技术特征：
1.一种以杂蒽酮接二苯并五元杂环为核心的化合物，其特征在于，该化合物的结构如通式(1)所示：通式(1)中，x1、x2分别独立地表示为-o-或-s-；l表示为单键、取代或未取代的c
6-30
亚芳基、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的5至30元亚杂芳基；z1每次出现相同或不同地表示为氮原子或c(r1)；相邻r1还可以键结成环；z2每次出现相同或不同地表示为氮原子或c(r2)，相邻r2还可以键结成环；r表示为通式(2)、通式(3)、通式(4)或通式(5)所示结构；通式(2)～(4)中，z3每次出现相同或不同地表示为氮原子或c(r3)，相邻r3还可以键结成环；z4每次出现相同或不同地表示为氮原子或c(r4)，相邻r4还可以键结成环；z5每次出现相同或不同地表示为氮原子或c(r5)，相邻r5还可以键结成环；z6每次出现相同或不同地表示为氮原子或c(r6)，相邻r6还可以键结成环；x3表示为单键、氧原子或硫原子；ra、rb分别独立地表示为c
1-10
的烷基、取代或未取代的c
2-30
芳基、取代或未取代的c
2-30
杂芳基、；ra、rb还可以键结成环；r1～r6分别独立地表示为氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、卤素、氰基、c
1-10
的烷基、取代或未取代的c
6-30
的芳基、取代或未取代的c
2-30
的杂芳基；“取代或未取代的”上述基团的取代基任选自：氰基、卤素、c
1-20
烷基、c
2-20
烯基、c
6-30
芳基、c
2-30
的杂芳基中的一种或几种；所述杂芳基、亚杂芳基中杂原子任选自氧原子、硫原子、氮原子中的一种或几种。2.根据权利要求1所述的以杂蒽酮接二苯并五元杂环为核心的化合物，其特征在于，所述化合物结构通过如下通式中的任一种表示：
3.根据权利要求1所述的以杂蒽酮接二苯并五元杂环为核心的化合物，其特征在于，所述化合物结构在应用为发光层主体材料时，为以下通式中的任一种所表示的结构：4.根据权利要求1所述的以杂蒽酮接二苯并五元杂环为核心的化合物，其特征在于，所述化合物结构在应用为空穴阻挡层材料时，为以下通式(
ⅴ-
1)至(
ⅴ-
8)中任一种所表示的结构：
5.根据权利要求1所述的以杂蒽酮接二苯并五元杂环为核心的化合物，其特征在于，所述r通过以下基团中的任一种表示：6.根据权利要求1-5任一项所述的以杂蒽酮接二苯并五元杂环为核心的化合物，其特征在于，所述l表示为单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚蒽基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚吡啶基、取代或未取代的亚(苯并)呋喃基、取代或未取代的亚(苯并)噻吩基、取代或未取代的亚二甲基芴基、取代或未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚n苯基咔唑基、取代或未取代的亚萘啶基中的一种；所述r1～r6表示为氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、戊基、金刚烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的二联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的二甲基芴基、取代或未取代的二苯基芴基中的一种；所述ra、rb分别独立地表示为甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、戊基、金刚烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的二甲基芴基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基中的一种或几种；
“
取代或未取代的”上述基团的取代基任选自甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、戊基、金刚烷基、苯基、萘基、萘啶基、二联苯基、三联苯基、呋喃基、二苯并呋喃基、咔唑基或吡啶基中的一种或几种。7.根据权利要求1所述的以杂蒽酮接二苯并五元杂环为核心的化合物，其特征在于，所述化合物的具体结构为：
中的任一种。8.一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极和有机功能层，所述有机功能层位于阳极和阴极之间，其特征在于，所述有机电致发光器件中的至少一层有机功能层含有权利要求1～7任一项所述的以杂蒽酮接二苯并五元杂环为核心的化合物。9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，所述有机功能层包括发光层和/或(空穴阻挡层或电子传输层)，其特征在于，所述发光层含有权利要求1～7任一项所述的以杂蒽酮接二苯并五元杂环为核心的化合物。10.一种照明或显示元件，其特征在于，所述照明或显示元件包括权利要求8～9任一所述的有机电致发光器件。
技术总结
本发明公开了一种以杂蒽酮接二苯并五元杂环为核心的化合物及其应用，属于半导体技术领域。本发明提供的化合物的结构如通式(1)所示，本发明的化合物含有杂蒽酮接二苯并五元杂环类母核结构，具有较高的电子迁移率；作为OLED发光器件的电子传输型主体或空穴阻挡层材料使用时，该类结构的立体刚性可提高分子内化学键的键能，提升器件寿命；作为主体材料使用时，分子内较大的刚性基团保证了分子间较大的空间位阻，能有效地抑制效率滚降；作为空穴阻挡层材料使用时，较高的T1能级能抑制发光层的激子向传输层扩散，从而提升激子利用效率。因此，本发明化合物应用于OLED器件后，可有效降低器件的电压，并提升器件的发光效率及使用寿命。寿命。寿命。
技术研发人员：殷梦轩 陆颖 曹旭东 张兆超
受保护的技术使用者：江苏三月科技股份有限公司
技术研发日：2020.06.30
技术公布日：2021/12/30