专利名称：磷光发光材料的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种有机电激发光材料(OrganicElectroluminescent material)，且特别是有关于一种磷光发光材料(Phosphorescent material)。
有机发光二极管的基本结构包含玻璃基底、金属电极、氧化铟锡(ITO)电极以及有机电激发光层(Organic Electroluminescent(OEL)Layer)，而有机发光二极管的基本发光原理为以金属电极为阴极，而以氧化铟锡电极为阳极，当一顺向偏压加诸于两极之间时，电子与电洞分别由金属电极与氧化铟锡电极接口，注入发光层，两种载子在发光层中相遇，经由辐射性结合(Radiative Recombination)的方式产生光子(Photon)，即达到放光现象。此外，因电子的传导速率高于电洞的传导速率，为了达到电子与电洞传导平衡参数约为1的条件，可在氧化铟锡电极与发光层间形成电洞注入层(Hole Injection Layer，HIL)与电洞传导层(Hole Transport Layer，HTL)，并在发光层与金属电极间形成电子注入层(Electron Inection Layer，EIL)与电子传导层(ElectronTransport Layer，ETL)，使载子可因材质的差异性，达到电子与电洞注入/传输平衡。
在有机发光二极管中，有机发光层材料的选择主要有小分子染料与高分子聚合物两种，但两者的基本原理相同。有机发光二极管的发光机制取决于有机发光层材料分子的荧光形成机制。当分子吸收适当的能量时，其位于基态(Ground State)的电子会被激发至激态(ExcitedState)，此时位于激态的电子称之为激子(Exciton)、而激子会衰减回到基态，并以不同的形式释出能量(光或热)。如在衰减时能量以光的形式释出，则会产生荧光(Fluorescence)或磷光(Phosphorescence)。一般稳定分子均具有偶数电子，即所有的电子均成对且异向自旋，其能量则处于基态，称之为单一基态(Singlet Ground State，S0)。当分子吸收适当的能量，则S0中的电子被激发至较高的单一激态(Singlet ExcitedState，S1)，或透过系统跨越(Inter System Crossing，ISC)而处于三重激态(Excited Triplet State，T1)，对具有荧光特性的分子而言，位于单一激态S1的电子极易以辐射(Radiative)方式返回基态的任一震动能阶而放出荧光；而从三重激态T1返回基态者，则会放出磷光，且磷光具有发光效率较荧光高的优点。
公知的一种用于上述有机发光层的磷光发光材料例如是β-丙双酮(β-diketonate)三价金属错合物，此种错合物的化学式为ML13，其中M为三价金属离子，配位体L1为β-丙双酮。因为此种错合物对溶剂的溶解性很差，所以加工性很差难以制成薄膜。因此，公知一种改善此种β-丙双酮三价金属错合物溶解性的方法是，在此种错合物中引入另一个配位体，例如，国际专利申请案WO00/32718号专利案所揭示的Tb(TMHD)3-OPNP错合物三(2，2，6，6，-四甲基-3，5-庚烷二酮基)铽(III)二苯基亚磷醯三苯基正膦(Tris(2，2，6，6，-tetramethyl-3，5-heptanedionato)Terbium(III)diphenylphosphonimide tris-phenyl phosphorane，Tb(TMHD)3-OPNP)，如结构式(I)所示 使用上述Tb(TMHD)3-OPNP错合物作为有机发光二极管的有机发光层时，通常是利用蒸镀的方式使Tb(TMHD)3-OPNP错合物形成薄膜。然而Tb(TMHD)3-OPNP错合物的熔点很高(246℃至248℃左右)，以蒸镀的方式形成薄膜就需要在较高的温度，而会面临制作成本偏高的问题。
因此，本发明的又一目的在于提供一种磷光发光材料，此种材料的溶解性较佳，可溶解于有机溶剂中，并可利用旋涂的方式形成薄膜，具有良好加工性。
为达上述目的，本发明提出一种磷光发光材料，此种磷光发光材料的简式为M(L1)3L2，包括由三价稀土族金属离子(M)与三个双酮配位体(Ligand 1，L1)、亚砜(sulfoxide)配位体(Ligand 2，L2)所形成的错合物。
其中，双酮配位体(Ligand 1，L1)可为d-乙双酮配位体、β-丙双酮配位体或γ-丁双酮配位体。
若双酮配位体(Ligand 1，L1)为β-丙双酮配位体，则此种磷光发光材料的结构式(II)如下
上述结构式中，M为三价稀土族(Rare Earth Group)金属离子，例如是镧La(III)、钐Sm(III)、铕Eu(III)、铽Tb(III)、镝Dy(III)、铒Yb(III)、鐪Lu(III)、钆Gd(m)等。
在β-丙双酮配位体中，R1、R3例如是氢、经取代烷基、未取代烷基、芳基或杂环基。其中，烷基可以是碳数1至8的直链状或分枝链状的烷基，例如是甲基(methyl)、乙基(ethyl)、丙基(propyl)、异丙基(isopropyl)、丁基(butyl)、戊基(pentyl)等；芳基(aryl)可以是碳数6至14的芳基例如是苯基(phenyl)、甲苯基(tolyl)、二甲苯基(xylyl)、乙苯基等；杂环基例如是吡啶基(pyridyl)、咪唑基(imidazolyl)、呋喃基(furyl)或噻吩基(thenoyl)等。当然R1、R3的烷基、芳基或杂环基可以利用卤素、氰基或烷氧基(alkoxy)等取代，例如是氯、甲氧基等，且R1与R3可为相同或不同，R2为氢。
β-丙双酮配位体例如是乙醯基丙酮(acetyl acetone)、2，2，6，6，-四甲基-3，5-庚烷二酮(tri(2，2，6，6，-tetramethyl-3，5-heptanedione)、二苯甲醯基甲烷(dibenzoyl methane)、二萘甲醯基甲烷(dinathphoyl methane)、苯甲醯基丙酮(benzoyl acetone)、噻吩甲醯基三氟化丙酮(thenoyltrifluoroacetone)、1，3-二-(2-呋喃基)-1，3-丙烷双酮(1，3-di-(2-furyl)-1，3-propanedione)、萘甲醯基三氟化丙酮(nathphoyltrifluoroacetone)等。
γ-丁双酮配位体例如是2(4′-甲氧基苯甲醯)苯甲酸盐。
在亚砜(sulfoxide)配位体(Ligand 2，L2)中，R4、R5例如是经取代烷基、未取代烷基或芳基。其中烷基可以是碳数1至8的直链状或分枝链状的烷基例如是甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、戊基等；芳基可以是碳数6至14的芳基例如是苯基、甲苯基、二甲苯基、乙苯基等。当然R4、R5的烷基或芳基可以利用卤素、氰基或烷氧基(alkoxy)等取代，例如是氯、甲氧基等，且R4与R5可为相同或不同。
亚砜配位体例如是二甲基亚砜(dimethyl sulfoxide，DMSO)、二乙基亚砜(diethyl sulfoxide，DESO)二丙基亚砜(dipropyl sulfoxide，DPrSO)、二丁基亚砜(dibutyl sulfoxide，DBuSO)、二戊基亚砜(dipentylsulfoxide，DPeSO)、二己基亚砜(dihexyl sulfoxide，DHSO)、二苯基亚砜(diphenyl sulfoxide，DPSO)、甲基乙基亚砜(methyl ethyl sulfoxide，MPSO)、甲基丙基亚砜(methyl propyl sulfoxide，MPrSO)、甲基丁基亚砜(methyl butyl sulfoxide，MBSO)、乙基丙基亚砜(ethyl propylsulfoxide，EPrSO)、乙基丁基亚砜(ethyl butyl sulfoxide，EBSO)、丙基丁基亚砜(propyl butyl sulfoxide，PrBSO)、甲基苯基亚砜(methylphenyl sulfoxide，MPSO)、乙基苯基亚砜(ethyl phenyl sulfoxide，EPSO)、丙基苯基亚砜(propyl phenyl sulfoxide，PrPSO)、丁基苯基亚砜(butyl phenyl sulfoxide，BPSO)、甲基甲苯基亚砜(methyl tolylsulfoxide，MTSO)、乙基甲苯基亚砜(ethyl tolyl sulfoxide，ETSO)、丙基甲苯基亚砜(propyl tolyl sulfoxide，PrTSO)、丁基甲苯基亚砜(butyltolyl sulfoxide，BTSO)、甲基二甲苯基亚砜(methyl xylyl sulfoxide，MXSO)、乙基二甲苯基亚砜(ethyl xylyl sulfoxide，EXSO)、丙基二甲苯基亚砜(propyl xylyl sulfoxide，PrXSO)、丁基二甲苯基亚砜(butylxylyl sulfoxide，BXSO)等碳数1至8的烷基或碳数6至14的芳基的对称或不对称的亚砜。
本发明于双酮三价稀土族金属离子错合物中加入亚砜配位体形成双酮亚砜三价稀土族金属离子错合物，可以提高错合物对有机溶剂的溶解度，并降低错合物的熔点，而增加其加工性。
双酮亚砜三价稀土族金属离子错合物可以利用简式为M(L1)3L2表示。其中M表示为三价稀土族金属离子，L1为双酮配位体，L2为亚砜配位体。
其中双酮配位体(Ligand 1，L1)可为d-乙双酮配位体、β-丙双酮配位体或γ-丁双酮配位体。
若双酮配位体(Ligand 1，L1)为β-丙双酮配位体，则此种错合物可利用结构式(II)表示 其中M为三价稀土族金属离子，例如是镧La(III)、钐Sm(III)、铕Eu(III)、铽Tb(III)、镝Dy(III)、铒Yb(III)、鐪Lu(III)、钆Gd(III)等。
在β-丙双酮配位体中，R1、R3例如是氢基、经取代烷基、未取代烷基、芳基或杂环基。其中烷基可以是碳数1至8的直链状或分枝链状的烷基例如是甲基、乙基、丙基、异丙基等，芳基可以是碳数6至14的芳基例如是苯基、甲苯基、二甲苯基、乙苯基等，杂环基例如是吡啶基(pyridyl)、咪唑基(imidazolyl)、呋喃基(furyl)或噻吩基(thenoyl)等。当然R1、R3的烷基、芳基或杂环基可以利用卤素、氰基或烷氧基(alkoxy)等取代，例如是氯、甲氧基等，且R1与R3可为相同或不同，R2为氢。
在亚砜(sulfoxide)配位体(Ligand 2，L2)中，R4、R5例如是经取代烷基、未取代烷基、芳基或杂环基。其中烷基可以是碳数1至8的直链状或分枝链状的烷基例如是甲基、乙基、丙基、异丙基等，芳基可以是碳数6至14的芳基例如是苯基、甲苯基、二甲苯基、乙苯基等等。当然R4、R5的烷基或芳基可以利用卤素、氰基或烷氧基(alkoxy)等取代，例如是氯、甲氧基等，且R4与R5可为相同或不同。
本发明所揭示的磷光发光材料的制造方法，以β-丙双酮亚砜三价稀土族金属离子错合物为例子，例如是由相同摩尔数的亚砜配位体与β-丙双酮三价稀土族金属离子错合物进行配位反应而形成。首先，使亚砜配位体溶解于二氯甲烷/乙腈溶液中，再加入β-丙双酮三价稀土族金属离子错合物并通入氮气，加热回流2小时。自然降至室温，再抽干溶剂至原来溶液的一半，即有沉淀出现。过滤沉淀物之后，将沉淀物再结晶即可得到β-丙双酮亚砜三价稀土族金属离子错合物。
上述β-丙双酮三价稀土族金属离子错合物例如是三(乙醯基丙酮基)铽(III)错合物(tri(acetylacetonato)Terbium(III)，Tb(AcA)3)、三(2，2，6，6，-四甲基-3，5-庚烷二酮基)铽(III)错合物(tri(2，2，6，6，-tetramethyl-3，5-heptanedionate)Terbium(III)，Tb(TMHD)3)、三(二苯甲醯基甲烷)铽(III)错合物(tri(dibenzoylmethane)Terbium(III)，Tb(DBM)3)、三(二甲醯基甲烷)铽(III)错合物(tri(dinathphoylmethane)Terbium(III)，Tb(DNM)3)、三(苯甲醯基丙酮)铽(III)错合物(tri(benzoylacetone)Terbium(III)，Tb(BAc)3)、三(噻吩甲醯基三氟化丙酮基)铽(III)错合物(tri(thenoyltrifluoroacetonato)Terbium(III)，Ttb(TTA)3)、三(1，3-二-(2-呋喃基-1，3-丙烷双酮)铽(III)错合物(tri(1，3-di-(2-furyl)-1，3-propanedione)Terbium(III)，Tb(DFP)3)、三(萘甲醯基三氟化丙酮)铽(III)错合物(tri(nathphoyltrifluoroacetonato)Terbium(III)，Tb(NTA)3)、三(乙醯基丙酮基)铕(III)错合物(tri(acetylacetonato)Europium(III)，Eu(AcA)3)、三(2，2，6，6，-四甲基-3，5-庚烷二酮基)铕(III)错合物(tri(2，2，6，6，-tetramethyl-3，5-heptanedionate)Europium(III)，Eu(TMHD)3)、三(二苯甲醯基甲烷)铕(III)错合物(tri(dibenzoylmethane)Europium(III)，Tb(DBM)3)、三(二萘甲醯基甲烷)铕(III)错合物(tri(dinathphoylmethane)Europium(III)，Eu(DNM)3)、三(苯甲醯基丙酮)铕(III)错合物(tri(benzoylacetone)Europium(III)，Eu(BAc)3)、三(噻吩甲醯基三氟化丙酮基)铕(III)错合物(tri(thenoyltrifluoroacetonato)Europium(III)，Eu(TTA)3)、三(1，3-二-(2-呋喃基-1，3-丙烷双酮)铕(III)错合物(tri(1，3-di-(2-furyl)-1，3-propanedione)Europium(III)，Eu(DFP)3)、三(甲醯基三氟化丙酮)铕(III)错合物(tri(nathphoyltrifluoroacetonato)Europium(III)，Eu(NTA)3)等或镧La(III)、钐Sm(III)、镝Dy(III)、铒Yb(III)、鐪Lu(III)、钆Gd(III)等的β-丙双酮三价金属离子错合物。
上述的亚砜配位体例如是二甲基亚砜(dimethyl sulfoxide，DMSO)、二乙基亚砜(diethyl sulfoxide，DESO)二丙基亚砜(dipropylsulfoxide，DPrSO)、二丁基亚砜(dibutyl sulfoxide，DBuSO)、二戊基亚砜(dipentyl sulfoxide，DPeSO)、二己基亚砜(dihexyl sulfoxide，DHSO)、二苯基亚砜(diphenyl sulfoxide，DPSO)、甲基乙基亚砜(methylethyl sulfoxide，MPSO)、甲基丙基亚砜(methyl propyl sulfoxide，MPrSO)、甲基丁基亚砜(methyl butyl sulfoxide，MBSO)、乙基丙基亚砜(ethyl propyl sulfoxide，EPrSO)、乙基丁基亚砜(ethyl butyl sulfoxide，EBSO)、丙基丁基亚砜(propyl butyl sulfoxide，PrBSO)、甲基苯基亚砜(methyl phenyl sulfoxide，MPSO)、乙基苯基亚砜(ethyl phenylsulfoxide，EPSO)、丙基苯基亚砜(propyl phenyl sulfoxide，PrPSO)、丁基苯基亚砜(butyl phenyl sulfoxide，BPSO)、甲基甲苯基亚砜(methyltolyl sulfoxide，MTSO)、乙基甲苯基亚砜(ethyl tolyl sulfoxide，ETSO)、丙基甲苯基亚砜(propyl tolyl sulfoxide，PrTSO)、丁基甲苯基亚砜(butyltolyl sulfoxide，BTSO)、甲基二甲苯基亚砜(methyl xylyl sulfoxide，MXSO)、乙基二甲苯基亚砜(ethyl xylyl sulfoxide，EXSO)、丙基二甲苯基亚砜(propyl xylyl sulfoxide，PrXSO)、丁基二甲苯基亚砜(butylxylyl sulfoxide，BXSO)等碳数1至8之烷基或芳基的对称或不对称的亚砜。
为更详细的说明本发明，特举出β-丙双酮亚砜三价稀土族金属离子错合物的实施例1[三(2，2，6，6，-四甲基-3，5-庚烷二酮基)二甲基亚砜三价铽金属离子错合物(tri(2，2，6，6，-tetramethyl-3，5-heptanedionate)Tb(III)dimethyl sulfoxide，Tb(TMHD)3-DMSO)]、实施例2[三(2，2，6，6，-四甲基-3，5-庚烷二酮)甲基苯基亚砜三价铽金属离子错合物(tri(2，2，6，6，-tetramethyl-3，5-heptanedionate)Tb(III)methyl phenylsulfoxide，Tb(TMHD)3-MPSO)]与实施例3[三(2，2，6，6，-四甲基-3，5-庚烷二酮)二苯基亚砜三价铽金属离子错合物(tri(2，2，6，6，-tetramethyl-3，5-heptanedionate)Tb(III)diphenyl sulfoxide，Tb(TMHD)3-DPSO)]，并以三(2，2，6，6，-四甲基-3，5-庚烷二酮基)三价铽金属离子错合物(Tris(2，2，6，6，-tetramethyl-3，5-heptanedionato)Terbium(III)，Tb(TMHD)3)作为比较例1，三(2，2，6，6，-四甲基-3，5-庚烷二酮基)二苯基亚磷醯三苯基正膦三价铽金属离子错合物(Tris(2，2，6，6，-tetramethyl-3，5-heptanedionato)Terbium(III)diphenylphosponimide tris-phenyl phosphorane，Tb(TMHD)3-OPNP)作为比较例2。
实施例1<Tb(TMHD)3-DMSO)的合成>
取二甲基亚砜(dimethyl sulfoxide)1.0毫摩尔(mmole)溶解于二氯甲烷/乙腈溶液中，其中二氯甲烷/乙腈溶液的摩尔比率为1∶1。之后，将含有二甲基亚砜的二氯甲烷/乙腈溶液置于反应容器中，再加入1.0毫摩尔(mmole)的三(2，2，6，6，-四甲基-3，5-庚烷二酮)三价铽金属离子错合物(tri(2，2，6，6，-tetramethyl-3，5-heptanedionate)Tb(III)，Tb(TMHD)3)于反应容器中，并通入氮气。接着，加热回流2小时后，自然降至室温，再利用回旋浓缩机(Rotary Vacuum Evaporator)抽干溶剂至原来溶液的一半，即有沉淀出现。过滤沉淀物之后，将沉淀物以甲基环己烷(methylcyclohexane)再结晶即可得到Tb(TMHD)3-DMSO)错合物。
实施例2<Tb(TMHD)3-MPSO)的合成>
取甲基苯基亚砜(methyl phenyl sulfoxide)1.0毫摩尔(mmole)溶解于二氯甲烷/乙腈溶液中，其中二氯甲烷/乙腈溶液的摩尔比率为1∶1。之后，将含有甲基苯基亚砜的二氯甲烷/乙腈溶液置于反应容器中，再加入1.0毫摩尔(mmole)的三(2，2，6，6，-四甲基-3，5-庚烷二酮)三价铽金属离子错合物(tri(2，2，6，6，-tetramethyl-3，5-heptanedionate)Tb(III)，Tb(TMHD)3)于反应容器中，并通入氮气。接着，加热回流2小时后，自然降至室温，再利用回旋浓缩机抽干溶剂至原来溶液的一半，即有沉淀出现。过滤沉淀物之后，将沉淀物以乙腈再结晶即可得到Tb(TMHD)3-MPSO)错合物。
实施例3<Tb(TMHD)3-DPSO)的合成>
取二苯基亚砜(diphenyl sulfoxide)1.0毫摩尔(mmole)溶解于二氯甲烷/乙腈溶液中，其中二氯甲烷/乙腈溶液的摩尔比率为1∶1。之后，将含有二苯基亚砜的二氯甲烷/乙腈溶液置于反应容器中，再加入1.0毫摩尔(mmole)的三(2，2，6，6，-四甲基-3，5-庚烷二酮)三价铽金属离子错合物(tri(2，2，6，6，-tetramethyl-3，5-heptanedionate)Tb(III)，Tb(TMHD)3)于反应容器中，并通入氮气。接着，加热回流2小时后，自然降至室温，再利用回旋浓缩机抽干溶剂至原来溶液的一半，即有沉淀出现。过滤沉淀物之后，将沉淀物以乙腈再结晶即可得到Tb(TMHD)3-DPSO)错合物。
比较例1<Tb(TMHD)3错合物>
购自Strem Chemistry公司，试药级纯度99％，熔点155℃至156℃。
比较例2<Tb(TMHD)3-OPNP)的合成>
取二苯基亚磷醯三苯基正膦盐(diphenyl phosphonimidetris-phenyl phosphorane，OPNP)1.0毫摩尔(mmole)溶解于二氯甲烷溶液中。之后，将含有二苯基亚磷醯三苯基正膦盐(diphenylphosphonimide tris-phenyl phosphorane，OPNP)的二氯甲烷溶液置于反应容器中，再加入1.0毫摩尔(mmole)的三(2，2，6，6，-四甲基-3，5-庚烷二酮)三价铽金属离子错合物(tri(2，2，6，6，-tetramethyl-3，5-heptanedionate)Tb(III)，Tb(TMHD)3)于反应容器中，并通入氮气。接着，加热回流2小时后，自然降至室温，溶液中无沉淀出现。加入2，2，4-三甲基戊烷，则产生沉淀。过滤沉淀物之后，将滤液静制一天后，即有晶体出现，再进行过滤步骤即可得到Tb(TMHD)3-NPOP)错合物晶体。
<溶解度测试>
取1mg毫克的Tb(TMHD)3-DMSO、Tb(TMHD)3-MPSO、Tb(TMHD)3-DPSO)]、Tb(TMHD)3、Tb(TMHD)3-OPNP于室温(25℃)下，各自溶于下列有机溶液中包括二氯甲烷(dichloromethane)、乙(acetone nitrile)、甲苯(toluene)、乙酸乙酯(ethyl acetate)、己烷(hexane)、甲基环己烷(methyl cyclohexane)、甲醇(methanol)、甲基乙基酮(methylethyl ketone)、乙醚(ether)等，其结果如表一所示。
表一
<溶点测试>
使用Mettler Toledo DSC-821示差扫描热量计(DifferentialScanning Calorimeter，DSC)以10℃/分钟的升温及降温速率测定出Tb(TMHD)3-DMSO、Tb(TMHD)3-MPSO、Tb(TMHD)3-DPSO、Tb(TMHD)3以及Tb(TMHD)3-OPNP的熔点。其结果如表二所示。
<相对量子产率测试>
Tb(TMHD)3-DMSO、Tb(TMHD)3-MPSO、Tb(TMHD)3-DPSO以及Tb(TMHD)3-OPNP的相对量子产率测试，是以Tb(TMHD)3为标准样品来比较，其作法如下取适量的Tb(TMHD)3-DMSO、Tb(TMHD)3-MPSO、Tb(TMHD)3-DPSO、Tb(TMHD)3以及Tb(TMHD)3-OPNP溶于二氯甲烷溶剂中，调配成紫外-可见光(UV-Vis)的吸收的光学密度(opticaldensity，OD)为0.5的稀释溶液(使用仪器Hitachi UV-Visspectrophotometer 3010)。再测量各个样品与标准样品的液态荧光(使用仪器Hitachi fluorescence spectrophotometer F-4500)并使用相对量子产率公式求出各个样品的相对量子产率。
(Φs/Φst)＝(As/Ast)×(ODst/ODs)×(Qst/Qs)×100％Φs样品的荧光量子产率Φst标准样品的荧光量子产率As样品在荧光光谱曲线下所围成的面积Ast标准样品在荧光光谱曲线下所围成的面积ODs样品在UV-Vis下最大波长λmax的吸收度
ODst标准样品在UV-Vis下最大波长λmax的吸收度Qs荧光激发光源对样品所提供的光量子数目Qst荧光激发光源对标准样品所提供的光量子数目若在光源强度相同的情况下，Qst/Qs＝1。所以在保持光源强度相同下，直接读取荧光积分面积及UV-Vis的OD值，即可求出相对量子产率。各个样品的相量子产率以及UV-Vis下最大波长λmax如表二所示。
表二
由上述表一的结果所示，本发明的Tb(TMHD)3-DMSO、Tb(TMHD)3-MPSO以及Tb(TMHD)3-DPSO与Tb(TMHD)3相比较，可溶解于较多种的有机溶剂，因此对于有机溶剂有较高的溶解性，可利用旋涂的方式形成薄膜。
由上述表二的结果所示，本发明的Tb(TMHD)3-DMSO、Tb(TMHD)3-MPSO以及Tb(TMHD)3-DPSO的熔点皆较Tb(TMHD)3-OPNP低，因此利用蒸镀形成薄膜时，不需要较高的温度，而可节省成本。
而且，本发明的Tb(TMHD)3-DMSO、Tb(TMHD)3-MPSO以及Tb(TMHD)3-DPSO相对量子产率也较Tb(TMHD)3-OPNP高。
本发明的优点为在双酮三价稀土族金属离子错合物中引入亚砜配位体形成双酮亚砜三价稀土族金属离子错合物，可以提高错合物对有机溶剂的溶解度，并降低错合物的熔点，而增加其加工性。
权利要求
1.一种磷光发光材料，其特征是，该磷光发光材料的化学式为M(L1)3L2；其中，M为一三价稀土族金属离子；L1为一双酮配位体；以及L2为一亚砜配位体。
2.如权利要求1所述的磷光发光材料，其特征是，该三价稀土族金属离子选自镧La(III)、钐Sm(III)、铕Eu(III)、铽Tb(III)、镝Dy(III)、铒Yb(III)、鐪Lu(III)与钆Gd(III)所组成的族群。
3.如权利要求1所述的磷光发光材料，其特征是，该双酮配位体选自α-乙双酮配位体、β-丙双酮配位体与γ-丁双酮配位体所组成的族群。
4.如权利要求3所述的磷光发光材料，其特征是，该β-丙双酮配位体的结构式如下 R2为氢，R1与R3可为相同或不同，且R1与R3选自氢、经取代烷基、未取代烷基、芳基与杂环基所组成的族群。
5.如权利要求4所述的磷光发光材料，其特征是，未取代烷基选自碳数1至8的直链状与碳数1至8的分枝链状的烷基所组成的族群。
6.如权利要求4所述的磷光发光材料，其特征是，经取代烷基的取代基包括卤素。
7.如权利要求4所述的磷光发光材料，其特征是，经取代烷基的取代基包括氰基。
8.如权利要求4所述的磷光发光材料，其特征是，经取代烷基的取代基包括烷氧基。
9.如权利要求4所述的磷光发光材料，其特征是，芳基包括碳数6至14的芳基。
10.如权利要求4所述的磷光发光材料，其特征是，杂环基包括吡啶基。
11.如权利要求4所述的磷光发光材料，其特征是，杂环基包括咪唑基。
12.如权利要求4所述的磷光发光材料，其特征是，杂环基包括呋喃基。
13.如权利要求4所述的磷光发光材料，其特征是，杂环基包括噻吩基。
14.如权利要求1所述的磷光发光材料，其特征是，该亚砜配位体的结构式如下 R4与R5可为相同或不同，且R4与R5选自氢、经取代烷基、未取代烷基、芳基与杂环基所组成的族群。
15.如权利要求14所述的磷光发光材料，其特征是，烷基选自碳数1至8的直链状与碳数1至8的分枝链状的烷基所组成的族群。
16.如权利要求14所述的磷光发光材料，其特征是，芳基包括碳数6至14的芳基。
17.如权利要求4所述的磷光发光材料，其特征是，该β-丙双酮配位体包括乙醯基丙酮。
18.如权利要求4所述的磷光发光材料，其特征是，该β-丙双酮配位体包括2，2，6，6-四甲基-3，5-庚烷二酮。
19.如权利要求4所述的磷光发光材料，其特征是，该β-丙双酮配位体包括二苯甲醯基甲烷。
20.如权利要求4所述的磷光发光材料，其特征是，该β-丙双酮配位体包括二萘甲醯基甲烷。
21.如权利要求4所述的磷光发光材料，其特征是，该β-丙双酮配位体包括苯甲醯基丙酮。
22.如权利要求4所述的磷光发光材料，其特征是，该β-丙双酮配位体包括噻吩甲醯基三氟化丙酮。
23.如权利要求4所述的磷光发光材料，其特征是，该β-丙双酮配位体包括1，3-二-(2-呋喃基)-1，3-丙烷双酮。
24.如权利要求4所述的磷光发光材料，其特征是，该β-丙双酮配位体包括萘甲醯基三氟化丙酮。
25.如权利要求14所述的磷光发光材料，其特征是，该亚砜配位体系选自二甲基亚砜、二乙基亚砜、二丙基亚砜、二丁基亚砜、二戊基亚砜、二己基亚砜、二苯基亚砜、甲基乙基亚砜、甲基丙基亚砜、甲基丁基亚砜、乙基丙基亚砜、乙基丁基亚砜、丙基丁基亚砜、甲基苯基亚砜、乙基苯基亚砜、丙基苯基亚砜、丁基苯基亚砜、甲基甲苯基亚砜、乙基甲苯基亚砜、丙基甲苯基亚砜、丁基甲苯基亚砜、甲基二甲苯基亚砜、乙基二甲苯基亚砜、丙基二甲苯基亚砜与丁基二甲苯基亚砜所组成的族群。
26.一种磷光发光材料，其特征是，该磷光发光材料是由β-丙双酮配位体、一亚砜配位体与三价稀土族金属离子所形成的错合物，该磷光发光材料的结构式如下 其中M为一三价稀土族金属离子，R2为氢，R1、R3、R4与R5选自碳数1至8的直链状烷基、碳数1至8的分枝链状烷基与碳数6至14的芳基所组成的族群。
27.如权利要求26所述的磷光发光材料，其特征是，该三价稀土族金属离子选自铽Tb(III)、铕Eu(III)、镝Dy(III)与钆Gd(III)所组成的族群。
28.如权利要求26所述的磷光发光材料，其特征是，该β-丙双酮配位体包括2，2，6，6-四甲基-3，5-庚烷二酮。
29.如权利要求26所述的磷光发光材料，其特征是，该亚砜配位体包括二甲基亚砜。
30.如权利要求26所述的磷光发光材料，其特征是，该亚砜配位体包括二苯基亚砜。
31.如权利要求26所述的磷光发光材料，其特征是，该亚砜配位体包括甲基苯基亚砜。
全文摘要
本发明提供一种磷光发光材料，其为一种由β－丙双酮配位体、一亚砜配位体与三价稀土族金属离子所形成的错合物，此种磷光发光材料的结构式如下其中M为一三价稀土族金属离子，R
文档编号C09K11/77GK1464027SQ02123069
公开日2003年12月31日 申请日期2002年6月12日 优先权日2002年6月12日
发明者郭朝楠, 胡美蓉, 江松贵 申请人:铼德科技股份有限公司