技术特征：
1.一种可用于feol前段制程和beol后段制程的半导体清洗剂，所述半导体清洗剂包含一种酸性离子液体和过氧化氢(h2o2)。2.根据权利要求1所述的半导体清洗剂，其特征在于：所述酸性离子液体为[bmim]hso4，其结构式如下：3.根据权利要求1或2所述的半导体清洗剂，其特征在于：所述过氧化氢为过氧化氢水溶液的形式，其中过氧化氢的质量百分比浓度为20-40％。4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体清洗剂，其特征在于：所述酸性离子液体[bmim]hso4是由包括如下步骤的制备方法制得的：i、前驱体粗品的制备；ii、前驱体的重结晶；iii、离子液体的制备；所述制备方法的反应式如下：5.权利要求4所述的半导体清洗剂，其特征在于：所述步骤i具体如下：在油浴下，将1,3-丙烷磺内酯加入甲醇中，完全溶解后再滴加入n-甲基咪唑，然后升温并控制反应温度，反应完成后，静置析出固体，抽滤即得前驱体粗品。6.根据权利要求4或5所述的半导体清洗剂，其特征在于：所述步骤ii具体如下：将所述前驱体粗品加入甲醇中，全部溶解后，加热回流，趁热过滤，滤液静置至晶体析出，过滤出晶体，并用四氢呋喃多次洗涤，80℃下真空干燥，即得前驱体。7.根据权利要求4-6任一项所述的半导体清洗剂，其特征在于：所述步骤iii具体如下：将前驱体与硫酸混合，搅拌反应，旋转蒸发并真空干燥，得到淡棕色离子液体，即为[bmim]hso4。8.权利要求1-7任一项所述的半导体清洗剂在beol蚀刻后清洗残留物的用途，或用于feol和beol制程的清洗用途。9.一种半导体基板的清洗方法，所述清洗方法具体如下：将半导体基板浸泡于加热条件下的权利要求1-7任一项所述的半导体清洗剂中，然后用去离子水充分冲洗，最后干燥即可。10.根据权利要求9所述的清洗方法，其特征在于：浸泡温度为70-90℃。
技术总结
本发明提供了一种酸性离子液体及其制备方法，尤其是还提供了包含该离子液体的一种清洗剂和使用该清洗剂的半导体基板清洗方法等，所述清洗剂通过包含该离子液体，从而可与H2O2实现FEOL和BEOL等前后段全流程清洗，且能络合金属离子，抑制H2O2的分解，延长了清洗剂的使用寿命和循环次数，还保证了使用过程中的稳定性，在半导体清洗技术领域具有潜在的巨大应用前景和潜力。前景和潜力。前景和潜力。
技术研发人员：侯军 申海艳 吕晶 任浩楠
受保护的技术使用者：浙江奥首材料科技有限公司
技术研发日：2022.03.31
技术公布日：2022/8/5