覆盖层用化合物及包含其的有机发光器件的制作方法

本发明涉及覆盖层用化合物及包含其的有机发光器件。
背景技术：
：在有机发光器件中，用作有机物层的材料可根据功能大致分类为发光材料、空穴注入材料、空穴输送材料、电子输送材料、电子注入材料等。并且，上述发光材料可根据发光机理分类为来源于电子的单态激发状态的荧光材料和来源于电子的三重态激发状态的磷光材料。进而，可根据发光色分类为蓝色、绿色、红色发光材料。一般的有机发光器件可具有如下结构，在基板上部形成阳极，在该阳极上部依次形成空穴输送层、发光层、电子输送层及阴极。其中，上述空穴输送层、发光层及电子输送层为由有机化合物形成的有机薄膜。具有如上所述的结构的有机发光器件的驱动原理如下。若向上述阳极及阴极之间施加电压，则从阳极注入的空穴经由空穴输送层而移动至发光层的同时从阴极注入的电子经由电子输送层而移动至发光层。移动至发光层的上述空穴及电子再结合而生成激子(exciton)。上述激子从激发状态转换为基态而生成光。有机发光器件的效率通常可分为内部发光效率和外部发光效率。上述内部发光效率与如空穴输送层、发光层及电子输送层等一样介入阳极与阴极之间的有机层中如何有效地生成激子而实现光转换相关。从理论上来讲，就内部发光效率而言，已知荧光为约25％，磷光为约100％。另一方面，外部发光效率呈现从上述有机物层生成的光提取到有机发光器件外部的效率，通常，内部发光效率的约20％的水平提取到外部。用于提高这种外部发光效率，即光提取效率的方法，为了防止发射到外部的光进行全反射而被损失，将多种有机化合物适用为覆盖层(cappinglayer)，为了改善有机发光器件的性能，持续努力开发具有可提高外部发光效率的高折射率及薄膜稳定性的有机化合物。现有技术文献专利文献韩国公开专利公报第10-2004-0098238号技术实现要素：本发明要解决的问题在于，提供维持高折射率的同时放大紫外线区域的吸收强度及范围，增大外部量子效率，并可改善因暴露于外部紫外线而引起的寿命缩短问题的覆盖层用化合物及包括含有上述化合物的覆盖层的有机发光器件。本发明要解决的问题在于，提供使可见光区域吸收最小化，维持宽的带隙，可实现高色纯度的覆盖层用化合物及包括含有上述化合物的覆盖层的有机发光器件。本发明要解决的另一问题在于，提供通过取代使化合物内庞大特性最小化的板状结构的放大基，改善分子间薄膜排列，由此改善折射率，并可改善对外部空气及水分的稳定性的覆盖层用化合物及包括含有上述化合物的覆盖层的有机发光器件。本发明要解决的又一问题在于，提供具有高的玻璃转化温度(glasstransitiontemperature，以下，tg)及高的分解温度(decomositiontemperature，以下，td)，以防止分子间重结晶化，从而可维持对有机发光器件驱动时产生的热稳定的薄膜的覆盖层用化合物及包括含有上述化合物的覆盖层的有机发光器件。但是，本发明要解决的问题不局限于以上描述的问题，本发明技术人员应当通过以下的记载内容明确理解未描述的其他问题。本发明的第一实施方式提供由以下化学式1表示的覆盖层用化合物。化学式1在上述化学式1中，x为o、s、se或te，ar、ar1至ar4各自独立地为取代或未取代的c6～c50的芳基、或者取代或未取代的c2～c50的杂芳基(但，咔唑基除外)，l为直接键合、取代或未取代的c6～c50的亚芳基、或者取代或未取代的c2～c50的杂亚芳基，r1及r2各自独立地为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的c2～c30的烯基、取代或未取代的c1～c30的烷氧基、取代或未取代的c1～c30的硫醚基、或者取代或未取代的c6～c50的芳基，相邻的多个r1之间或r2之间相互结合而可形成环，或者还可以不形成环，l为0或1至4的整数，m为0或1至3的整数，n为0或1(但，l为直接键合时，n为1)。本发明的第二实施方式提供有机发光器件，其包括：第一电极，第二电极，有机物层，介于上述第一电极及上述第二电极内侧，以及覆盖层，配置于上述第一电极及上述第二电极中的一个以上电极外侧，并包含本发明第一实施方式的覆盖层用化合物。本发明的一实例的覆盖层用化合物呈现如下作用效果，维持高折射率的同时放大紫外线区域的吸收强度及范围，增大外部量子效率，并可改善因暴露于外部紫外线而引起的寿命缩短问题。并且，本发明的一实例的覆盖层用化合物呈现如下作用效果，使可见光区域吸收最小化，维持宽的带隙，可实现高色纯度。进而，本发明的一实例的覆盖层用化合物呈现如下作用效果，通过取代使化合物内庞大特性最小化的放大基，改善分子间薄膜排列，由此改善折射率，并可改善对外部空气及水分的稳定性。进而，本发明一实例的覆盖层用化合物呈现具有高的tg及高的td，以防止分子间重结晶化，从而可维持对有机发光器件驱动时产生的热稳定的薄膜的作用效果。附图说明图1表示本发明一实例的有机发光器件的简图。图2为比较在紫外线区域中使用本发明一实例的覆盖层用化合物和比较例化合物来制备的沉积膜的紫外线吸收强度的曲线图。附图标记的说明100：基板200：空穴注入层300：空穴输送层400：发光层500：电子输送层600：电子注入层1000：第一电极(空穴注入电极)2000：第二电极(电子注入电极)3000：覆盖层具体实施方式以下，参照附图，详细说明本发明的实例及实施例，使得本发明所属
技术领域：
的普通技术人员可容易实施。但是，本发明能够以多种不同的形态实现，且不局限于在此说明的实例及实施例。并且，在图中，为了明确说明本发明，省略了与说明无关的部分。在本发明说明书全文中，当一个部件位于另一部件“上”时，不仅包括一个部件与另一部件相接触的情况，还包括在两个部件之间存在其他部件的情况。在本发明说明书全文中，当一个部分“包括”一个结构要素时，除非有特别相反的记载，则意味着还可包括其他结构要素，而不是排除其他结构要素。在本发明说明书全文中使用的术语“约”、“实质上”等在所提及的含义上提示固有的制备及物质容差时以其数值或接近于其数值的含义使用，以防止昧良心的侵权人不当地利用为了帮助理解本发明而提及准确或绝对的数值的公开内容。在本发明说明书全文中，马库什(markush)形式的表现中所含的“它们的组合”这一术语意味着选自由马库什形式的表现中所记载的多个结构要素组成的组中的一种以上的混合或组合，意味着包括选自由上述多个结构要素组成的组中的一种以上。在本发明说明书全文中，“a和/或b”这一记载意味着“a或b，或者a及b”。在本发明说明书全文中，术语“芳基”或“亚芳基”可意味着包含c6-50的芳香族烃环基，例如，苯基、苄基、萘基、联苯基、三联苯基、芴基、菲基、三苯基烯基、苯基烯基、基、荧蒽基、苯并芴基、苯并三苯基烯基、苯并基、蒽基、均二苯乙烯基、芘基等芳香族环，术语“杂芳基”或“杂亚芳基”作为包含一个以上杂元素的c2-50的芳香族环，例如，意味着包含吡咯啉基、吡嗪基、吡啶基、吲哚基、异吲哚基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、咔唑基、菲基唳基、吖啶基、菲基咯啉基、噻吩基及由吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环、三嗪环、吲哚环、喹啉环、吖啶环、吡咯烷环、二烷环、哌啶环、吗啉环、哌嗪环、咔唑环、呋喃环、噻吩环、唑环、二唑环、苯并唑环、噻唑环、噻重氮环、苯并噻唑环、三唑环、咪唑环、苯并咪唑环、吡喃环、二苯并呋喃环形成的杂环基。在本发明说明书全文中，术语“取代的”或“可取代的”可意味着可由选自由重氢、卤素、氨基、腈基、硝基、c1～30烷基、c2～30烯基、c1～30烷氧基、c3～20环烷基、c3～20杂环烷基、c1～30硫醚基、c6～30芳基及c2～30杂芳基组成的组中的一种以上的基取代未取代。并且，在本发明说明书全文中，相同的附图标记只要没有特别提及的内容，就可具有相同意思。本发明的第一实施方式提供由以下化学式1表示的覆盖层用化合物。化学式1在上述化学式1中，x为o、s、se或te，ar、ar1至ar4各自独立地为取代或未取代的c6～c50的芳基、或者取代或未取代的c2～c50的杂芳基(但，咔唑基除外)，l为直接键合、取代或未取代的c6～c50的亚芳基、或者取代或未取代的c2～c50的杂亚芳基，r1及r2各自独立地为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的c2～c30的烯基、取代或未取代的c1～c30的烷氧基、取代或未取代的c1～c30的硫醚基、或者取代或未取代的c6～c50的芳基，相邻的多个r1之间或r2之间相互结合而可形成环，或者还可以不形成环，l为0或1至4的整数，m为0或1至3的整数，n为0或1(但，l为直接键合时，n为1)。在本发明中，取代基各自独立地为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的c2～c30的烯基、取代或未取代的c1～c30的烷氧基、取代或未取代的c1～c30的硫醚基、取代或未取代的c6～c50的芳基、或者由取代或未取代的c2～c50的杂芳基。本发明的一实例的上述化学式1的覆盖层用化合物，在芳基胺的一侧面线性连接3个以上的芳基或杂芳基，维持高折射率的同时可增大紫外线区域的吸收波长强度及范围。通过这种特性，本发明的覆盖层用化合物增大有机发光器件的外部量子效率，可改善暴露在外部紫外线中时的寿命。其中，上述线性连接意味着ar1至ar4包含亚苯基的情况下，优选地结合在1,4-亚苯基的位置。并且，本发明的一实例的上述化学式1的覆盖层用化合物包含由在芳基胺的另一侧面直接键合的三环稠合而成的杂芳基，由此使可见光区域的吸收最小化，可维持宽的带隙，其结果可实现高色纯度。并且，本发明的一实例的上述化学式1的覆盖层用化合物，通过取代使庞大特性最小化的放大基，具有分子间薄膜排列优秀的特征。由此，可改善折射率，并可改善对外部空气或水分的稳定性。并且，本发明的一实例的上述化学式1的覆盖层用化合物，在450nm的折射率可以为2.1以上，具体地可以为2.2以上。并且，在紫外线吸收区域380nm下的吸收强度为0.6以上，具体地可以为0.7以上。并且，本发明的一实例的上述化学式1的覆盖层用化合物，在芳基胺的一侧面线性连接3个以上的芳基或杂芳基，具有高的tg及td，其结果可防止分子间重结晶化，由此可维持对驱动有机发光器件时产生的热稳定的薄膜。即，若将本发明的一实例的覆盖层用化合物适用于覆盖层，并将上述覆盖层配置于有机发光器件的电极外侧，则可提高外部发光效率。当从介于有机发光器件的第一电极及第二电极内侧的有机物层中生成的光提取到有机发光器件的外部时，可防止向外部发射的光被全反射而损失。本发明的一实例的覆盖层用化合物，因如上的结构特征，可具有高折射率，薄膜稳定性突出，当适用为有机发光器件的覆盖层时，可提高有机发光器件的外部发光效率、色坐标及寿命。在本发明的一实例中，上述化学式1可由以下化学式2表示。化学式2在上述化学式2中，x、ar、ar2至ar4、l、r1、r2、l、m及n如化学式1中所定义。由上述化学式2表示的覆盖层用化合物中，与胺相邻的亚苯基结合在对位(1,4-亚苯基)，使蓝色区域的吸收波长最小化的同时有效改善折射率。在本发明的一实例中，上述化学式2可由以下化学式3表示。化学式3在上述化学式3中，x、ar、ar3、ar4、r1、r2、l、m及n如化学式2中所定义。由上述化学式3表示的覆盖层用化合物具有3个以上的1,4-亚苯基，由此具有高折射率的同时通过增大紫外线区域的吸收波长，可改善暴露在外部紫外线中时的稳定性。具体地，在上述化学式3中，ar3及ar4中的一个以上可以为1,4-亚苯基，并且，ar也可以为由一个以上的1,4-亚苯基形成的芳基。根据本发明的一实例，x尤其可以为o或s。这种情况下，使异种原子的键长最小化，由此具有可减少庞大特性的效果。当上述x尤其为o时，维持高折射率的同时减少分子量，有效降低沉积温度。并且，当上述x尤其为s时，可具有高折射率的同时具有高的tg，由此具有有利于形成稳定的薄膜的特征。根据本发明的一实例，r1及r2尤其可各自独立地选自由氢、重氢、甲基、甲氧基、乙烯基、苯基及它们的组合组成的组中。这种情况下，使包含与胺相邻的x的三环的庞大特性最小化，有效改善折射率。根据本发明的一实例，ar、ar1至ar3尤其可各自独立地选自由苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基及它们的组合组成的组中。这种情况下，使取代基的庞大特性最小化，并可增大紫外线区域的吸收，而且分子间薄膜排列优秀，进而可具有高折射率。本发明的化合物中，与二苯并呋喃或二苯并噻吩直接键合的胺的另外两个侧面线性连接总共5个以上的芳基或杂芳基，具有高折射率的同时通过紫外线区域的吸收波长增大及高tg，有效改善有机发光器件的效率及寿命。并且，本发明的化合物使结合在二苯并呋喃或二苯并噻吩的取代基最小化，防止因庞大特性引起的折射率降低，通过优秀的薄膜排列可形成稳定的薄膜。而且，本发明的化合物通过一个胺可维持可使可见光区域的吸收最小化的宽的带隙，同时结合在分子的芳基或杂芳基线性连接，由此使庞大特性最小化，还能以小的分子量有效改善折射率，故而可实现高色纯度、高效率、长寿命的有机发光器件。在本发明的一实例中，由上述化学式1至化学式3表示的覆盖层用化合物能够以如下所述的反应式进行合成，不局限于此，还能够以多种方法进行合成。反应式在本发明的一实例中，由上述化学式1表示的覆盖层用化合物可以为以下提出的覆盖层用化合物1至708中的一种覆盖层用化合物，可不局限于此。本发明的第二实施方式提供配置有含有由上述化学式1至化学式3中的一个表示的覆盖层用化合物的覆盖层的有机发光器件。根据本发明的一实例，有机发光器件可包括：第一电极，第二电极，有机物层，介于上述第一电极及上述第二电极内侧，以及覆盖层，配置于上述第一电极及上述第二电极中的一个以上的电极外侧，并包含本发明的覆盖层用化合物。其中，在第一电极或第二电极的两侧面中，将与介于第一电极与第二电极之间的有机物层相邻的一侧作为内侧，将不与有机物层相邻的一侧作为外侧。即，在第一电极的外侧配置覆盖层时，在覆盖层与有机物层之间介入第一电极，在第二电极的外侧配置覆盖层时，在覆盖层与有机物层之间介入第二电极。根据本发明的一实例，就上述有机发光器件而言，在第一电极及第二电极内侧可介入多种有机物层，在第一电极及第二电极中的至少一个外侧可形成覆盖层。更具体地，上述覆盖层均形成在第一电极的外侧和第二电极外侧，或者可配置于第一电极的外侧或第二电极的外侧。上述覆盖层可包含本发明的覆盖层用化合物。并且，根据本发明的一实例，在配置有上述覆盖层的第一电极及第二电极外侧上还可形成起到多种功能的有机物层。更具体地，覆盖层可直接形成于第一电极(或第二电极)外侧表面上，或者在第一电极(或第二电极)外侧表面形成起到多种功能的有机物层，并在上述有机物层上可形成包含本发明的覆盖层用化合物的覆盖层。根据本发明的一实例，覆盖层可单独包含本发明的一实例的覆盖层用化合物，或者可包含2种以上，或者可一起包含公知的其他化合物。根据本发明的一实例，有机发光器件的有机物层通常可以是构成发光部的空穴输送层、发光层及电子输送层，可不局限于此。更具体地，上述有机发光器件在第一电极(阳极，anode)与第二电极(阴极，cathod)之间可包括1层以上的空穴注入层(hil)、空穴输送层(htl)、发光层(eml)、电子输送层(etl)、电子注入层(eil)等构成发光部的有机物层。例如，上述有机发光器件可根据图1中所记载的结构来制备而成。有机发光器件可至下而上依次层叠第一电极(阳极，空穴注入电极1000)、空穴注入层200、空穴输送层300、发光层400、电子输送层500、电子注入层600、第二电极(阴极，电子注入电极2000)、覆盖层3000。如上所述，本发明的一实例的覆盖层用化合物，通过放大3个以上的芳基，维持高折射率的同时增大紫外线区域的吸收波长强度及范围，来增大有机发光器件的外部量子效率，并可改善暴露在外部紫外线中时的寿命，通过由直接键合的杂三环形成的芳基胺，可使可见光区域的吸收最小化并可维持宽的带隙，其结果可实现高色纯度，通过取代使庞大特性最小化的放大基，分子间薄膜排列优秀，由此可改善折射率，可改善对外部空气或水分的稳定性。并且，根据本发明的一实例的上述化学式1的覆盖层用化合物在芳基胺的一侧面使3个以上的取代基放大，具有高的tg及td，其结果可防止分子间重结晶化，由此可维持对驱动有机发光器件时产生的热稳定的薄膜。即，若将适用本发明的一实例的覆盖层用化合物的覆盖层配置于有机发光器件的电极外侧，则可提高外部发光效率。当从介于有机发光器件的第一电极及第二电极内侧的有机物层中生成的光提取到有机发光器件外部时，可防止向外部发射的光被全反射而损失。另一方面，在图1中，基板100可使用通常用于有机发光器件的基板，优选地，可以为机械强度、热稳定性、透明性、表面平滑性、处理容易性及防水性优秀的透明的玻璃基板或可弯曲的塑料基板。第一电极1000用作用于注入有机发光器件的空穴的阳极。为了可注入空穴，利用具有低的功函数的物质，可由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、石墨烯(graphene)之类的透明的材质形成。通过真空沉积法、旋涂法、铸造法、lb(langmuir-blodgett)法等方法在上述第一电极1000上部沉积用于形成空穴注入层的化合物，由此可形成空穴注入层200。在通过上述真空沉积法来形成空穴注入层200的情况下，其沉积条件因形成空穴注入层200而使用的化合物、所需空穴注入层200的结构及热特性等而不同，但通常可在50-500℃的沉积温度、10-8至10-3torr(托)的真空度、0.01至/sec的沉积速度、至5μm的层厚度范围内适当地进行选择。并且，在空穴注入层200的表面，根据需要可追加沉积电荷发生层。用于形成电荷发生层的化合物可使用常规的物质，可举例hatcn(六氮杂三苯撑六甲腈，hexaazatriphenylenehexacarbonitrile)。接着，通过真空沉积法、旋涂法、铸造法、lb法等方法在上述空穴注入层200上部沉积用于形成空穴输送层300的化合物，由此可形成空穴输送层300。在通过上述真空沉积法来形成空穴输送层300的情况下，其沉积条件因形成空穴输送层300而使用的化合物而不同，但通常，优选地，在与空穴注入层200的形成几乎相同的条件范围内进行选择。上述空穴输送层300可使用公知的化合物而形成。根据本发明的一实例，空穴输送层300可以是1层以上，在上述空穴输送层300上可形成发光辅助层。通过真空沉积法、旋涂法、铸造法、lb法等方法，在上述空穴输送层300或发光辅助层上沉积用于形成发光层的化合物，由此可形成发光层400。在通过上述真空沉积法来形成发光层的情况下，其沉积条件因形成发光层而使用的化合物而不同，但通常，优选地，在与空穴注入层200的形成几乎相同的条件范围内进行选择。另一方面，用于形成上述发光层400的化合物可将公知的化合物用作主体或掺杂剂。并且，在发光层400中，与磷光掺杂剂一同使用的情况下，为了防止三重态激子或空穴向电子输送层500扩散的现象，通过真空沉积法或旋涂法还可层叠空穴抑制材料(hbl)。此时可使用的空穴抑制物质不受特别的限制，可使用公知的材料。例如，可例举二唑衍生物或三唑衍生物、菲咯啉衍生物或日本特开平11-329734(a1)中所记载的空穴抑制材料等，代表性地，可使用balq(双(8-羟基-2-甲基喹啉)-铝联苯酚盐)、菲咯啉(phenanthrolines)类化合物(如通用显示器(udc)公司的bcp(bassocoupoline))等。在如上形成的发光层400上部形成有电子输送层500，上述电子输送层500可通过真空沉积法、旋涂法、铸造法等方法来形成。并且，上述电子输送层500的沉积条件因形成电子输送层500而使用的化合物而不同，但通常，优选地，在与空穴注入层200的形成几乎相同的条件范围内进行选择。之后，可在上述电子输送层500上部沉积用于形成电子注入层600的化合物来形成电子注入层600，可通过真空沉积法、旋涂法、铸造法等方法来形成。用于形成电子注入层600的化合物可使用公知的化合物。上述有机发光器件的空穴注入层200、空穴输送层300、发光层400、电子输送层500可使用如下列表1的物质，不局限于此。表1通过真空沉积法或溅射法等方法在电子注入层600上部形成用于注入电子的第二电极2000。作为第二电极2000，可使用多种金属。具体例有铝、金、银、镁等物质。本发明的有机发光器件不仅可以采用第一电极1000、空穴注入层200、空穴输送层300、发光层400、电子输送层500、电子注入层600、第二电极2000结构的有机发光器件，还可采用多种结构的有机发光器件的结构，根据需要，还可包括一层或两层的中间层。如上所述，根据本发明形成的各个有机物层的厚度可根据所需的程度来进行调节，具体为10至1000nm，更具体地可以为20至150nm。根据本发明的一实例，上述覆盖层3000可通过沉积工序形成在第一电极1000的外侧或上述第二电极2000的外侧。上述覆盖层3000的厚度可以为100至更具体地可以为300至此时，可防止覆盖层3000的透射率降低。针对本实施方式的有机发光器件，均可适用对于本发明的第一实施方式记载的内容，但可不局限于此。以下，通过制备例、实施例及比较例，更具体的说明本发明，但是本发明的范围不局限于本制备例及实施例。中间体的合成为了合成目标覆盖层用化合物，合成中间体(im，intermediate)。制备例1：im1的合成以下im1的合成法如下。在圆底烧瓶中，将4-溴-1,1':4',1”:4”,1”'-四联苯(4-bromo-1,1':4',1”:4”,1”'-quaterphenyl)15.0g、[1,1':4',1”-三联苯]-4-胺([1,1':4',1”-terphenyl]-4-amine)10.5g、t-buona5.6g、pd2(dba)31.5g、(t-bu)3p1.7ml溶解于400ml的甲苯之后，进行回流搅拌。利用薄层色谱法(tlc)来确认反应，并添加水之后，结束反应。利用二氯甲烷(mc)来提取有机层，并进行减压过滤之后进行重结晶化，由此得到im120.0g(收率70％)。制备例2：im2的合成以下im2的合成法如下。在圆底烧瓶中，将[1,1':4',1”-三联苯]-4-基硼酸30.0g、1-溴-4-碘苯(1-bromo-4-iodobenzene)29.1g溶解于600ml的1,4-二烷中，放入k2co3(2m)160ml和pd(pph3)43.7g之后，进行回流搅拌。利用薄层色谱法来确认反应，并添加水之后，结束反应。利用二氯甲烷(mc，methylenechloride)来提取有机层，并进行减压过滤之后进行柱纯化，由此得到中间体im224.5g(收率60％)。制备例3：im3的合成以与上述im2相同的方法进行合成，如下列表2所示，使用不同起始物质，合成以下im3。表2覆盖层用化合物的合成实施例1：覆盖层用化合物19的合成在圆底烧瓶中，将2-溴苯并[b,d]呋喃(2-bromobenzo[b,d]furan)3.0g、im17.3g、t-buona1.8g、pd2(dba)30.5g、(t-bu)3p0.5ml溶解于200ml的甲苯之后，进行回流搅拌。利用薄层色谱法(tlc)来确认反应，并添加水之后，结束反应。利用二氯甲烷(mc)来提取有机层，并进行减压过滤之后进行重结晶化，由此得到覆盖层用化合物195.2g(收率60％)。m/z(质荷比，mass-to-chargeratio)：715.29(100.0％)、716.29(58.9％)、717.29(17.2％)、718.30(3.3％)实施例2：覆盖层用化合物18的合成以与实施例1相同的方法进行合成，使用im2来代替im1，合成覆盖层用化合物18(收率63％)。m/z：739.29(100.0％)、740.29(61.0％)、741.29(18.4％)、742.30(3.7％)实施例3：覆盖层用化合物20的合成以与实施例1相同的方法进行合成，使用im3来代替im1，合成覆盖层用化合物20(收率55％)。m/z：791.32(100.0％)、792.32(65.3％)、793.33(21.0％)、794.33(4.6％)实施例4：覆盖层用化合物211的合成以与实施例1相同的方法进行合成，使用2-溴二苯并[b,d]噻吩来代替2-溴二苯并[b,d]呋喃，合成覆盖层用化合物211(收率63％)。m/z：731.26(100.0％)、732.27(58.8％)、733.27(17.7％)、733.26(4.5％)、734.27(3.4％)、734.26(2.7％)、732.26(1.2％)实施例5：覆盖层用化合物210的合成以与实施例1相同的方法进行合成，使用im2及2-溴苯并[b,d]噻吩来代替im1及2-溴二苯并[b,d]呋喃，合成覆盖层用化合物210(收率66％)。m/z：755.26(100.0％)、756.27(61.0％)、757.27(19.0％)、757.26(4.5％)、758.27(3.7％)、758.26(2.8％)、756.26(1.2％)有机发光器件的制备实施例6：本发明的有机发光器件的制备在形成包含ag的反射层的ito的第一电极1000上，作为空穴注入层200，将的hi01进行制膜，将的hatcn进行制膜，作为空穴输送层300，将的bpa进行制膜之后，作为发光层400，掺杂3％的bh01：bd01，以进行制膜。接着，作为电子输送层500，将的et01：liq(1：1)进行制膜之后，沉积lif形成电子注入层600。接着，以15nm的厚度沉积mg-ag合金，形成第二电极2000。在上述第二电极2000上，作为覆盖层3000，以厚度沉积在实施例1中合成的覆盖层用化合物。将该器件在手套箱中进行密封(encapsulation)，从而制备如图1所示的有机发光器件。hi01、hatcn、bpa、bh01、bd01、et01、liq使用下列表3中所示的化合物。表3实施例7至10：本发明的有机发光器件的制备以与实施例6相同的方法进行制备，具体地制备分别使用实施例2至5中合成的覆盖层用化合物来代替实施例1中合成的覆盖层用化合物形成覆盖层3000的有机发光器件。比较例1至4：有机发光器件的制备以与实施例6相同的方法进行制备，具体地制备分别使用下列表4中所示的ref.1至ref.4来代替实施例1中制备的覆盖层用化合物形成覆盖层的有机发光器件。表4实验例1：有机发光器件的性能评价利用吉时利2400源测量单元(kiethley2400sourcemeasurementunit)施加电压来注入电子及空穴，利用柯尼卡美能达(konicaminolta)分光辐射计(cs-2000)来测定发光时的亮度，由此在大气压条件下，测定对于施加电压的电流密度及亮度，从而评价实施例6至实施例10及比较例1至比较例4的有机发光器件的性能，并将其结果示于下列表5中。表5如表5所示，本发明的覆盖层用化合物相比于比较例1，与二苯并呋喃或二苯并噻吩直接键合的胺的另外两个侧面线性连接总共5个以上的芳基，由此具有高折射率的同时通过紫外线区域的吸收波长增大及高tg，有效改善有机发光器件的效率及寿命。并且，本发明的覆盖层用化合物相比于比较例2，使与二苯并呋喃或二苯并噻吩结合的取代基最小化，防止因庞大特性引起的折射率降低，通过优秀的薄膜排列可形成稳定的薄膜。而且，本发明的覆盖层用化合物相比于比较例3及比较例4，通过一个胺可维持可使可见光区域的吸收最小化的宽的带隙，同时结合在分子的芳基线性连接，由此使庞大特性最小化，还能以小的分子量有效改善折射率，故而可实现高色纯度、高效率、长寿命的有机发光器件。实验例2：折射率的评价利用根据实施例1合成的覆盖层用化合物19及根据实施例4合成的覆盖层用化合物211和表4的ref.1化合物，在硅基板上借助真空沉积设备分别制备厚度为30nm的沉积膜，并利用椭偏仪装置(j.a.woollamco.inc,m-2000x)来测定450nm的折射率。其结果如下列表6中所整理。表6@450nmref.1化合物19化合物211折射率，n1.932.202.22如上述表6中所记载，可确认使用覆盖层用化合物19及化合物211来制备的沉积膜的折射率为2.1以上，使用覆盖层用化合物211来制备的沉积膜呈现2.2以上的高的折射率。实验例3：紫外线区域中的吸收强度的评价在紫外线区域中，利用根据实施例1合成的覆盖层用化合物19及根据实施例4合成的覆盖层用化合物211和表4的ref.1化合物，在硅基板上借助真空沉积设备分别制备厚度为30nm的沉积膜之后，利用椭偏仪装置(j.a.woollamco.inc,m-2000x)来测定320nm～450nm范围内的吸收强度。其结果如图2中所示。可确认在紫外线吸收区域380nm的基准上，使用覆盖层用化合物19及覆盖层用化合物211来制备的沉积膜的吸收强度为0.6以上，具体为0.7以上，相比于使用ref.1化合物来制备的沉积膜，吸收强度上升30％以上，更具体地，上升50％以上。上述本发明的说明是用于例示性的，本发明所属
技术领域：
的普通技术人员可以理解在不变更本发明的技术思想或必要特征的情况下，能够以其他具体方式容易变形。因此，应理解以上描述的多个实施例在所有方面是例示性的，而不是限定性的。例如，以单一方式说明的各个结构要素可分散地实施，同样，说明为分散的多个结构要素也能够以结合的方式实施。本发明的范围由所附的专利发明要求保护范围表示，而不是上述详细说明，专利发明要求保护范围的含义及范围以及由其等同概念导出的所有变更或变形的方式应当被解释为包括在本发明的范围中。当前第1页12