一种窄带隙共轭聚合物及其制备的有机光电突触器件

技术特征：
1.一种基于苯并双噻吩二唑的窄带隙共轭聚合物，其特征在于，其结构式如式ⅰ所示：其中，n为大于等于4小于20整数。2.一种如权利要求1所述的基于苯并双噻吩二唑的窄带隙共轭聚合物，其特征在于：配合引入另一组份材料，要求其吸收光谱仅在可见光区范围，且能够与权利要求1所述聚合物材料形成能级势垒，实现在短波红外区光照条件下的光生电子的捕获和释放过程。3.根据权利要求2所述的基于苯并双噻吩二唑的窄带隙共轭聚合物，其特征在于：所述配合引入另一组份材料为pcbm,itic,或foic之一。4.一种用于室温短波红外特异性响应的有机光电突触器件，其特征在于：包含权利要求1所述的基于苯并双噻吩二唑的窄带隙共轭聚合物。5.根据权利要求4所述的用于室温短波红外特异性响应的有机光电突触器件，其特征在于：工作运行的偏压为-10mv。6.一种有机光电突触器件的制备方法，其特征在于：步骤如下：
⑴
称取权利要求1所述的窄带隙共轭聚合物和pcbm，溶解在超干溶剂中，密闭加热搅拌过夜，获得活性层；
⑵
在带有ito的玻璃基底上旋涂zno，然后密闭中旋涂活性层；
⑶
放入到蒸镀仓中，使用热蒸发的方式蒸镀moo3和ag。7.根据权利要求6所述的有机光电突触器件的制备方法，其特征在于：所述所述窄带隙共轭聚合物：pcbm的重量比1:2，配置溶液的总浓度10～20mg/ml。8.根据权利要求6所述的有机光电突触器件的制备方法，其特征在于：所述zno厚度：活性层厚度：moo3厚度：ag的厚度为20～40nm:80～200nm:5～10nm:100～120nm。9.根据权利要求6所述的有机光电突触器件的制备方法，其特征在于：所述超干溶剂为超干氯苯。

技术总结
本发明涉及一种窄带隙共轭聚合物及其制备的有机光电突触器件，


技术研发人员：黄辉 王松
受保护的技术使用者：中国科学院大学
技术研发日：2021.10.12
技术公布日：2022/2/24