磷光材料的制作方法

文档序号:7099968阅读:219来源:国知局
专利名称:磷光材料的制作方法
技术领域
本发明涉及可以有利地用于有机发光器件中的有机材料。更具体地说,本发明涉及用于所述器件的有机材料的制备方法以及新的有机材料。
背景技术
由于很多原因,利用有机材料的光电器件变得越来越受欢迎。用于制备这样的器件的很多材料比较廉价,因此有机光电器件在相对于无机器件的成本优势方面具有潜力。 此外,有机材料的固有特性,例如它们的柔性,可以使得它们良好地适用于特定应用,例如在柔性基片上制造。有机光电器件的实例包括有机发光器件(OLEDs)、有机光电晶体管、有机光伏电池和有机光电探测器。对于OLEDs,有机材料可以具有优于常规材料的性能。例如,有机发光层发射的波长通常可以容易地用合适的掺杂剂进行调整。OLEDs利用当跨器件施加电压时发光的有机薄膜。OLEDs正在成为在诸如平板显示、照明和背光的应用中越来越有利的技术。多种OLED材料和构造记载于美国专利 No. 5,844,363,6, 303,238和5,707,745中,它们全部通过引用纳入本文。发磷光分子的一种应用是全色显示器。这样的显示器的工业标准要求适于发射称为“饱和”色彩的特定色彩的像素。特别是,这些标准要求饱和的红、绿和蓝色像素。色彩可以使用CIE坐标度量,它是现有技术中公知的。发绿光分子的一个实例是三(2-苯基吡啶)铱,它记为Ir(ppy)3,具有式I的结

权利要求
1.化合物,其包含具有以下结构的配体L
2.权利要求1的化合物,其中A为吡啶。
3.权利要求1的化合物,其中礼、&和艮取代基中的仅一个不为氢。
4.权利要求1的化合物,其中礼、&和艮取代基中的仅一个为烷基。
5.权利要求1的化合物,其中礼、&和艮取代基中的仅一个为乙基。
6.权利要求1的化合物,其中礼、&和艮取代基中的仅一个为甲基。
7.权利要求1的化合物,其中该化合物具有以下结构
8.权利要求7的化合物,其中金属M为Ir。
9.权利要求7的化合物,其中A为吡啶。
10.权利要求7的化合物,其中礼、&和与C相邻的Ra取代基中的仅一个不为氢。
11.权利要求7的化合物,其中礼、&和与C相邻的Ra取代基中的仅一个为烷基。
12.权利要求7的化合物,其中R1J2和与C相邻的Ra取代基中的仅一个为乙基。
13.权利要求7的化合物,其中R1W2和与C相邻的Ra取代基中的仅一个为甲基。
14.权利要求7的化合物,其中该化合物选自
15.权利要求14的化合物,其中R为烷基。
16.权利要求7的化合物,其中该化合物选自
17.权利要求7的化合物,其中该化合物选自
18.权利要求1的化合物,其中该化合物选自
19.权利要求18的化合物,其中R1和&为氢并且R3和R4之一为烷基t
20.权利要求19的化合物,其中该化合物选自
21.权利要求18的化合物,其中R1和&之一为烷基并且R3和R4为氢t
22.权利要求21的化合物,其中该化合物选自
23.权利要求7的化合物,其中该化合物选自
24.权利要求7的化合物,其中该化合物是均配位的.
25.权利要求M的化合物,其中该化合物选自
26.权利要求7的化合物,其中该化合物是杂配位的.
27.权利要求沈的化合物,其中该化合物选自
28.权利要求7的化合物,其中L’选自
29.权利要求11的化合物,其中该烷基在吡啶环上。
30.权利要求四的化合物,其中该化合物选自
31.权利要求11的化合物,其中该烷基在吡啶环的氮的对位。
32.权利要求31的化合物,其中该化合物选自化合物21
33.有机发光器件,其包含阳极;阴极;以及位于该阳极和该阴极之间的有机层,该有机层进一步包含下式的化合物
34.权利要求33的器件,其中该化合物具有以下结构
35.权利要求34的器件,其中金属M为Ir。
36.权利要求34的器件,其中A为吡啶。
37.权利要求34的器件,其中礼、&和与C相邻的Ra取代基中的仅一个为烷基t
38.权利要求33的器件,其中该化合物选自
39.权利要求36的器件,其中该化合物选自
40.权利要求33的器件,其中该化合物选自
41.权利要求33的器件,其中该化合物选自
42.权利要求33的器件,其中该有机层为发光层并且具有式I的化合物为发光掺杂剂。
43.权利要求42的器件,其中该有机层进一步包含主体。
44.权利要求43的器件,其中该主体具有以下结构
45.消费产品,其包含器件,该器件进一步包含阳极;阴极;以及位于该阳极和该阴极之间的有机层,该有机层进一步包含下式的化合物
46.均配位Ir(III)配合物的制备方法,其包含使
47.权利要求46的方法,其中该低沸点醇选自甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、 1 1比例的乙醇和甲醇、2-甲氧基乙醇和2-乙氧基乙醇。
48.权利要求47的方法,其中该低沸点醇选自乙醇、异丙醇和1 1比例的乙醇和甲
49.权利要求47的方法,其中该低沸点醇为乙醇或1 1比例的乙醇和甲醇。
50.权利要求47的方法,其中该低沸点醇为1 1比例的乙醇和甲醇。
51.权利要求46的方法,其中A为
52.权利要求46的方法,其中X为三氟甲磺酸根。
53.权利要求46的方法,其包含
54.权利要求53的方法,其中
55.均配位Ir(III)配合物的制备方法,其包含
56.权利要求35的方法,其中A为
57.权利要求55的方法,其中X为三氟甲磺酸根。
58.权利要求55的方法,其包含
59.权利要求58的方法,其中
60. 一种方法,其包括使
61.权利要求60的方法,其中X选自三氟甲磺酸根、甲苯磺酸根、三氟乙酸根、四氟硼酸根和六氟磷酸根。
62.权利要求60的方法,其中&、&、&和Rd选自苯、嘧啶、吡啶、噻吩、硫茚、氟、咔唑和二苯并噻吩。
63.权利要求60的方法,其包括使
64.权利要求60的方法,其中基团B(OR)2附加到环C上,
65.权利要求60的方法,其中基团B(OR)2B加到环Dit
66.权利要求64的方法,其中基团B(OR)2
67.权利要求65的方法,其中基团B(0R)2
68.权利要求60的方法,其进一步包括使
69.权利要求60的方法,其进一步包括
70.权利要求67的方法,其中
71.权利要求67的方法,其中
72.权利要求60的方法,其进一步包括
73.权利要求71的方法,其中
74.权利要求60的方法,其中
75.权利要求73的方法,其中
76.权利要求60的方法,其进一步包括
77.权利要求75的方法,其中
78.权利要求60的方法,其进一步包括
79.权利要求77的方法,其中
80.权利要求60的方法,其进一步包括使
81.化合物,其选自
82.杂配位化合物,其选自化合物化合物8 化合物9
83.权利要求81的化合物,其中该化合物为化合物1。
84.权利要求81的化合物,其中该化合物为
85.权利要求82的化合物,其中该化合物为
86.权利要求82的化合物,其中该化合物为
87.权利要求82的化合物,其中该化合物为
88.权利要求82的化合物,其中该化合物为
89.权利要求82的化合物,其中该化合物为
90.权利要求82的化合物,其中该化合物为
91.权利要求82的化合物,其中该化合物为
92.有机发光器件,其包含阳极;阴极;以及位于该阳极和该阴极之间的有机层,其中该有机层包含选自以下的化合物
93.权利要求92的器件,其中该有机层进一步包含主体
94.权利要求93的器件,其中该主体包括三亚苯基团。
95. 权利要求94的器件,其中该主体具有下式
96.权利要求95的器件,其中R为三联苯c
97.权利要求96的器件,其中该主体为
98.有机发光器件,其包含阳极;阴极;以及位于该阳极和该阴极之间的有机层,该有机层进一步包含选自以下的化合物化合物8
99.权利要求98的器件,其中该有机层进一步包含主体t
100.权利要求99的器件,其中该主体包括三亚苯基团。
101.权利要求100的器件,其中该主体具有下式
102.权利要求101的器件,其中R为三联苯。
103.权利要求102的器件,其中该主体为
104.权利要求101的器件,其中R为二苯并噻吩c
105.权利要求104的器件,其中该主体为
106.消费产品,其包含器件,该器件进一步包含阳极;阴极;以及位于该阳极和该阴极之间的有机层,其中该有机层进一步包含选自以下的化合物
107.消费产品,其包含器件,该器件进一步包含阳极;阴极;以及位于该阳极和该阴极之间的有机层,该有机层进一步包含选自以下的化合物
108.杂配位化合物的制备方法,其包含
109.权利要求108的方法,其中X选自三氟甲磺酸根、甲苯磺酸根、三氟硼酸根和六氟磷酸根。
110.权利要求108的方法,其中RA、RB、&和Rd选自苯、嘧啶、吡啶、噻吩、硫茚、氟、咔唑和二苯并噻吩。
111.权利要求108的方法,其中Rz为甲基。
112.权利要求108的方法,其包含
113.权利要求108的方法,其中
114.具有式Ir (LA_B)2 (LC_D)的杂配位配合物,其中La_b为
115.权利要求114的化合物,其中RpRpRyR4和&各自独立地选自氢和甲基。
116.权利要求114的化合物,其中LC_D选自
全文摘要
提供了含有扭转芳基的新的有机化合物。特别是,提供了含有2-苯基吡啶配体的化合物,该2-苯基吡啶配体在配体的吡啶部分上具有扭转芳基。该化合物可以用于有机发光器件中,特别是用作发光掺杂剂。包含含有扭转芳基的化合物的器件可以表现出改善的颜色、效率、稳定性和制造。此外,提供了可以含有扭转芳基的均配位Ir(III)化合物的制备方法。
文档编号H01L51/50GK102232105SQ200980142139
公开日2011年11月2日 申请日期2009年9月3日 优先权日2008年9月3日
发明者A·蒂恩格利斯, B·阿雷纳, D·拉亚巴拉普, J·布鲁克斯, J·费尔德里索, M·S·韦弗, N·安萨利, R·孔, V·阿德莫维奇, 夏传军 申请人:通用显示公司
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