权利要求1所述的一种低tg的高频mpi组合物，其特征在于，所述长链二酸酐为改性聚酰亚胺，分子式为(c60h69o6n2)n，分子量为33000-46000。
4.根据权利要求1所述的一种低tg的高频mpi组合物，其特征在于，所述芳香族二胺为1,4-亚苯基双(4-氨基苯甲酸酯)、对苯二甲酸二对氨基苯酯、对氨基苯甲酸对氨基苯酯、4,4'-二氨基二苯醚中的一种或两种以上组合。
5.根据权利要求1所述的一种低tg的高频mpi组合物，其特征在于，所述溶剂为n-甲基吡咯烷酮、n,n-二甲基乙酰胺、丁内酯中的一种。
6.一种由权利要求1-5任意一项所述的低tg的高频mpi组合物制备的双面高频覆铜板，其特征在于，包括两侧铜箔及设置在两侧铜箔中间的高频mpi层，所述高频mpi层是由所述低tg的高频mpi组合物涂布在一侧铜箔表面经过加热高温环化形成的；所述高频mpi层的厚度为12-25um，铜箔的厚度为12-18um。
7.一种权利要求6所述的低tg的高频mpi组合物制备的双面高频覆铜板的制备方法，包括以下步骤：
取两份相同的铜箔，将上述低tg的高频mpi组合物经由涂布工艺涂布于一份铜箔的一侧，经烘烤、熟化形成高频mpi层；将另一份铜箔覆盖在所述高频mpi层上，于200-300℃热压合，获得所述双面高频覆铜板；
所述烘烤的条件为：140℃，保温15min；
所述熟化的条件为：室温下，经15min升温至150℃，保温5min，经10min升温至200℃，保温5min，经10min升温至250℃，保温5min，经10min升温至300℃，保温30min，经10min升温至350℃，保温30min，然后经60min降至室温。
8.根据权利要求7所述的低tg的高频mpi组合物制备的双面高频覆铜板的制备方法，其特征在于，所述铜箔为日本三井金属矿业株式会社的型号为tq-m4-vsp的电解铜、日本福田金属箔粉工业株式会社的型号为cf-t49a-ds-hd2的电解铜、日本日矿金属株式会社的型号为jxefl-bhm的电解铜、金居开发铜箔股份有限公司的型号为fl451的电解铜、日本日矿金属株式会社的型号为bhfx-92f-ha-v2的压延铜、日本日矿金属株式会社的型号为ghy5-93f-ha-v2的压延铜、台鑫科技股份有限公司的型号为gs01的压延铜中的一种。