化合物、发光器件及其制备方法与显示装置与流程

本申请涉及光电，具体涉及一种化合物、发光器件及其制备方法与显示装置。

背景技术：

1、发光器件包括但不限于是有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)和量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes,qled)，发光器件一般为“三明治”结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间。发光器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光层，空穴从器件的阳极注入至发光层，电子和空穴在发光层复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。

2、在发光器件的制备过程中，用于制备上层薄膜的功能材料或制备工艺会对下层薄膜的性能造成不利影响，从而导致发光器件的光电性能和使用寿命下降。例如：当在电子传输层之上制备其他功能薄膜(如发光层或阴极)时，会对电子传输层造成损伤，导致电子传输层的电子传导能力下降，从而不利于提高发光器件的综合性能。

3、因此，如何改进电子传输层的材料，以降低在电子传输层之上制备形成其他功能薄膜时对电子传输层的不利影响，对发光器件的应用与发展具有重要意义。

技术实现思路

1、本申请提供了一种化合物、发光器件及其制备方法与显示装置，该化合物可作为发光器件的电子传输材料。

2、本申请的技术方案如下：

3、第一方面，本申请提供了一种化合物，所述化合物具有下面通式(ⅰ)所示的结构：

4、

5、在通式(ⅰ)中，r选自氢原子、氨基、羧基或烃基，x选自纳米金属氧化物，且所述纳米金属氧化物的金属原子与双键氧配位连接。

6、第二方面，本申请还提供了一种化合物的制备方法，包括如下步骤：

7、提供第一化合物和第二化合物的混合物；

8、在惰性气体的氛围下，对所述混合物进行热处理，获得所述化合物；

9、其中，所述第一化合物具有下面通式(ⅱ)所示的结构：

10、

11、在通式(ⅱ)中，r选自氢原子、氨基、羧基或烃基；

12、所述第二化合物选自纳米金属氧化物。

13、第三方面，本申请提供了发光器件，包括：

14、阳极；

15、阴极，与所述阳极相对设置；

16、发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及

17、电子传输层，设置于所述发光层与所述阴极之间；

18、其中，所述电子传输层的材料包括如第一方面中任意一种所述的化合物，或如第二方面中任意一种所述的制备方法制得的化合物。

19、第四方面，本申请还提供了一种发光器件的制备方法，所述发光器件为正置型结构，所述制备方法包括如下步骤：

20、提供阳极，在所述阳极的一侧制备形成发光层；

21、在所述发光层远离所述阳极的一侧制备形成电子传输材料层，所述电子传输材料层的材料包括如第一方面中任意一种所述的化合物，或如第二方面中任意一种所述的制备方法制得的化合物；

22、采用第一光照条件处理所述电子传输材料层，获得电子传输前驱层；

23、在所述电子传输前驱层远离所述发光层的一侧制备形成阴极；

24、采用第二光照条件处理包含所述电子传输前驱层和所述阴极的叠层结构，获得包含电子传输层和所述阴极的叠层结构。

25、第五方面，本申请还提供了一种发光器件的制备方法，所述发光器件为倒置型结构，所述制备方法包括如下步骤：

26、提供阴极，在所述阴极的一侧备形成电子传输材料层，所述电子传输材料层的材料包括如第一方面中任意一种所述的化合物，或如第二方面中任意一种所述的制备方法制得的化合物；

27、采用第一光照条件处理所述电子传输材料层，获得电子传输前驱层；

28、在所述电子传输前驱层远离所述阴极的一侧制备形成发光层；

29、在所述发光层远离所述电子传输前驱层的一侧制备形成阳极；

30、采用第二光照条件处理包含所述电子传输前驱层和所述发光层的叠层结构，获得包含电子传输层和所述发光层的叠层结构。

31、第六方面，本申请还提供了一种显示装置，所述显示装置包括如第三方面中任意一种所述的发光器件，或如第四方面或第五方面中任意一种所述的制备方法制得的发光器件。

32、本申请提供了一种化合物、发光器件及其制备方法与显示装置，具有如下技术效果：

33、本申请的化合物具有通式(ⅰ)所示的结构，包含具有可逆光响应特性的香豆素基以及纳米金属氧化物，纳米金属氧化物的金属原子与香豆素基的双键氧配位连接，经第一光照条件处理后，所述化合物能够形成交联结构，从而具有理想的抗溶剂特性；经第二光照条件处理后，所述交联结构解交联再次形成所述化合物，相较于所述交联结构，所述化合物具有更佳的载流子传输性能。

34、本申请的发光器件包括电子传输层，电子传输层的材料包括通式(ⅰ)所示的化合物，使得电子传输层具有理想的电子传导性能，有利于提高发光器件的光电性能和使用寿命。

35、本申请的发光器件包括制备电子传输层的步骤，在制备电子传输层的过程中，先制备电子传输材料层，然后采用第一光照条件处理电子传输材料层以使电子传输材料层中通式(ⅰ)所示的化合物形成交联化合物，获得电子传输前驱层，再在电子传输前驱层的一侧制备形成上层功能薄膜，基于所述交联化合物相较于通式(ⅰ)所示的化合物具有更佳的耐受性和稳定性，例如更佳的抗溶剂特性和耐高温特性，所以能够有效避免用于制备上层功能薄膜的原料(例如溶剂)或上层功能薄膜的制备工艺(例如高温)损伤电子传输材料；上层功能薄膜制备完毕后采用第二光照条件处理电子传输前驱层，使得所述交联化合物解交联形成通式(ⅰ)所示的化合物，基于通式(ⅰ)所示的化合物相较于所述交联化合物具有更佳的电子传导能力，从而提高了发光器件的综合性能。

36、将本申请的发光器件或本申请中发光器件的制备方法制得的发光器件应用于显示装置，有利于提高显示装置的显示效果和使用寿命。

技术特征：

1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有下面通式(ⅰ)所示的结构：

2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述x选自纳米zno、纳米tio2、纳米sno2、纳米ta2o3、纳米zro2、纳米tilio、纳米zngao、纳米znalo、纳米znmgo、纳米znsno、纳米znlio、纳米insno、纳米alzno、纳米znocl或纳米znof中的至少一种；所述x的粒径为2nm至15nm。

3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物选自：

4.一种化合物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述混合物中，所述第一化合物：所述第二化合物的质量比为1：(3～5)。

6.一种发光器件，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述电子传输层靠近所述阴极的一侧设有粗糙结构。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述电子传输层包括：

9.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件为正置型结构，且所述发光器件设有发光区域和非发光区域，所述发光区域的叠层结构包括所述阳极、所述发光层、所述电子传输层和所述阴极；所述非发光区域的叠层结构包括所述发光层、所述电子传输层和所述阴极，且所述非发光区域的叠层结构未设置所述阳极。

10.根据权利要求8或9所述的发光器件，其特征在于，所述第一电子传输子层：所述第二电子传输子层的厚度比值为1：(0.5～1)。

11.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料选自有机发光材料或量子点；

12.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括空穴传输层，所述空穴传输层设置于所述阳极与所述发光层之间，所述空穴传输层的材料选自nio、wo3、moo3、cuo、聚(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)、3-己基取代聚噻吩、聚(9-乙烯咔唑)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚(n,n'-二(4-丁基苯基)-n,n'-二苯基-1,4-苯二胺-co-9,9-二辛基芴)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、n,n'-二苯基-n,n'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺或n,n'-二苯基-n,n'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺的至少一种。

13.一种发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光器件为正置型结构，所述制备方法包括如下步骤：

14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

15.一种发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光器件为倒置型结构，所述制备方法包括如下步骤：

16.根据权利要求13至15任一项中所述的制备方法，其特征在于，所述第一光照条件的光源为发射波长为363nm至367nm的紫外光，且所述第二光照条件的光源为发射波长为252nm至256nm的紫外光。

17.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求6至12任一项中所述的发光器件，或如权利要求13至16任一项中所述的制备方法制得的发光器件。

技术总结
本申请公开了一种化合物、发光器件及其制备方法与显示装置，所述化合物是由香豆素和/或香豆素衍生物，与纳米金属氧化物配位连接获得的化合物；所述发光器件的制备方法包括制备电子传输层的步骤，在制备电子传输层的过程中，先制备电子传输材料层，电子传输材料层的材料包括所述化合物，然后采用第一光照条件处理电子传输材料层以获得电子传输前驱层，再在电子传输前驱层的一侧制备形成上层功能薄膜，上层功能薄膜制备完毕后，采用第二光照条件处理电子传输前驱层以获得电子传输层，具有操作方便、适用于工业化生产的优点。

技术研发人员：敖资通,严怡然,洪佳婷,杨帆,莫新娣,马松
受保护的技术使用者：TCL科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13