化合物、包含化合物的半导体层和有机电子器件的制作方法

本发明涉及一种化合物、一种包含所述化合物的半导体层和一种包含其至少一种化合物的有机电子器件。

背景技术：

1、作为自发光器件的电子器件，如有机发光二极管oled，具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的工作电压特性以及色彩再现。典型的oled包含依次层叠在基底上的阳极层、空穴注入层hil、空穴传输层htl、发光层eml、电子传输层etl和阴极层。在这方面，hil、htl、eml和etl是由有机化合物形成的薄膜。

2、当向阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴经由hil和htl移动到eml，从阴极注入的电子经由etl移动到eml。空穴和电子在eml中重新组合产生激子。当激子从激发态下降到基态时，发出光。应当平衡空穴和电子的注入和流动，使得具有上述结构的oled具有低工作电压、优异的效率和/或长寿命。

3、有机发光二极管的性能可受空穴注入层的特性影响，在它们之中，尤其可受空穴注入层所含的空穴传输化合物和金属络合物的特性影响。

4、us2015200374 a涉及一种由例如嵌入空穴传导基质中的二次平面单核过渡金属络合物如铜2+络合物组成的空穴注入层。

5、wo 2016/188604 a1涉及一种包含至少一种空穴传输材料或/和至少一种空穴注入材料和作为p型掺杂剂的至少一种金属络合物的组合物。

6、jp 2010122269 a涉及一种具有良好色调、表现出充电性能的良好耐光性和良好湿度依赖性(耐水性、充电稳定性)，并且在图像形成过程中能避免图像中产生空洞的电子照相调色剂，以及提供了一种用于其的含金属化合物。

7、omoregie h.oluwatola et al:“2取代-1,3-联苯-1,3-丙二酮、其2,2'-联吡啶和1,1o-菲咯啉加合物的铜(ii)络合物的合成、光谱性质和结构研究(synthesis,spectroscopic properties and structural studies of copper(ii)complexes of2substituted-1,3-biphenyl-1,3-propanedione,their 2,2'-bipyridine and 1,1o-phenanthroline adducts)”,international journal of chemistry,第6卷,第1期,2014年1月25日(2014-01-25),xp055893094,toronto；issn:1916-9698,001:10.5539/ijc.v6n1p71。

8、有机发光二极管的性能可受半导体层的特性影响，尤其可受到也包含在半导体层中的金属络合物的特性影响。

9、仍然需要改善适用作半导体材料的化合物、半导体层以及其电子器件的性能，特别是通过改善其中包含的化合物的特性来实现改善工作电压随时间的稳定性。

10、此外还需要改善适用作半导体材料且具有改善的热性能和/或有机溶剂溶解度的化合物的性能。

11、此外还需要通过提供具有改善的性能的空穴注入层来改善电子器件的性能，特别是通过改善空穴注入层和电子器件的特性来实现改善工作电压。

技术实现思路

1、本发明的一个方面提供了一种化合物，所述化合物选自：

2、式(i)：

3、其中

4、m是cu、zn、al、hf；

5、l是与金属m配位的电荷中性配体；

6、n是选自2、3或4的整数，对应m的氧化数；

7、m是选自0至2的整数；

8、r1独立地选自取代或未取代的c6至c24芳基和包含至少6个成环原子的取代或未取代的c2至c24杂芳基基团，其中

9、至少一个取代基选自f、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

10、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自卤素、f、cn、c1至c6烷基、cf3；其中

11、至少一个取代基选自部分或完全氟化的c1至c12烷基或cn；

12、r2选自cn、c1至c4烷基、部分氟化或全氟化的c1至c4烷基或f；

13、r3独立地选自取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c24芳基和包含至少6个成环原子的取代或未取代的c2至c24杂芳基基团，其中

14、至少一个取代基选自f、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

15、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自f、cn、c1至c6烷基、cf3；

16、或

17、式(v)：

18、其中

19、r1选自式d69

20、

21、r2选自cn、c1至c4烷基、部分氟化或全氟化的c1至c4烷基或f；

22、r3独立地选自取代的c1至c12烷基，其中

23、至少一个取代基选自f、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

24、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自f、cn、c1至c6烷基、cf3。

25、根据一个实施方式，其中所述化合物选自：

26、式(i)：

27、其中

28、m是cu、zn、al、hf；

29、l是与金属m配位的电荷中性配体；

30、n是选自2、3或4的整数，对应m的氧化数；

31、m是选自0至2的整数；

32、r1独立地选自取代或未取代的c6至c24芳基和包含至少6个成环原子的取代或未取代的c2至c24杂芳基基团，其中

33、至少一个取代基选自f、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

34、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自卤素、f、cn、c1至c6烷基、cf3；其中

35、至少一个取代基选自部分或完全氟化的c1至c12烷基或cn；

36、r2选自cn、c1至c4烷基、部分氟化或全氟化的c1至c4烷基或f；

37、r3独立地选自取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c24芳基和包含至少6个成环原子的取代或未取代的c2至c24杂芳基基团，其中

38、至少一个取代基选自f、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

39、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自f、cn、c1至c6烷基、cf3；

40、或

41、式(v)：

42、其中

43、r1选自式d69

44、

45、r2选自cn、c1至c4烷基、部分氟化或全氟化的c1至c4烷基或f；

46、r3独立地选自取代的c1至c12烷基，其中

47、至少一个取代基选自f、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

48、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自f、cn、c1至c6烷基、cf3。

49、根据一个实施方式，r3独立地选自取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c24芳基和包含至少6个成环原子的取代或未取代的c2至c24杂芳基基团，其中

50、至少一个取代基选自f、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

51、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自f、cn、c1至c6烷基、cf3。

52、根据一个实施方式，所述化合物可以由式(i)表示：

53、其中

54、m是cu、zn、al、hf；

55、l是与金属m配位的电荷中性配体；

56、n是选自2、3或4的整数，对应m的氧化数；

57、m是选自0至2的整数；

58、r1独立地选自取代或未取代的c6至c24芳基和包含至少6个成环原子的取代或未取代的c2至c24杂芳基基团，其中

59、至少一个取代基选自f、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

60、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自卤素、f、cn、c1至c6烷基、cf3；其中

61、至少一个取代基选自部分或完全氟化的c1至c12烷基或cn；

62、r2选自cn、c1至c4烷基、部分氟化或全氟化的c1至c4烷基或f；

63、r3独立地选自取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c24芳基和包含至少6个成环原子的取代或未取代的c2至c24杂芳基基团，其中

64、至少一个取代基选自f、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基(优选取代的c6至c18芳基)和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

65、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自f、cn、c1至c6烷基、cf3。

66、根据一个实施方式，所述化合物可以由式(i)表示：

67、其中

68、m是cu、zn、al、hf；

69、l是与金属m配位的电荷中性配体；

70、n是选自2、3或4的整数，对应m的氧化数；

71、m是选自0至2的整数；

72、r1独立地选自取代或未取代的c6至c24芳基和包含至少6个成环原子的取代或未取代的c2至c24杂芳基基团，其中

73、至少一个取代基选自f、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

74、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自卤素、f、cn、c1至c6烷基、cf3；其中

75、至少一个取代基选自部分或完全氟化的c1至c12烷基或cn；

76、r2选自cn、c1至c4烷基、部分氟化或全氟化的c1至c4烷基或f；

77、r3独立地选自取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c24芳基和包含至少6个成环原子的取代或未取代的c2至c24杂芳基基团，其中

78、至少一个取代基选自f、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基(优选取代的c6至c18芳基)和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

79、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自f、cn、c1至c6烷基、cf3；

80、其中所述式(i)化合物的lumo选在≤-3.9ev且≥-6ev的范围内；其中所述式(i)化合物的lumo能级可以用程序包turbomole v6.5(turbomole有限公司，litzenhardtstrasse19，76135karlsruhe，德国)计算，其中lumo能量是在包括溶剂效应的理论的tpssh/def2-svp能级下通过cosmo(类导体筛选模型)模型进行几何优化而得到，其中介电常数(ε)设为等于3；其中m＝hf时，使用基组def-sv(p)代替；其中所有计算都用turbomole进行；其中如果不止一个构象是可行的，则选择总能量最低的构象，并且如果不止一个自旋态是可行的，则选择总能量最低的自旋态。

81、定义

82、应当注意，除非另外指出，否则在整个申请和权利要求书中，任何r1、r2、r3、l和m始终彼此独立地指根据其定义的相同部分。

83、在本说明书中，当没有另外提供定义时，“取代的”是指选自取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c24芳基和取代或未取代的c2至c24杂芳基的取代，其中所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代和未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自卤素、f、cn、c1至c6烷基、cf3。

84、在本说明书中，“芳基基团”和“芳族环”是指可以通过从相应芳族烃中的芳族环形式上分离出一个氢原子而产生的烃基基团。芳族烃是指含有至少一个芳族环或芳族环系的烃。芳族环或芳族环系是指共价结合的碳原子的平面环或环系，其中所述平面环或环系包含满足hückel规则的离域电子的共轭体系。芳基基团的实例包括单环基团如苯基或甲苯基，包含由单键连接的多个芳族环的多环基团如联苯，以及包含稠合环的多环基团如萘基或芴基。

85、类似地，“杂芳基”和“杂芳族”在合适时尤其应理解为通过从包含至少一个杂环芳族环的化合物中的这种环中形式上分离出一个环氢衍生而来的基团。

86、术语“非杂环”应理解为意指不包含杂原子作为环成员的环或环系。

87、术语“杂环”应理解为意指杂环包含至少一个含有一个或多个杂原子的环。包含多于一个环的杂环意指所有环都包含杂原子或者至少一个环包含杂原子并且至少一个环仅包含c原子而不包含杂原子。c2杂芳基基团意指包含两个c原子且其它原子为杂原子的杂芳基环。

88、杂环烷基在合适时尤其应理解为通过从包含至少一个饱和环烷基环的化合物中的这种环中形式上分离出一个环氢衍生而来的基团。

89、具有至少9个c原子的术语“芳基”可以包含至少一个稠合芳基环。具有至少9个原子的术语“杂芳基”可以包含至少一个与杂芳基环稠合或与芳基环稠合的稠合杂芳基环。

90、术语“稠合芳基环”或“缩合芳基环”应理解为当两个芳基环共有至少两个共用sp2杂化碳原子时，它们被视为稠合或缩合的。

91、术语“稠合环系”应理解为意指其中两个或更多个环共有至少两个原子的环系。

92、术语“5元环、6元环或7元环”应理解为意指包含5、6或7个原子的环。所述原子可以选自c和一个或多个杂原子。

93、在本说明书中，单键是指直接键。

94、在本说明书中，当没有另外提供定义时，“取代的”是指被h、氘、c1至c12烷基、未取代的c6至c18芳基和未取代的c2至c18杂芳基取代的物质。

95、在本说明书中，“取代的芳基”是指例如被一个或多个取代基取代的c6至c24芳基或c6至c18芳基，其中取代基可以被一个或多个取代基取代或未被取代。

96、相应地，在本说明书中，“取代的杂芳基取代的”是指被一个或多个取代基取代，所述取代基本身可以被一个或多个取代基取代。

97、在本说明书中，当没有另外提供定义时，具有至少2个c环原子的取代的杂芳基基团可以被一个或多个取代基取代。例如，取代的c2杂芳基基团可以具有1个或2个取代基。

98、具有至少6个环原子的取代的芳基基团可以被1个、2个、3个、4个或5个取代基取代。

99、取代的杂芳基基团可以包含至少6个环原子。如果杂芳基基团包含一个杂原子和五个c原子，则可包含至少6个环原子的取代的杂芳基基团可以被1个、2个、3个或4个取代基取代，或者如果具有至少6个环原子的杂芳基基团包含两个杂原子和四个c原子，则它可以被1个、2个或3个取代基取代，或者如果具有至少6个环原子的杂芳基基团包含三个杂原子和三个c原子，则可以被1个或2个取代基取代，其中所述取代基仅与c环原子键合。

100、在本说明书中，当没有另外提供定义时，“烷基基团”是指饱和脂族烃基基团。所述烷基基团可以是c1至c12烷基基团。更具体地，所述烷基基团可以是c1至c10烷基基团或c1至c6烷基基团。例如，c1至c4烷基基团在烷基链中包括1至4个碳，并且可以选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、环己基。

101、所述烷基基团的具体实例可以是甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、支链戊基基团、己基基团、环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、金刚烷基基团等。

102、在本说明书中，当没有另外提供定义时，“取代的烷基基团”可以指直链、支链或环状取代的饱和脂族烃基基团。所述取代的烷基基团可以是直链、支链或环状c1至c12烷基基团。更具体地，所述取代的烷基基团可以是直链、支链或环状取代的c1至c10烷基基团或者直链、支链或环状取代的c1至c6烷基基团。例如，直链、支链或环状取代的c1至c4在烷基链中包括1至4个碳，并且可以选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基和环己基。所述取代基可以选自卤素、f、cl、cn、och3、ocf3。

103、术语“杂”理解为在可由共价结合的碳原子形成的结构中的至少一个碳原子被另一个多价原子代替。优选地，所述杂原子选自b、si、n、p、o、s；更优选选自n、p、o、s；最优选为n。

104、在本说明书中，当取代基未命名时，所述取代基可以是h。

105、术语“电荷中性”意指基团l总体上是电中性的。

106、在本发明的上下文中，“不同”意指化合物不具有相同的化学结构。

107、术语“不含”、“不含有”、“不包含”不排除可能在沉积前就存在于化合物中的杂质。杂质对于本发明所实现的目的没有技术作用。

108、术语“接触夹入”是指三层布置，其中在中间的层与两个相邻层直接接触。

109、术语“吸光层”和“光吸收层”同义使用。

110、术语“发光层”、“光发射层”和“发射层”同义使用。

111、术语“oled”、“有机发光二极管”和“有机发光器件”同义使用。

112、术语阳极、阳极层和阳极电极同义使用。

113、术语“至少两个阳极子层”理解为意指两个或更多个阳极子层，例如两个或三个阳极子层。

114、术语阴极、阴极层和阴极电极同义使用。

115、术语“空穴注入层”应理解为意指改善从阳极层到有机电子器件的其它层或从有机电子器件的其它层到阳极的电荷注入的层。

116、术语“空穴传输层”应理解为意指在空穴注入层与布置在空穴注入层和阴极层之间的其它层之间传输空穴的层。

117、工作电压u以伏特为单位测量。

118、在本说明书的上下文中，术语“基本上不发光”或“不发光”意指相对于可见光发光光谱，式(i)化合物或包含式(i)化合物的空穴注入层对来自有机电子器件如oled或显示器件的可见光发光光谱的贡献小于10％，优选小于5％。可见光发光光谱是波长为约≥380nm至约≤780nm的发光光谱。

119、在本发明的上下文中，术语“升华”可以指从固态到气相或从液态到气相的转移。

120、在本说明书中，空穴特性是指当施加电场时提供电子以形成空穴的能力，并且由于根据最高占据分子轨道(homo)能级的导电特性，在阳极中形成的空穴可以容易地注入发光层中并在发光层中传输。

121、此外，电子特性是指在施加电场时接受电子的能力，并且由于根据最低未占有分子轨道(lumo)能级的导电特性，在阴极中形成的电子可以容易地注入发光层中并在发光层中传输。

122、术语“homo能级”应理解为意指最高占据分子轨道并且以ev(电子伏特)为单位测定。

123、术语“homo能级更远离真空能级”应理解为意指homo能级的绝对值高于参考化合物的homo能级的绝对值。例如，术语“比n2,n2,n2',n2',n7,n7,n7',n7'-八(4-甲氧基苯基)-9,9'-螺二[芴]-2,2',7,7'-四胺的homo能级更远离真空能级应理解为意指空穴注入层的基质化合物的homo能级的绝对值高于n2,n2,n2',n2',n7,n7,n7',n7'-八(4-甲氧基苯基)-9,9'-螺二[芴]-2,2',7,7'-四胺的homo能级。

124、术语“绝对值”应理解为意指没有“-”符号的值。根据本发明的一个实施方式，空穴注入层的基质化合物的homo能级可以通过量子力学方法计算。

125、术语“lumo能级”理解为意指最低未占有分子轨道并且以ev(电子伏特)为单位测定。

126、术语“lumo能级更远离真空能级”应理解为意指lumo能级的绝对值高于参考化合物的lumo能级的绝对值。

127、有益效果

128、令人惊讶地，发现根据本发明的有机电子器件通过使电子器件如有机发光二极管在各个方面，特别是在工作电压方面，优于本领域已知的电子器件而解决了本发明的根本问题。

129、此外，发现本发明的根本问题可以通过提供适合在适合大量生产的条件下通过真空热蒸发进行沉积的化合物来解决。特别地，本发明的式(i)化合物的标准起始温度可以在适合大量生产的范围内。此外，本发明的式(i)化合物示出了改善的热性能和/或有机溶剂溶解度。

130、所述式(i)化合物是不发光的。在本说明书的上下文中，术语“基本上不发光”或“不发光”意指相对于可见光发光光谱，所述式(i)化合物对来自电子器件如oled或显示器件的可见光发光光谱的贡献小于10％，优选小于5％。可见光发光光谱是波长为约≥380nm至约≤780nm的发光光谱。

131、式(i)化合物的m

132、术语“m”表示金属。根据一个实施方式，金属m可以选自cu、zn、al、hf；优选所述金属m选自cu(ii)、zn(ii)、al(iii)、hf(iv)，更优选m是cu(ii)或zn(ii)，更优选m是cu(ii)。

133、式(i)的配体l

134、术语“l”表示与金属m配位的电荷中性配体。

135、根据一个实施方式，l选自h2o、c2至c40单齿或多齿醚和c2至c40硫醚、c2至c40胺、c2至c40膦、c2至c20烷基腈或c2至c40芳基腈，或者根据式(ii)的化合物；

136、其中

137、r6和r7独立地选自c1至c20烷基、c1至c20杂烷基、c6至c20芳基、具有5至20个成环原子的杂芳基、卤化或全卤化c1至c20烷基、卤化或全卤化c1至c20杂烷基、卤化或全卤化c6至c20芳基、具有5至20个成环原子的卤化或全卤化杂芳基，或者至少一个r6和r7桥接并形成5至20元环，或者两个r6和/或两个r7桥接并形成5至40元环或者形成包含未取代或被c1至c12取代的菲咯啉的5至40员环。

138、根据一个实施方式，其中式(i)化合物中的配体l可以选自包含以下的基团：

139、-至少三个碳原子，或者至少四个碳原子，和/或

140、-至少两个氧原子或一个氧原子和一个氮原子、二至四个氧原子、二至四个氧原子和零至二个氮原子，和/或

141、-至少一个或多个选自以下的基团：卤素、f、cn、取代或未取代的c1至c6烷基，或者两个或更多个选自以下的基团：卤素、f、cn、取代或未取代的c1至c6烷基，至少一个或多个选自以下的基团：卤素、f、cn、取代的c1至c6烷基，或者两个或更多个选自以下的基团：卤素、f、cn、全氟化c1至c6烷基，一个或多个选自以下的基团：取代或未取代的c1至c6烷基、取代或未取代的c6至c12芳基和/或取代或未取代的c3至c12杂芳基，

142、其中所述取代基选自：d、c6芳基、c3至c9杂芳基、c1至c6烷基、c3至c6支链烷基、c3至c6环状烷基、部分氟化或全氟化的c1至c16烷基、部分氘化或全氘化的c1至c6烷基、部分氘化或全氘化的cor3、coor3、卤素、f或cn；

143、其中r3可以选自：c6芳基、c3至c9杂芳基、c1至c6烷基、c3至c6支链烷基、c3至c6环状烷基、部分氟化或全氟化的c1至c16烷基、部分氘化或全氘化的c1至c6烷基。

144、术语“n”

145、术语“n”是选自2至4的整数，对应m的氧化数。根据一个实施方式，“n”是选自2、3和4的整数，对应m的氧化数。根据一个实施方式，“n”是选自2或3的整数，对应m的氧化数。根据一个实施方式，“n”选择为2。根据另一个实施方式，“n”选择为4。根据另一个实施方式，“n”选择为3。优选地，“n”可以选择为2。

146、术语“m”

147、术语“m”是选自0至2的整数，对应m的氧化数。根据一个实施方式，“m”是选自0或1的整数。根据另一个实施方式，“m”是选自1的整数。根据另一个实施方式，“m”是选自2的整数。优选地，“m”是整数并且可以选自0。

148、实施方式

149、由式(i)表示的化合物还可以称为金属络合物或金属乙酰丙酮化物络合物。

150、根据一个实施方式，所述式(i)化合物的分子量mw可以为≥287g/mol且≤2000g/mol，优选分子量mw为≥400g/mol且≤1500g/mol，更优选分子量mw为≥580g/mol且≤1500g/mol，另外优选分子量mw为≥580g/mol且≤1400g/mol，此外优选分子量mw为≥580g/mol且≤1100g/mol。

151、根据一个实施方式，式(i)不包括化合物a1至a12：

152、

153、

154、根据式(i)的一个实施方式，其中r3不包括未取代的支链烷基和/或cf3。

155、根据一个实施方式，其中所述化合物具有式(i)：

156、其中

157、m是cu、zn、al、hf；

158、l是与金属m配位的电荷中性配体；

159、n是选自2、3或4的整数，对应m的氧化数；

160、m是选自0至2的整数；

161、r1独立地选自取代或未取代的c6至c24芳基和包含至少6个成环原子的取代或未取代的c2至c24杂芳基基团，其中

162、至少一个取代基选自f、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

163、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自卤素、f、cn、c1至c6烷基、cf3；其中

164、至少一个取代基选自部分或完全氟化的c1至c12烷基或cn；

165、r2选自cn、c1至c4烷基、部分氟化或全氟化的c1至c4烷基或f；

166、r3独立地选自取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c24芳基和包含至少6个成环原子的取代或未取代的c2至c24杂芳基基团，其中

167、至少一个取代基选自f、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基(优选取代的c6至c18芳基)和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

168、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自f、cn、c1至c6烷基、cf3；

169、并且其中不包括化合物a1至a12。

170、根据一个实施方式，其中所述化合物具有式(i)：

171、其中

172、m是cu、zn、al、hf；

173、l是与金属m配位的电荷中性配体；

174、n是选自2、3或4的整数，对应m的氧化数；

175、m是选自0至2的整数；

176、r1独立地选自取代或未取代的c6至c24芳基和包含至少6个成环原子的取代或未取代的c2至c24杂芳基基团，其中

177、至少一个取代基选自f、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

178、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自卤素、f、cn、c1至c6烷基、cf3；其中

179、至少一个取代基选自部分或完全氟化的c1至c12烷基或cn；

180、r2选自cn、c1至c4烷基、部分氟化或全氟化的c1至c4烷基或f；

181、r3独立地选自取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c24芳基和包含至少6个成环原子的取代或未取代的c2至c24杂芳基基团，其中

182、至少一个取代基选自f、cn、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基(优选取代的c6至c18芳基)和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

183、所述取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自f、cn、c1至c6烷基、cf3。

184、根据一个实施方式，其中所述化合物具有式(i)：

185、其中

186、m是cu、zn、al、hf；

187、l是与金属m配位的电荷中性配体；

188、n是选自2、3或4的整数，对应m的氧化数；

189、m是选自0至2的整数；

190、r1独立地选自取代或未取代的c6至c24芳基和包含至少6个成环原子的取代或未取代的c2至c24杂芳基基团，其中

191、至少一个取代基选自f、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

192、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自卤素、f、cn、c1至c6烷基、cf3；其中

193、至少一个取代基选自部分或完全氟化的c1至c12烷基或cn；

194、r2选自cn、c1至c4烷基、部分氟化或全氟化的c1至c4烷基或f；

195、r3独立地选自取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c24芳基和包含至少6个成环原子的取代或未取代的c2至c24杂芳基基团，其中

196、至少一个取代基选自f、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

197、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基(优选取代的c6至c18芳基)和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自f、cn、c1至c6烷基、cf3；

198、并且其中r3不包括未取代的支链烷基和/或cf3。

199、根据一个实施方式，其中所述化合物具有式(i)：

200、其中

201、m是cu、zn、al、hf；

202、l是与金属m配位的电荷中性配体；

203、n是选自2、3或4的整数，对应m的氧化数；

204、m是选自0至2的整数；

205、r1独立地选自取代或未取代的c6至c24芳基和包含至少6个成环原子的取代或未取代的c2至c24杂芳基基团，其中

206、至少一个取代基选自f、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

207、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自卤素、f、cn、c1至c6烷基、cf3；其中

208、至少一个取代基选自部分或完全氟化的c1至c12烷基或cn；

209、r2选自cn、ch3、cf3、c2f5、c3f7或f，优选cn、ch3、cf3、c2f5或c3f7；更优选cn、ch3或cf3；

210、r3独立地选自取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c24芳基和包含至少6个成环原子的取代或未取代的c2至c24杂芳基基团，其中

211、至少一个取代基选自f、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基(优选取代的c6至c18芳基)和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

212、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自f、cn、c1至c6烷基、cf3；

213、并且任选地，r3不包括未取代的支链烷基和/或cf3。

214、本发明的一个方面提供了一种由式(i)表示的化合物：

215、其中

216、m是cu、zn、al、hf；

217、l是与金属m配位的电荷中性配体；

218、n是选自2、3或4的整数，对应m的氧化数；

219、m是选自0至2的整数；

220、r1独立地选自取代或未取代的c6至c24芳基和包含至少6个成环原子的取代或未取代的c2至c24杂芳基基团，其中

221、至少一个取代基选自f、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

222、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自卤素、f、cn、c1至c6烷基、cf3；其中

223、至少一个取代基选自部分或完全氟化的c1至c12烷基或cn；

224、r2选自cn、c1至c4烷基、部分氟化或全氟化的c1至c4烷基或f；

225、r3独立地选自取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c24芳基和包含至少6个成环原子的取代或未取代的c2至c24杂芳基基团，其中

226、至少一个取代基选自f、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基(优选取代的c6至c18芳基)和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

227、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自f、cn、c1至c6烷基、cf3；并且

228、至少一个r1和/或r3选自取代的c6至c24芳基或取代的c2至c24杂芳基基团，其中所述取代的c6至c24芳基或取代的c2至c24杂芳基基团的至少一个取代基或至少两个取代基选自cn或者部分或完全氟化的c1至c12烷基，优选部分或完全氟化的c1至c4烷基。

229、根据所述由式(i)表示的化合物的一个实施方式，其中r2选自cn、ch3、cf3、c2f5、c3f7或f，优选cn、ch3、cf3、c2f5或c3f7，更优选cn、ch3或cf3。

230、根据所述由式(i)表示的化合物的一个实施方式，其中至少一个r1和/或r3选自取代的c6至c24芳基或取代的c2至c24杂芳基基团，其中所述取代的c6至c24芳基或取代的c2至c24杂芳基基团的至少一个取代基选自cn或者部分或完全氟化的c1至c12烷基，优选部分或完全氟化的c1至c4烷基。

231、根据所述由式(i)表示的化合物的一个实施方式，其中至少一个r1和/或r3选自取代的c6至c24芳基或取代的c2至c24杂芳基基团，其中所述取代的c6至c24芳基或取代的c2至c24杂芳基基团的至少两个取代基选自cn或者部分或完全氟化的c1至c12烷基，优选部分或完全氟化的c1至c4烷基。

232、根据所述由式(i)表示的化合物的一个实施方式，其中所述式(i)化合物包含至少一个cf3基团，优选至少两个cf3基团，更优选至少三个cf3基团，此外优选至少四个cf3基团，或至少两个cf3基团和至少一个c2f5，或至少两个cf3基团和至少一个选自cn、f或ch3的基团。

233、根据所述由式(i)表示的化合物的一个实施方式，其中至少一个r1或r3选自包含至少6个成环原子的取代的c2至c24杂芳基基团，其中

234、-所述取代的杂芳基基团包含至少1个至6个n原子，优选1至3个n原子，更优选1个n原子；和/或

235、-所述取代的杂芳基基团的杂芳基基团是六元环，包含1个、2个或3个杂原子，其中优选所述杂原子为n。

236、根据所述由式(i)表示的化合物的一个实施方式，其中至少一个r1和r3选自包含至少6个成环原子的取代的c2至c24杂芳基基团，其中

237、-所述取代的杂芳基基团包含至少1个至6个n原子，优选1至3个n原子，更优选1个n原子；和/或

238、-所述取代的杂芳基基团的杂芳基基团是六元环，包含1个、2个或3个杂原子，其中优选所述杂原子为n。

239、根据一个实施方式，其中至少一个r1或r3选自取代的c2至c24杂芳基基团，其中所述杂芳基基团选自吡啶基、嘧啶基、吡嗪基或三嗪基。

240、根据一个实施方式，其中至少一个r1和至少一个r3选自取代的c2至c24杂芳基基团，其中所述c2至c24杂芳基基团选自吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基。

241、根据一个实施方式，其中至少一个r1和/或r3选自取代的c2至c24杂芳基基团，其中所述取代的杂芳基基团的至少一个取代基选自卤素、f、cl、cn、部分或完全氟化的c1至c6烷基；优选选自卤素、f、cl、cn、部分或完全氟化的c1至c6烷基；更优选选自卤素、f、cl、cn、部分或完全氟化的c1至c4烷基；更优选选自f、cn、部分或完全氟化的c1至c6烷基；还优选f、cn、部分或完全氟化的c1至c6烷基，还优选卤素、f、cl、cn、部分或完全氟化的c1至c4烷基；更优选选自至少一个cn、至少一个cf3基团和/或至少两个f原子。

242、根据一个实施方式，其中至少一个r1或r3或者r1和r3选自取代的c2至c24杂芳基基团，其中至少一个取代基选自卤素、f、cl、cn、部分或完全氟化的c1至c6烷基，并且r1、r2或r3中的一个选自取代或未取代的c1至c12烷基，其中至少一个取代基选自、f、cl、cn、部分或完全氟化的c1至c6烷基。

243、根据一个实施方式，其中一个r1选自取代的c2至c24杂芳基基团，其中至少一个、两个或三个取代基选自cf3基团。

244、根据一个实施方式，其中r3选自取代的c2至c24杂芳基基团，其中至少一个、两个或三个取代基选自cf3基团和/或cn基团。

245、根据一个实施方式，其中r1选自取代的c6至c24芳基基团，其中至少一个、两个或三个取代基选自cf3基团。

246、根据一个实施方式，其中r3选自取代的c6至c24芳基基团，其中至少一个、两个或三个取代基选自cf3基团和/或cn基团。

247、根据一个实施方式，其中r1选自取代的吡啶基团，其中至少一个、两个或三个取代基选自cf3基团。

248、根据一个实施方式，其中r3选自取代的吡啶基团，其中至少一个、两个或三个取代基选自cf3基团和/或cn基团。

249、根据一个实施方式，其中r1选自取代的苯基基团，其中至少一个、两个或三个取代基选自cf3基团。

250、根据一个实施方式，其中r3选自取代的苯基基团，其中至少一个、两个或三个取代基选自cf3基团和/或cn基团。

251、根据一个实施方式，其中r1选自取代的苯基基团，其中至少一个、两个或三个取代基选自cf3基团；其中r3选自取代的苯基基团，其中至少一个、两个或三个取代基选自cf3基团和/或cn基团。

252、根据一个实施方式，其中r1、r2、r3可不选自取代或未取代的c6至c24芳基基团或者取代或未取代的c6至c18芳基基团。

253、根据一个实施方式，其中r1和r3可不选自未取代的芳基和/或未取代的杂芳基基团。

254、根据一个实施方式，其中式i可不包含未取代的芳基和/或未取代的杂芳基基团。

255、根据一个实施方式，其中式i可不包含取代的芳基基团。

256、根据一个实施方式，其中式i可不包含取代的杂芳基基团。

257、根据式(i)的一个实施方式，其中r1和/或r3中的至少一个是取代或未取代的c6至c24芳基或包含至少6个成环原子的取代的c2至c24杂芳基基团并且选自下式d1至d71，和/或r3可任选地选自下式d1至d34和d36至d71：

258、

259、

260、

261、

262、其中“*”表示结合位置。

263、根据式(i)的一个实施方式，其中所述由式(i)表示的化合物选自下式e1至e20：

264、

265、

266、

267、

268、更优选其中m是cu(ii)或al(iii)，更优选cu(ii)。

269、根据一个实施方式，其中所述由式i表示的化合物选自式e1至e12和/或e17至e20。

270、根据一个实施方式，其中所述由式i表示的化合物选自下式g1至g8：

271、

272、

273、根据一个实施方式，其中所述由式i表示的化合物优选选自式g1至g4。

274、半导体材料

275、根据另一个方面，其中半导体材料包含至少一种根据本发明的式i化合物。

276、根据一个实施方式，其中所述半导体材料另外包含至少一种共价基质化合物或至少一种基本上共价的基质化合物。

277、根据另一个方面，其中半导体材料包含至少一种根据本发明的式i化合物和另外至少一种共价基质化合物或至少一种基本上共价的基质化合物。

278、基本上共价的基质化合物/共价基质化合物

279、所述基本上共价的基质化合物，也称为基质化合物，可以是包含有机芳族共价键碳原子的有机芳族基质化合物。所述基本上共价的基质化合物可以是基本上由共价结合的c、h、o、n、s组成，可任选地还包含共价结合的b、p或si的有机化合物。所述基本上共价的基质化合物可以是不含金属原子的有机芳族共价键化合物，其骨架原子中多数可以选自c、o、s、n，优选选自c、o和n，其中所述原子中多数为c原子。或者，所述共价基质化合物不含金属原子且其骨架原子中多数可以选自c和n，优选所述共价基质化合物不含金属原子且其骨架原子中多数可以选自c，并且其骨架原子中少数可以是n。

280、根据一个实施方式，所述基本上共价的基质化合物的分子量mw可以为≥400且≤2000g/mol，优选分子量mw为≥450且≤1500g/mol，更优选分子量mw为≥500且≤1000g/mol，此外优选分子量mw为≥550且≤900g/mol，还优选分子量mw为≥600且≤800g/mol。

281、在一个实施方式中，当在相同条件下测定时，所述基本上共价的基质化合物的homo能级比n2,n2,n2',n2',n7,n7,n7',n7'-八(4-甲氧基苯基)-9,9'-螺二[芴]-2,2',7,7'-四胺(cas207739-72-8)的homo能级更负。

282、在本发明的一个实施方式中，所述基本上共价的基质化合物可以不含烷氧基基团。

283、优选地，所述基本上共价的基质化合物包含至少一个芳基胺部分，或者二芳基胺部分，或者三芳基胺部分。

284、优选地，所述基本上共价的基质化合物不含tpd或npb。

285、式(iii)化合物或式(iv)化合物

286、根据本发明，所述基本上共价的基质化合物或共价基质化合物在本文中也称为基质化合物，可以包含至少一种芳基胺化合物、二芳基胺化合物、三芳基胺化合物、式(iii)化合物或式(iv)化合物：

287、

288、其中：

289、t1、t2、t3、t4和t5独立地选自单键、亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基或亚萘基，优选单键或亚苯基；

290、t6是亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基或亚萘基；

291、ar1、ar2、ar3、ar4和ar5独立地选自取代或未取代的c6至c20芳基、或者取代或未取代的c3至c20亚杂芳基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的芴、取代的9-芴、取代的9,9-芴、取代或未取代的萘、取代或未取代的蒽、取代或未取代的菲、取代或未取代的芘、取代或未取代的苝、取代或未取代的联三苯叉、取代或未取代的并四苯、取代或未取代的苯并蒽、取代或未取代的二苯并呋喃、取代或未取代的二苯并噻吩、取代或未取代的呫吨、取代或未取代的咔唑、取代的9-苯基咔唑、取代或未取代的氮杂环庚三烯、取代或未取代的二苯并[b,f]氮杂环庚三烯、取代或未取代的9,9'-螺二[芴]、取代或未取代的螺[芴-9,9'-呫吨]，或者包含至少三个取代或未取代的芳族环的取代或未取代的芳族稠合环系，所述取代或未取代的芳族环选自：取代或未取代的非杂芳族环、取代或未取代的杂5元环、取代或未取代的6元环和/或取代或未取代的7元环、取代或未取代的芴，或包含2至6个取代或未取代的5至7元环的稠合环系，并且所述环选自(i)不饱和5至7元环的杂环、(ii)5至6元的芳族杂环、(iii)不饱和5至7元环的非杂环、(iv)6元环的芳族非杂环；

292、其中

293、ar1、ar2、ar3、ar4和ar5的取代基相同或不同且选自h、d、f、c(-o)r2、cn、si(r2)3、p(-o)(r2)2、or2、s(-o)r2、s(-o)2r2、具有1至20个碳原子的取代或未取代的直链烷基、具有1至20个碳原子的取代或未取代的支链烷基、具有3至20个碳原子的取代或未取代的环状烷基、具有2至20个碳原子的取代或未取代的烯基或炔基基团、具有6至40个芳族环原子的取代或未取代的芳族环系，以及具有5至40个芳族环原子的取代或未取代的杂芳族环系、未取代的c6至c18芳基、未取代的c3至c18杂芳基、包含2至6个未取代的5至7元环的稠合环系，并且所述环选自不饱和5至7元环的杂环、5至6元的芳族杂环、不饱和5至7元环的非杂环和6元环的芳族非杂环，

294、其中r2可以选自h、d、具有1至6个碳原子的直链烷基、具有1至6个碳原子的支链烷基、具有3至6个碳原子的环状烷基、具有2至6个碳原子的烯基或炔基基团、c6至c18芳基或c3至c18杂芳基。

295、根据所述电子器件的一个实施方式，其中所述基本上共价的基质化合物包含式(iii)化合物或式(iv)化合物：

296、

297、其中

298、t1、t2、t3、t4和t5可以独立地选自单键、亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基或亚萘基，优选单键或亚苯基；

299、t6是亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基或亚萘基；

300、ar1、ar2、ar3、ar4和ar5可以独立地选自取代或未取代的c6至c20芳基、或者取代或未取代的c3至c20亚杂芳基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的芴、取代的9-芴、取代的9,9-芴、取代或未取代的萘、取代或未取代的蒽、取代或未取代的菲、取代或未取代的芘、取代或未取代的苝、取代或未取代的联三苯叉、取代或未取代的并四苯、取代或未取代的苯并蒽、取代或未取代的二苯并呋喃、取代或未取代的二苯并噻吩、取代或未取代的呫吨、取代或未取代的咔唑、取代的9-苯基咔唑、取代或未取代的氮杂环庚三烯、取代或未取代的二苯并[b,f]氮杂环庚三烯、取代或未取代的9,9'-螺二[芴]、取代或未取代的螺[芴-9,9'-呫吨]，或者包含至少三个取代或未取代的芳族环的取代或未取代的芳族稠合环系，所述取代或未取代的芳族环选自：取代或未取代的非杂芳族环、取代或未取代的杂5元环、取代或未取代的6元环和/或取代或未取代的7元环、取代或未取代的芴，或包含2至6个取代或未取代的5至7元环的稠合环系，并且所述环选自(i)不饱和5至7元环的杂环、(ii)5至6元的芳族杂环、(iii)不饱和5至7元环的非杂环、(iv)6元环的芳族非杂环；

301、其中ar1、ar2、ar3、ar4和ar5的取代基相同或不同且选自h、具有1至20个碳原子的直链烷基、具有1至20个碳原子的支链烷基、具有3至20个碳原子的环状烷基、具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团、c6至c18芳基、c3至c18杂芳基、包含2至6个未取代的5至7元环的稠合环系，且所述环选自不饱和5至7元环的杂环、5至6元的芳族杂环、不饱和5至7元环的非杂环和6元环芳族的非杂环。

302、优选地，ar1、ar2、ar3、ar4和ar5的取代基相同或不同且选自h、具有1至6个碳原子的直链烷基、具有1至6个碳原子的支链烷基、具有3至6个碳原子的环状烷基、具有2至6个碳原子的烯基或炔基基团、c6至c18芳基、c3至c18杂芳基、包含2至4个未取代的5至7元环的稠合环系，且所述环选自不饱和5至7元环的杂环、5至6元的芳族杂环、不饱和5至7元环的非杂环和6元环的芳族非杂环；更优选所述取代基相同或不同且选自h、具有1至4个碳原子的直链烷基、具有1至4个碳原子的支链烷基、具有3至4个碳原子的环状烷基和/或苯基。

303、由此，式(iii)或(iv)化合物的标准起始温度可适合大量生产。

304、根据所述电子器件的一个实施方式，其中所述基本上共价的基质化合物包含式(iii)化合物或式(iv)化合物：

305、

306、其中

307、t1，t2，t3，t4和t5可以独立地选自单键、亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基或亚萘基，优选单键或亚苯基；

308、t6是亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基或亚萘基；

309、ar1、ar2、ar3、ar4和ar5可以独立地选自未取代的c6至c20芳基、或未取代的c3至c20亚杂芳基、未取代的亚联苯基、未取代的芴、取代的9-芴、取代的9,9-芴、未取代的萘、未取代的蒽、未取代的菲、未取代的芘、未取代的苝、未取代的联三苯叉、未取代的并四苯、未取代的苯并蒽、未取代的二苯并呋喃、未取代的二苯并噻吩、未取代的呫吨、未取代的咔唑、取代的9-苯基咔唑、未取代的氮杂环庚三烯、未取代的二苯并[b,f]氮杂环庚三烯、未取代的9,9'-螺二[芴]、未取代的螺[芴-9,9'-呫吨]，或包含至少三个未取代的芳族环的未取代的芳族稠合环系，且所述未取代的芳族环选自未取代的非杂芳族环、未取代的杂5元环、未取代的6元环和/或未取代的7元环、未取代的芴，或包含2至6个未取代的5至7元环的稠合环系，且所述环选自(i)不饱和5至7元环的杂环、(ii)5至6元的芳族杂环、(iii)不饱和5至7元环的非杂环、(iv)6元环的芳族非杂环。

310、根据所述电子器件的一个实施方式，其中所述基本上共价的基质化合物包含式(iii)化合物或式(iv)化合物：

311、

312、其中

313、t1、t2、t3、t4和t5可以独立地选自单键、亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基或亚萘基，优选单键或亚苯基；

314、t6是亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基或亚萘基；

315、ar1、ar2、ar3、ar4和ar5可以独立地选自未取代的c6至c20芳基、或未取代的c3至c20亚杂芳基、未取代的亚联苯基、未取代的芴、取代的9-芴、取代的9,9-芴、未取代的萘、未取代的蒽、未取代的菲、未取代的芘、未取代的苝、未取代的联三苯叉、未取代的并四苯、未取代的苯并蒽、未取代的二苯并呋喃、未取代的二苯并噻吩、未取代的呫吨、未取代的咔唑、取代的9-苯基咔唑、未取代的氮杂环庚三烯、未取代的二苯并[b,f]氮杂环庚三烯、未取代的9,9'-螺二[芴]、未取代的螺[芴-9,9'-呫吨]。

316、由此，式(iii)或(iv)化合物的标准起始温度可适合大量生产。

317、根据一个实施方式，其中t1、t2、t3、t4和t5可以独立地选自单键、亚苯基、亚联苯基或亚三联苯基。根据一个实施方式，其中t1、t2、t3、t4和t5可以独立地选自亚苯基、亚联苯基或亚三联苯基，并且t1、t2、t3、t4和t5中的一个是单键。根据一个实施方式，其中t1、t2、t3、t4和t5可以独立地选自亚苯基或亚联苯基，并且t1、t2、t3、t4和t5中的一个是单键。根据一个实施方式，其中t1、t2、t3、t4和t5可以独立地选自亚苯基或亚联苯基，并且t1、t2、t3、t4和t5中的两个是单键。

318、根据一个实施方式，其中t1、t2和t3可以独立地选自亚苯基，并且t1、t2和t3中的一个是单键。根据一个实施方式，其中t1、t2和t3可以独立地选自亚苯基，并且t1、t2和t3中的两个是单键。

319、根据一个实施方式，其中t6可以是亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基。根据一个实施方式，其中t6可以是亚苯基。根据一个实施方式，其中t6可以是亚联苯基。根据一个实施方式，其中t6可以是亚三联苯基。

320、根据一个实施方式，其中ar1、ar2、ar3、ar4和ar5可以独立地选自b1至b16：

321、

322、

323、其中星号“*”表示结合位置。

324、根据一个实施方式，其中ar1、ar2、ar3、ar4和ar5可以独立地选自b1至b15；或者选自b1至b10和b13至b15。

325、根据一个实施方式，其中ar1、ar2、ar3、ar4和ar5可以独立地选自b1、b2、b5、b7、b9、b10、b13至b16。

326、当ar1、ar2、ar3、ar4和ar5选在这个范围内时，标准起始温度可在特别适合大量生产的范围内。

327、“式(iii)或式(iv)的基质化合物”还可以称为“空穴传输化合物”。

328、根据一个实施方式，式(iii)或式(iv)的化合物可以包含至少≥1个至≤6个包含杂芳族环的取代或未取代的芳族稠合环系。

329、根据一个实施方式，式(iii)或式(iv)的化合物可以包含至少≥1个至≤6个包含杂芳族环的取代或未取代的芳族稠合环系和至少≥1个至≤3个取代或未取代的不饱和5至7元环的杂环，优选≥2个至≤5个包含杂芳族环的取代或未取代的芳族稠合环系。

330、根据一个实施方式，式(iii)或式(iv)的化合物可以包含至少≥1个至≤6个包含杂芳族环的取代或未取代的芳族稠合环系和至少≥1个至≤3个取代或未取代的不饱和5至7元环的杂环，优选≥2个至≤5个包含杂芳族环的取代或未取代的芳族稠合环系和至少≥1个至≤3个取代或未取代的不饱和5至7元环的杂环，更优选3个或4个包含杂芳族环的取代或未取代的芳族稠合环系和任选的至少≥1个至≤3个取代或未取代的不饱和5至7元环的杂环，此外优选其中包含杂芳族环的芳族稠合环系是未取代的，和任选的至少≥1个至≤3个未取代的不饱和5至7元环的杂环。

331、根据一个实施方式，式(iii)或式(iv)的化合物可以包含至少≥1个至≤6个取代或未取代的芳族稠合环系，优选≥2个至≤5个取代或未取代的芳族稠合环系，更优选3个或4个取代或未取代的芳族稠合环系。

332、根据一个实施方式，式(iii)或式(iv)的化合物可以包含至少≥1个至≤6个取代或未取代的芳族稠合环系，优选≥2个至≤5个取代或未取代的芳族稠合环系，更优选3个或4个取代或未取代的芳族稠合环系，所述芳族稠合环系包含取代或未取代的杂芳族环。

333、根据一个实施方式，式(iii)或式(iv)的化合物可以包含至少≥1个至≤3个或2个取代或未取代的不饱和5至7元环的杂环。

334、根据一个实施方式，式(iii)或式(iv)的化合物可以包含至少≥1个至≤3个或2个取代或未取代的不饱和7元环的杂环。

335、根据一个实施方式，式(iii)或式(iv)的化合物的取代或未取代的芳族稠合环系可以包含至少≥1个至≤3个或2个取代或未取代的不饱和5至7元环的杂环。

336、根据一个实施方式，式(iii)或式(iv)的基质化合物的取代或未取代的芳族稠合环系可以包含至少≥1个至≤3个或2个取代或未取代的不饱和7元环的杂环。

337、根据一个实施方式，式(iii)或式(iv)的化合物可以包含至少≥1个至≤6个取代或未取代的芳族稠合环系，优选≥2个至≤5个取代或未取代的芳族稠合环系，更优选3个或4个取代或未取代的芳族稠合环系，其中所述芳族稠合环系包含取代或未取代的不饱和5至7元环的杂环。

338、根据一个实施方式，式(iii)或式(iv)的化合物可以包含至少≥1个至≤6个取代或未取代的芳族稠合环系，优选≥2个至≤5个取代或未取代的芳族稠合环系，更优选3个或4个取代或未取代的芳族稠合环系，所述芳族稠合环系包含取代或未取代的杂芳族环，并且其中所述芳族稠合环系包含取代或未取代的不饱和5至7元环的杂环。

339、根据一个实施方式，式(iii)或式(iv)的化合物可以包含至少≥1个至≤6个取代或未取代的芳族稠合环系，优选≥2个至≤5个取代或未取代的芳族稠合环系，更优选3个或4个取代或未取代的芳族稠合环系，其中所述芳族稠合环系包含至少≥1个至≤3个或2个取代或未取代的不饱和5至7元环的杂环。

340、根据一个实施方式，式(iii)或式(iv)的化合物可以包含至少≥1个至≤6个取代或未取代的芳族稠合环系，优选≥2个至≤5个取代或未取代的芳族稠合环系，更优选3个或4个取代或未取代的芳族稠合环系，所述芳族稠合环系包含取代或未取代的杂芳族环，并且其中所述芳族稠合环系包含至少≥1个至≤3个或2个取代或未取代的不饱和5至7元环的杂环。

341、根据一个实施方式，式(iii)或式(iv)的化合物可以包含：

342、-取代或未取代的芳族稠合环系，所述芳族稠合环系具有至少≥2个至≤6个、优选≥3个至≤5个或4个稠合芳族环，所述稠合芳族环选自：取代或未取代的非杂芳族环、取代或未取代的杂5元环、取代或未取代的6元环和/或取代或未取代的不饱和5至7元环的杂环；或者

343、-未取代的芳族稠合环系，所述芳族稠合环系具有至少≥2个至≤6个、优选≥3个至≤5个或4个稠合芳族环，所述稠合芳族环选自：未取代的非杂芳族环、未取代的杂5元环、未取代的6元环和/或未取代的不饱和5至7元环的杂环。

344、这里应注意，措辞“芳族稠合环系”可以包括至少一个芳族环和至少一个取代或未取代的不饱和5至7元环。这里应当注意，取代或未取代的不饱和5至7元环可以不是芳族环。

345、根据一个实施方式，式(iii)或式(iv)的化合物可以包含至少≥1个至≤6个、优选≥2个至≤5个或更优选3或4个取代或未取代的芳族稠合环系，所述取代或未取代的芳族稠合环系具有：

346、-至少一个不饱和5元环，和/或

347、-至少一个不饱和6元环，和/或

348、-至少一个不饱和7元环；其中优选至少一个不饱和5元环和/或至少一个不饱和7元环包含至少1个至3个、优选1个杂原子。

349、根据一个实施方式，式(iii)或式(iv)的化合物可以包含至少≥1个至≤6个、优选≥2个至≤5个或更优选3或4个取代或未取代的芳族稠合环系，所述取代或未取代的芳族稠合环系具有：

350、-至少一个芳族5元环，和/或

351、-至少一个芳族6元环，和/或

352、-至少一个芳族7元环；其中优选至少一个芳族5元环和/或至少一个芳族7元环包含至少1个至3个、优选1个杂原子；

353、其中所述取代或未取代的芳族稠合环系包含至少≥1个至≤3个或2个取代或未取代的不饱和5至7元环的杂环。

354、根据一个实施方式，式(iii)或式(iv)的化合物可以包含：

355、-至少≥6个至≤12个、优选≥7个至≤11个、更优选≥8个至≤10个或9个芳族环；和/或

356、-至少≥4个至≤11个、优选≥5个至≤10个、更优选≥6个至≤9个或此外优选7个或8个非杂芳族环，优选所述非杂芳族环是芳族c6环；和/或

357、-至少≥1个至≤4个、优选2个或3个芳族5元环，优选杂芳族5元环；和/或

358、-至少1个或2个不饱和5至7元环的杂环，优选至少1个或2个不饱和7元环的杂环；

359、-至少≥6个至≤12个、优选≥7个至≤11个、更优选≥8个至≤10个或9个芳族环；其中

360、至少≥4个至≤11个、优选≥5个至≤10个、更优选≥6个至≤9个或此外优选7个或8个是非杂芳族环，

361、至少≥1个至≤4个、优选2个或3个芳族环是杂芳族环，其中非杂芳族环和杂芳族环的总数总计不超过12个芳族环；和/或

362、-至少≥6个至≤12个、优选≥7个至≤11个、更优选≥8个至≤10个或9个芳族环；其中

363、至少≥4个至≤11个、优选≥5个至≤10个、更优选≥6个至≤9个或此外优选7个或8个是非杂芳族环，

364、至少≥1个至≤4个、优选2个或3个芳族环是杂芳族环，其中非杂芳族环和杂芳族环的总数总计不超过12个芳族环；并且

365、所述空穴传输化合物或所述根据式i的空穴传输化合物包含至少≥1个至≤4个、优选2个或3个芳族5元环，优选杂芳族5元环，和/或

366、所述空穴传输化合物或所述根据式(i)的空穴传输化合物包含至少1个或2个不饱和5至7元环的杂环，优选至少1个或2个不饱和7元环的杂环。

367、根据一个实施方式，式(iii)或式(iv)的化合物可以包含杂原子，所述杂原子可以选自o、s、n、b或p，优选所述杂原子可以选自o、s或n。

368、根据一个实施方式，式(iii)或式(iv)的基质化合物可以包含至少≥1个至≤6个、优选≥2个至≤5个或更优选3或4个取代或未取代的芳族稠合环系，所述取代或未取代的芳族稠合环系具有：

369、-至少一个芳族5元环，和/或

370、-至少一个芳族6元环，和/或

371、-至少一个芳族7元环；其中优选至少一个芳族5元环和/或至少一个芳族7元环包含至少1个至3个、优选1个杂原子；

372、其中所述取代或未取代的芳族稠合环系任选地包含至少≥1个至≤3个或2个取代或未取代的不饱和5至7元环的杂环；并且其中所述取代或未取代的芳族稠合环系包含杂原子，所述杂原子可以选自o、s、n、b、p或si，优选所述杂原子可以选自o、s或n。

373、根据一个实施方式，式(iii)或式(iv)的化合物可以不含不作为芳族环的一部分和/或不饱和7元环的一部分的杂原子，优选所述空穴传输化合物或所述根据式(i)的空穴传输化合物可以不含除作为芳族环的一部分或作为不饱和7元环的一部分的n原子以外的n原子。

374、根据一个实施方式，所述基本上共价的基质化合物包含至少一个萘基基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团和/或取代的芴基基团，其中取代基独立地选自甲基、苯基或芴基。

375、根据所述有机电子器件的一个实施方式，其中所述式(iii)或式(iv)的化合物选自k1至k16：

376、

377、

378、所述基本上共价的基质化合物可以不含htm014、htm081、htm163、htm222、el-301、htm226、htm355、htm133、htm334、htm604和el-22t。缩写表示制造商的名称，例如默克有限公司或机光科技有限公司。

379、空穴注入层

380、空穴注入层(hil)可以通过真空沉积、旋涂、印刷、流延、狭缝式模头涂布、朗缪尔-布洛杰特(lb)沉积等形成在阳极层上。当使用真空沉积形成hil时，沉积条件可以根据用于形成hil的空穴传输化合物以及hil的所期望的结构和热性质而变化。然而，一般来说，用于真空沉积的条件可以包括100℃至350℃的沉积温度、10-8托至10-3托的压力(1托等于133.322pa)以及0.1至10nm/s的沉积速率。

381、当使用旋涂或印刷形成hil时，涂覆条件可以根据用于形成hil的空穴传输化合物以及hil的所期望的结构和热性质而变化。例如，涂覆条件可以包括约2000rpm至约5000rpm的涂覆速度，以及约80℃至约200℃的热处理温度。进行涂覆之后，热处理除去溶剂。

382、所述hil可以由根据式(i)的金属络合物形成。

383、所述hil的厚度可以在约1nm至约15nm，例如约2nm至约15nm或者约2nm至约12nm的范围内。

384、当所述hil的厚度在这个范围内时，所述hil可以具有优异的空穴注入特性，而不会对驱动电压造成实质性损害。

385、根据本发明的一个实施方式，所述空穴注入层可以包含：

386、-至少约≥0.5重量％至约≤30重量％、优选约≥0.5重量％至约≤20重量％、更优选约≥15重量％至约≤1重量％的根据式(i)的金属络合物，以及

387、-至少约≥70重量％至约≤99.5重量％，优选约≥80重量％至约≤99.5重量％，更优选约≥85重量％至约≤99重量％的基本上共价的基质化合物；优选地，根据式(i)的金属络合物的重量％低于所述基本上共价的基质化合物的重量％；其中所述组分的重量％是以所述空穴注入层的总重量计。

388、优选地，所述空穴注入层可以不含离子液体、金属酞菁、cupc、hat-cn、吡嗪并[2,3-f][1,10]菲咯啉-2,3-二甲腈、f4tcnq、金属氟化物和/或金属氧化物，其中所述金属氧化物中的金属选自re和/或mo。从而，可以在适合大量生产的条件下沉积所述空穴注入层。

389、根据所述有机电子器件的一个实施方式，其中所述空穴注入层不发光。

390、应理解，所述空穴注入层不是所述阳极层的一部分。

391、空穴传输层/空穴注入层

392、根据另一个实施方式，所述有机电子器件还包含空穴传输层，其中所述空穴传输层布置在所述空穴注入层和所述至少一个发光层之间。

393、在本发明的一个实施方式中，所述空穴注入层包含基本上共价的基质化合物。

394、在本发明的一个实施方式中，所述空穴传输层包含基本上共价的基质化合物。

395、在本发明的一个实施方式中，所述空穴传输层包含基本上共价的基质化合物，其中所述空穴注入层和空穴传输层中基本上共价的基质化合物选择为相同的。

396、优选地，所述空穴注入层的基质化合物不含金属和/或离子键。

397、其它层

398、根据本发明，除了上面已经提到的层以外，所述电子器件还可以包含其它层。下面描述了各个层的示例性实施方式：

399、基底

400、所述基底可以是常用于制造电子器件如有机发光二极管的任何基底。如果要通过基底发出光，则所述基底应当是透明或半透明材料，例如玻璃基底或透明塑料基底。如果要通过顶面发出光，则所述基底既可以是透明材料又可以是不透明材料，例如玻璃基底、塑料基底、金属基底、硅基底或晶体管背板。优选地，所述基底是硅基底或晶体管背板。

401、阳极层

402、阳极层也称为阳极电极，可以通过沉积或溅射用于形成阳极层的材料而形成。用于形成阳极层的材料可以是高逸出功材料，从而促进空穴注入。所述阳极层可以是透明电极或反射电极。可以使用透明导电氧化物如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、二氧化锡(sno2)、氧化铝锌(alzo)和氧化锌(zno)来形成所述阳极层。还可以使用金属，通常使用银(ag)、金(au)或金属合金来形成所述阳极层。

403、所述阳极层可以包含两个或更多个阳极子层。

404、根据一个实施方式，所述阳极层包含第一阳极子层和第二阳极子层，其中所述第一阳极子层布置在更靠近所述基底处，所述第二阳极子层布置在更靠近阴极层处。

405、根据一个实施方式，所述阳极层可以包括包含ag或au或由其组成的第一阳极子层和包含透明导电氧化物或由其组成的第二阳极子层。

406、根据一个实施方式，所述阳极层包含第一阳极子层、第二阳极子层和第三阳极子层，其中所述第一阳极子层布置在更靠近基底处，所述第二阳极子层布置在更靠近阴极层处，所述第三阳极子层布置在基底和所述第一阳极子层之间。

407、根据一个实施方式，所述阳极层可以包括包含ag或au或由其组成的第一阳极子层、包含透明导电氧化物或由其组成的第二阳极子层以及任选的包含透明导电氧化物或由其组成的第三阳极子层。优选地，所述第一阳极子层可以包含ag或由其组成，所述第二阳极子层可以包含ito或izo或由其组成，所述第三阳极子层可以包含ito或izo或由其组成。

408、优选地，所述第一阳极子层可以包含ag或由其组成，所述第二阳极子层可以包含ito或由其组成，所述第三阳极子层可以包含ito或由其组成。

409、优选地，所述第二阳极子层和第三阳极子层中的透明导电氧化物可以选择为相同的。

410、根据一个实施方式，所述阳极层可以包括包含ag或au且厚度为100至150nm的第一阳极子层、包含透明导电氧化物或由其组成且厚度为3至20nm的第二阳极子层以及包含透明导电氧化物或由其组成且厚度为3至20nm的第三阳极子层。

411、空穴传输层

412、根据所述电子器件的一个实施方式，其中所述电子器件还包含空穴传输层，其中所述空穴传输层布置在所述空穴注入层和所述至少一个第一发光层之间。

413、所述空穴传输层可以包含基本上共价的基质化合物。根据一个实施方式，所述空穴传输层的基本上共价的基质化合物可以选自至少一种有机化合物。所述基本上共价的基质可以基本上由共价结合的c、h、o、n、s组成，任选地另外包含共价结合的b、p、as和/或se。

414、根据所述电子器件的一个实施方式，所述空穴传输层包含基本上共价的基质化合物，其中所述空穴传输层的基本上共价的基质化合物可以选自基本上由共价结合的c、h、o、n、s组成，任选地另外包含共价结合的b、p、as和/或se的有机化合物。

415、根据一个实施方式，所述空穴传输层的基本上共价的基质化合物的分子量mw可以为≥400且≤2000g/mol，优选分子量mw为≥450且≤1500g/mol，更优选分子量mw为≥500且≤1000g/mol，另外优选分子量mw为≥550且≤900g/mol，还优选分子量mw为≥600且≤800g/mol。

416、优选地，所述空穴注入层的基本上共价的基质化合物和所述空穴传输层的基本上共价的基质化合物选择为相同的。

417、根据所述电子器件的一个实施方式，其中所述电子器件的空穴传输层包含基本上共价的基质化合物，优选所述空穴注入层和空穴传输层中基本上共价的基质化合物选择为相同的。

418、所述空穴传输层(htl)可以通过真空沉积、旋涂、狭缝式模头涂布、印刷、流延、朗缪尔-布洛杰特(lb)沉积等形成在hil上。当通过真空沉积或旋涂形成所述htl时，用于沉积和涂覆的条件可以类似于用于形成hil的条件。然而，用于真空或溶液沉积的条件可以根据用于形成htl的空穴传输化合物而变化。

419、所述htl的厚度可以在约5nm至约250nm、优选约10nm至约200nm、更优选约20nm至约190nm、更优选约40nm至约180nm、更优选约60nm至约170nm、更优选约80nm至约200nm、更优选约100nm至约180nm、更优选约110nm至约140nm的范围内。

420、当所述htl的厚度在这个范围内时，htl可以具有优异的空穴传输特性，而不会对驱动电压造成实质性损害。

421、电子阻挡层

422、电子阻挡层(ebl)的功能是防止电子从发光层转移到空穴传输层，从而将电子限制在发光层。由此可以改善效率、工作电压和/或寿命。通常，所述电子阻挡层包含三芳基胺化合物。

423、如果所述电子阻挡层具有高三重态能级，则它也可以描述为三重态控制层。

424、如果使用绿色或蓝色磷光发光层，则三重态控制层的功能是减少三重态猝灭。由此，可以实现磷光发光层的更高发光效率。三重态控制层可以选自三重态能级高于相邻发光层中的磷光发光体的三重态能级的三芳基胺化合物。

425、所述电子阻挡层的厚度可以选在2nm和20nm之间。

426、光活性层(pal)

427、光活性层将电流转化成光子或将光子转化成电流。pal可以通过真空沉积、旋涂、狭缝式模头涂布、印刷、流延、lb沉积等形成在htl上。当使用真空沉积或旋涂形成pal时，沉积和涂覆条件可以与用于形成hil的条件类似。然而，沉积和涂覆条件可以根据用于形成pal的化合物而变化。所述光活性层可不包含根据式(i)的金属络合物。所述光活性层可以是发光层或吸光层。

428、发光层(eml)

429、所述至少一个第一发光层(eml)，也称为第一发光层，可以通过真空沉积、旋涂、狭缝式模头涂布、印刷、流延、lb沉积等形成在htl或ebl上。当使用真空沉积或旋涂形成eml时，用于沉积和涂覆的条件可类似于用于形成hil的条件。然而，用于沉积和涂覆的条件可以根据用于形成eml的化合物而变化。

430、根据本发明，优选所述电子器件包含一个称为“第一发光层”的发光层。然而，所述电子器件任选地包含两个发光层，其中第一层称为第一发光层，第二层称为第二发光层。

431、所述至少一个发光层(也称为第一发光层)可不含所述空穴注入层的基质化合物。

432、所述至少一个发光层可不包含根据式(i)的金属络合物。

433、所述至少一个发光层(eml)可以由主体和发光体掺杂剂的组合形成。主体的实例为alq3、4,4'-n,n'-二咔唑-联苯(htc-10)、聚(n-乙烯基咔唑)(pvk)、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn)、4,4',4"-三(咔唑-9-基)-三苯胺(tcta)、1,3,5-三(n-苯基苯并咪唑-2-基)苯(tpbi)、3-叔丁基-9,10-二-2-萘基蒽(tbadn)、二苯乙烯基亚芳基(dsa)和双(2-(2-羟基苯基)苯并噻唑)锌(zn(btz)2)。

434、所述发光体掺杂剂可以是磷光或荧光发光体。磷光发光体和经由热激活延迟荧光(tadf)机制发光的发光体因为其效率较高而可以为优选的。所述发光体可以是小分子或聚合物。

435、红色发光体掺杂剂的实例是ptoep、ir(piq)3和btp2ir(acac)，但不限于此。这些化合物是磷光发光体；然而，还可以使用红色荧光发光体掺杂剂。

436、绿色磷光发光体掺杂剂的实例是ir(ppy)3(ppy＝苯基吡啶)、ir(ppy)2(acac)、ir(mpyp)3。

437、蓝色磷光发光体掺杂剂的实例是f2irpic、(f2ppy)2ir(tmd)和ir(dfppz)3以及三芴。蓝色荧光发光体掺杂剂的实例是4,4'-双(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(dpavbi)、2,5,8,11-四叔丁基苝(tbpe)。

438、以100重量份主体计，所述发光体掺杂剂的量可以在约0.01至约50重量份的范围内。或者，所述至少一个发光层可以由发光聚合物组成。所述eml的厚度可以是约10nm至约100nm，例如约20nm至约60nm。当所述eml的厚度在这个范围内时，所述eml可以具有优异的发光，而不会对驱动电压造成实质性损害。

439、空穴阻挡层(hbl)

440、空穴阻挡层(hbl)可以通过使用真空沉积、旋涂、狭缝式模头涂布、印刷、流延、lb沉积等形成在eml上，以防止空穴扩散到etl中。当所述eml包含磷光发光体掺杂剂时，所述hbl还可以具有三重态激子阻挡功能。

441、所述hbl还可以称为辅助etl或a-etl。

442、当使用真空沉积或旋涂形成所述hbl时，用于沉积和涂覆的条件可以类似于用于形成所述hil的条件。然而，用于沉积和涂覆的条件可以根据用于形成所述hbl的化合物而变化。可以使用常用于形成hbl的任何化合物。用于形成所述hbl的化合物的实例包括二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉衍生物和三嗪衍生物。

443、所述hbl的厚度可以在约5nm至约100nm的范围内，例如约10nm至约30nm的范围内。当所述hbl的厚度在这个范围内时，所述hbl可以具有优异的空穴阻挡性能，而不会对驱动电压造成实质性损害。

444、电子传输层(etl)

445、根据本发明的电子器件还可以包含电子传输层(etl)。

446、根据本发明的另一个实施方式，所述电子传输层还可以包含吖嗪化合物，优选三嗪化合物。

447、在一个实施方式中，所述电子传输层还可以包含选自碱金属有机络合物，优选为liq的掺杂剂。

448、所述etl的厚度可以在约15nm至约50nm的范围内，例如，在约20nm至约40nm的范围内。当所述etl的厚度在这个范围内时，所述etl可以具有令人满意的电子注入特性，而不会对驱动电压造成实质性损害。

449、根据本发明的另一个实施方式，所述电子器件还可以包含空穴阻挡层和电子传输层，其中所述空穴阻挡层和所述电子传输层包含吖嗪化合物。优选地，所述吖嗪化合物是三嗪化合物。

450、电子注入层(eil)

451、可以在所述etl上，优选直接在所述电子传输层上形成能促进电子从阴极注入的任选的eil。用于形成eil的材料的实例包括本领域已知的8-羟基喹啉锂(liq)、lif、nacl、csf、li2o、bao、ca、ba、yb、mg。用于形成所述eil的沉积和涂覆条件类似于用于形成所述hil的条件，但沉积和涂覆条件可以根据用于形成所述eil的材料而变化。

452、所述eil的厚度可以在约0.1nm至约10nm的范围内，例如，在约0.5nm至约9nm的范围内。当所述eil的厚度在这个范围内时，所述eil可以具有令人满意的电子注入特性，而不会对驱动电压造成实质性损害。

453、阴极层

454、在所述etl或任选的eil上形成阴极层。所述阴极层可以由金属、合金、导电化合物或其混合物形成。所述阴极层可以具有低逸出功。例如，所述阴极层可以由锂(li)、镁(mg)、铝(al)、铝(al)-锂(li)、钙(ca)、钡(ba)、镱(yb)、镁(mg)-铟(in)、镁(mg)-银(ag)等形成。或者，所述阴极层可以由透明导电氧化物如ito或izo形成。

455、所述阴极层的厚度可以在约5nm至约1000nm的范围内，例如，在约10nm至约100nm的范围内。当所述阴极层的厚度在约5nm至约50nm的范围内时，所述阴极层即使由金属或金属合金形成也可以是透明或半透明的。

456、应理解，所述阴极层不是电子注入层或电子传输层的一部分。

457、有机电子器件

458、根据本发明的另一个方面，提供了一种有机电子器件，其中所述有机电子器件包含式i的化合物。

459、根据本发明的一个实施方式，所述有机电子器件选自发光器件、薄膜晶体管、电池、显示器件或光伏电池，优选发光器件，优选所述电子器件是显示装置或照明装置的一部分。

460、根据一个实施方式，所述有机电子器件包含半导体材料，其中至少一种半导体材料包含由式i表示的化合物。

461、根据一个实施方式，所述有机电子器件包含半导体材料，其中至少一种半导体材料包含由式i表示的化合物，其中所述有机电子器件是发光器件、薄膜晶体管、电池、显示器件或光伏电池，优选发光器件，优选所述电子器件是显示装置或照明装置的一部分。

462、制造方法

463、根据另一个方面，提供了一种制造电子器件的方法，所述方法使用：

464、-至少一个沉积源，优选两个沉积源，更优选至少三个沉积源。

465、合适的沉积方法可包括：

466、-经由真空热蒸发进行沉积；

467、-经由溶液加工进行沉积，优选所述加工可以选自旋涂、印刷、流延；和/或

468、-狭缝式模头涂布。

469、根据各个实施方式，提供了一种方法，所述方法使用：

470、-第一沉积源来释放所述基质化合物，以及

471、-第二沉积源来释放根据式(i)的金属络合物(也称为金属络合物)。

472、所述方法包括形成所述空穴注入层的步骤；其中对于电子器件：

473、-通过从所述第一沉积源释放根据本发明的基质化合物以及从所述第二沉积源释放根据式(i)的金属络合物(也称为金属络合物)来形成所述空穴注入层。

474、油墨制剂

475、根据本发明的另一个方面，提供了一种油墨制剂，其中所述油墨制剂包含至少一种式i的化合物。

476、根据一个实施方式，所述油墨制剂包含溶剂。所述油墨制剂的溶剂可以选自苯甲醚和/或苯甲腈，优选其为苯甲醚与苯甲腈的混合物。

477、根据一个实施方式，所述苯甲醚与苯甲腈的混合物是5:1至1:5、4:1至1:4、3:1至1:3、2:1至1:2或1:1；优选为苯甲醚与苯甲腈的5:1混合物。

478、式(v)的化合物

479、根据本发明的另一个方面，提供了一种由式(v)表示的化合物：

480、其中

481、r1选自式d69

482、

483、r2选自cn、c1至c4烷基、部分氟化或全氟化的c1至c4烷基或f；

484、r3独立地选自取代的c1至c12烷基，其中

485、至少一个取代基选自f、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分或完全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中

486、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自f、cn、c1至c6烷基、cf3。

487、所述式(v)化合物可以用作可用于有机电子器件中的金属络合物的配体。

488、r2优选选自cn、ch3、cf3、c2f5、c3f7或f，优选cn、ch3、cf3、c2f5或c3f7，更优选cn、ch3或cf3。

489、优选地，式(v)化合物选自式l1至l8：

490、

491、更优选式(v)化合物选自式l1至l6。

492、下文参考实施例更详细地说明了实施方式。然而，本公开不限于以下实施例。现将详细参考示例性方面。