一种多取代萘衍生物及其应用的制作方法

文档序号:33190087发布日期:2023-02-04 08:04阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种多取代萘衍生物,其特征在于,其结构式如式(i)所示:其中:r1、r2、r3、r4各自独立地选自由氢、氘、c
1-c
40
的烷基、c
3-c
40
的环烷基、取代或未取代的c
6-c
60
芳基、取代或未取代的c
6-c
60
稠环芳基、取代或未取代的c
6-c
60
芳胺基、取代或未取代的c
2-c
60
杂环芳基组成的群组;任意相邻的两个或多个取代基可以任意的接合或稠合形成取代或未取代的环;ar1、ar3、ar4各自独立地选自由取代或未取代的c
6-c
60
芳基、取代或未取代的c
6-c
60
稠环芳基、取代或未取代的c
6-c
60
芳胺基、或者取代或未取代的c
2-c
60
杂环芳基组成的群组;ar2选自由c
1-c
40
的烷基、c
3-c
40
的环烷基、取代或未取代的c
6-c
60
芳基、取代或未取代的c
6-c
60
稠环芳基、取代或未取代的c
6-c
60
芳胺基、取代或未取代的c
2-c
60
杂环芳基组成的群组;n选自0~5的整数;l1选自单键、取代或未取代的c
6-c
60
的亚芳基、或者取代或未取代的c
2-c
60
亚杂芳基。2.根据权利要求1所述的多取代萘衍生物,其特征在于,所述r1、r2、r3、r4各自独立地选自由氢、c
1-c
40
的烷基、或者任意相邻的两个稠合形成环;ar1、ar3、ar4各自独立地选自由取代或未取代的c
6-c
60
芳基、取代或未取代的c
6-c
60
芳胺基、或者取代或未取代的c
2-c
60
杂环芳基组成的群组;ar2选自由c
1-c
40
的烷基、c
3-c
40
的环烷基、取代或未取代的c
6-c
60
芳基、取代或未取代的c
6-c
60
芳胺基、取代或未取代的c
2-c
60
杂环芳基组成的群组;n为0、1或2。3.根据权利要求1所述的多取代萘衍生物,其特征在于,所述r1、r2、r3、r4各自为氢;ar1、ar3、ar4各自独立地选自由取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的四联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基组成的群组;ar2选自由叔丁基、环戊基、环己基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的四联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基组成的群组。4.根据权利要求1-3任一项所述的多取代萘衍生物,其特征在于,所述l1选自单键或由以下iii-1~iii-23所示基团组成的群组:
其中,虚线代表基团的连接位点。5.根据权利要求1-4任一项所述的多取代萘衍生物,其特征在于,所述多取代萘衍生物的结构式选自由以下d01至d207组成的群组:
其中,*-t
1-*、*-t
2-*各自独立地选自*-o-*、*-s-*或下述结构中的一种:优选地,所述*-t
1-*、*-t
2-*选自*-o-*、*-s-*或以下结构中的一种:
*-和-*表示连接键。6.根据权利要求5所述的多取代萘衍生物,其特征在于,所述的*-t
1-*、*-t
2-*选自*-o-*、*-s-*或下述结构中的一种:*-和-*表示连接键。7.一种有机电致发光材料,其特征在于,其原料包括权利要求1-6任一项所述的多取代萘衍生物。8.一种有机电致发光元件,其特征在于,其包括:第一电极、第二电极、封盖层和置于所述第一电极、所述第二电极之间的一层以上的有机层;所述有机层、封盖层中的至少一层包括权利要求1-6任一项所述的多取代萘衍生物。9.根据权利要求8所述的有机电致发光元件,其特征在于,所述有机层包括如下层中的至少一层:空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层以及空穴阻挡层;所述各个层中选择的一个以上的层通过沉积工艺或溶液工艺而形成。10.如权利要求8或9所述的有机电致发光元件,其特征在于,所述有机电致发光元件使用于从如下装置中选择的任意一种装置:平板显示装置;柔性显示装置;单色或白色的平板照明用装置;或单色或白色的柔性照明用装置。

技术总结
本发明涉及有机电致发光材料技术领域,尤其涉及一种多取代萘衍生物及包含该多取代萘衍生物的有机发光元件。所述多取代萘衍生物增大了平面共轭能力,提高了材料热稳定性和输送载流子的能力;将该多取代萘衍生物应用在有机电致发光元件中,可显著降低驱动电压、提高发光效率和寿命。光效率和寿命。光效率和寿命。光效率和寿命。


技术研发人员:曹建华 姜卫东 刘殿君 郭文龙 李程辉 王振宇 唐伟 刘赛赛
受保护的技术使用者:北京八亿时空液晶科技股份有限公司
技术研发日:2022.10.13
技术公布日:2023/2/3
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