化合物、包含化合物的半导体层和有机电子器件的制作方法

文档序号:37803523发布日期:2024-04-30 17:13阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种化合物,所述化合物选自:

2.根据权利要求1所述的由式(i)表示的化合物,其中不包括化合物a1至a12:

3.根据权利要求1或2所述的由式(i)表示的化合物,其中r2选自cn、ch3、cf3、c2f5、c3f7或f,优选cn、ch3、cf3、c2f5或c3f7;更优选cn、ch3或cf3。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的由式(i)表示的化合物,其中r1和/或r3选自取代的c6至c24芳基或取代的c2至c24杂芳基基团,其中所述取代的c6至c24芳基或取代的c2至c24杂芳基基团的至少一个取代基或至少两个取代基选自cn或者部分或完全氟化的c1至c12烷基,优选部分或完全氟化的c1至c4烷基。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的由式(i)表示的化合物,其中所述式(i)的化合物包含至少一个cf3基团,优选至少两个cf3基团,更优选至少三个cf3基团,此外优选至少四个cf3基团,或至少两个cf3基团和至少一个c2f5,或至少两个cf3基团和至少一个选自cn、f或ch3的基团。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的由式(i)表示的化合物,其中r1和/或r3中的至少一个是取代或未取代的c6至c24芳基或包含至少6个成环原子的取代的c2至c24杂芳基基团并选自下式d1至d71,任选地,r3选自下式d1至d34和d36至d71:

7.根据权利要求1至6中任一项所述的由式(i)表示的化合物,其中所述由式i表示的化合物选自下式e1至e20:

8.根据权利要求1至7中任一项所述的由式(i)表示的化合物,其中所述由式i表示的化合物选自下式g1至g8:

9.根据权利要求1至8中任一项所述的由式(i)表示的化合物,其中l选自h2o、c2至c40单齿或多齿醚和c2至c40硫醚、c2至c40胺、c2至c40膦、c2至c20烷基腈或c2至c40芳基腈,或者根据式(ii)的化合物;

10.根据权利要求1至9中任一项所述的由式(i)表示的化合物,其中

11.根据权利要求1至10中任一项所述的由式(i)表示的化合物,其中至少一个r1或r3或者r1和r3选自包含至少6个成环原子的取代的c2至c24杂芳基基团,其中包含至少6个成环原子的所述c2至c24杂芳基基团选自吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基。

12.根据权利要求1所述的由式(v)表示的化合物,其中所述式(v)的化合物选自式l1至l8:

13.一种半导体材料,所述半导体材料包含至少一种根据前述权利要求1至12中任一项所述的式(i)的化合物或式(v)的化合物。

14.根据权利要求13所述的半导体材料,其中所述半导体材料还包含至少一种共价基质化合物,优选至少一种基本上共价的基质化合物。

15.一种有机电子器件,所述有机电子器件包含根据权利要求1至12中任一项所述的式(i)的化合物或式(v)的化合物,其中所述有机电子器件优选为发光器件、薄膜晶体管、电池、显示器件或光伏电池,优选发光器件,优选所述电子器件是显示装置或照明装置的一部分。

16.一种有机电子器件,所述有机电子器件包含根据权利要求13或14所述的半导体材料,其中所述有机电子器件优选为发光器件、薄膜晶体管、电池、显示器件或光伏电池,优选发光器件,优选所述电子器件是显示装置或照明装置的一部分。


技术总结
本发明涉及一种化合物,所述化合物由式(I)或式(V)表示,其中M是Cu、Zn、Al、Hf。

技术研发人员:弗拉迪米尔·乌瓦罗夫,斯特芬·维尔曼,乌尔里希·赫格曼
受保护的技术使用者:诺瓦尔德股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/4/29
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