专利名称：半导体晶圆加工用粘合片的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体晶圆加工用粘合片。
技术背景
为了使形成IC等电路图案的半导体晶圆其尽可能地薄，对其实施背面磨削处理等加工。在加工半导体晶圆时，为了防止例如，晶圆破损、或者电路图案形成面被磨削屑等污染、损伤，借助自动粘接装置，预先在其电路图案形成面粘接表面保护片。然后，在实施了晶圆的背面磨削等加工之后，其表面保护片被剥离除去，移送至晶圆清洗工序中。另外，在之后的工序中晶圆被单片化，为了对其进行PKG制造工序而使用加工用片。
作为这样的表面保护片或加工用片，通常公知的是，在基材上使用备有粘合剂层的粘合片，在粘合剂层添加有作为增塑剂的邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯等邻苯二甲酸酯而成的片。
但是，备有添加有邻苯二甲酸酯的粘合剂层的粘合片在低温、高湿等环境条件下保存时，来自粘合剂成分的污点会在粘合剂层表面析出。其结果，将该粘合片粘接在晶圆上时有时会污染电路图案形成面。
另外，在使用上述表面保护片或加工用片时，对于剥离除去该片后的电路图案形成面等，需要利用丙酮、异丙醇等亲水性有机溶剂进行预清洗，并进一步进行水洗。其结果， 存在需要考虑由有机溶剂的使用引起的环境卫生的对策、且清洗效率差这样的问题。
对此，提出了含有聚丙二醇这样的水溶性聚合物作为粘合剂成分的粘合片(例如日本特开平5-335288公报)。
但是，即使是在使用这样的粘合片的情况下，也会由于水溶性聚合物在电路图案形成面等渗出而需要水洗工序，因此没有实现根本性的解决。
另外，2007年6月1日起施行REACH管制法，邻苯二甲酸酯被列为候选的高度关注的物质之一，存在今后制限使用或禁止使用的可能性。发明内容
发明要解决的问题
本发明是鉴于上述问题而成的，其目的在于，提供一种半导体晶圆加工用粘合片， 其在各种环境下的保存稳定性优异、使用后还可以防止对被粘物的污染。
用于解决问题的方案
本发明人等对半导体晶圆加工用粘合片的保存稳定性等进行了深入研究，结果查明了以下(i)及(ii)，从而完成了本发明。(i)没有预想到的是，在包含基础聚合物、增塑剂及表面活性剂的粘合剂中，渗出的成分不是增塑剂而仅为表面活性剂成分；(ii)在使用的增塑剂和表面活性剂的组合中，通过使至今未考虑过的SP值的关系在特定范围内，使得即使在包括高温加湿条件的各种环境下保存，也可以不使污点从被粘物侧析出而稳定地保存。
S卩，本发明的半导体晶圆加工用粘合片的特征在于，在基材的至少单面备有粘合剂层，前述粘合剂层包含基础聚合物、聚酯系的增塑剂及表面活性剂，前述增塑剂及表面活性剂的溶解度参数(SP值)满足如下关系
0. 9彡[增塑剂的SP值]/[表面活性剂的SP值]彡1. 0。
在这种半导体晶圆加工用粘合片中，
优选的是，相对于100重量份基础聚合物，含有10 50重量份前述增塑剂。
另外，优选的是，相对于100重量份基础聚合物，添加有1 10重量份前述表面活性剂。
进而，优选的是，前述基础聚合物包含丙烯酸系聚合物。
另外，优选的是，在将满足0. 2彡B/A彡5. 7关系的、备有膜厚为Αμ m的粘合剂层的半导体晶圆加工用粘合片贴合在具有台阶为B μm的晶圆表面时，
从台阶浮起的前述粘合片的初始浮起量dl与M小时后的粘合片的浮起量d2满足如下关系
(d2/dl) XlOO 彡 110(% )。
发明的效果
根据本发明，可以提供在各种环境下具有优异的保存稳定性、使用后还可以防止对被粘物的污染的半导体晶圆加工用粘合片。
图IA为用于说明对于本发明的粘合片对台阶的初始浮起量dl的剖面示意图。
图IB为用于说明对于本发明的粘合片对台阶的经时浮起量d2的剖面示意图。
具体实施方式
本发明的半导体晶圆加工用粘合片(以下，有时简称为“粘合片”)备有基材、和至少在基材的单面配置的粘合剂层。粘合剂层至少由包含基础聚合物、和聚酯系的增塑剂、和表面活性剂的粘合剂形成。
(增塑剂)
用于本发明的增塑剂为降低粘合剂对被粘物的粘接力的物质，聚酯系的增塑剂是合适的。增塑剂的种类可以根据所使用的粘合剂而适宜选择，满足后述溶解度参数(SP值) 的关系的物质是合适的。
作为增塑剂，优选例如大日本油墨化学工业株式会社制造的W-700等的偏苯三酸系聚酯、J-PLUS Co. , Ltd.制造的D620等己二酸系聚酯、马来酸系聚酯、葵二酸系聚酯、苯甲酸系聚酯、环氧系聚酯、聚醚系聚酯等。它们可以单独使用或组合2种以上使用。
以相对于100重量份基础聚合物为10 50重量份的比例使用增塑剂是合适的， 优选为10 30重量份。通过设定为该范围，可以防止剥离时由粘合力过强引起的半导体晶圆等被粘物的破损。另外，可以回避粘合剂层表面的渗出，防止被粘物的污染。
(表面活性剂)
用于本发明的表面活性剂为用于调节对于半导体晶圆的粘合力的成分，虽然非离子系、阳离子系及阴离子系表面活性剂均可使用，但优选使用非离子系表面活性剂。表面活性剂的具体的种类可以根据所使用的粘合剂而适宜选择，优选满足后述SP值的关系的表面活性剂。
作为表面活性剂，可列举出例如烷基硫酸盐(第一工业制药株式会社制造的 NEOGEN R等)、烷基磷酸盐(花王株式会社制造的ELECTRONSTRIPPER N等)等阴离子系表面活性剂；脂肪族季铵盐(花王株式会社制造的KOTAMIN 24P等)、芳香族季铵盐(东邦化学工业株式会社制造的KACHINARU HC-100等)等阳离子系表面活性剂；山梨醇酐脂肪酸酯(花王株式会社制造的RE0D0RU SP-LlO等)、聚氧化乙烯(第一工业制药株式会社制造 NOIGEN EP-120A等)、丙三醇、醚、脂肪酸等非离子系表面活性剂。它们可以单独使用或组合2种以上使用。
以相对于100重量份基础聚合物为1 10重量份的比例使用表面活性剂是合适的，优选为1 5重量份，更优选为1 2重量份。通过设定为该范围，可以回避粘合力的显著降低，维持半导体晶圆图案面的凹凸随动性。
(SP 值)
构成上述粘合剂层的增塑剂及表面活性剂的SP值优选满足如下关系
0.9^ [增塑剂的SP值]/[表面活性剂的SP值]彡1. 0。
此处，增塑剂的SP值δ ρ是指利用属于Small式的式(1)估算出的值。另外，表面活性剂的SP值δ S是指利用表面活性剂的HLB值估算出的值，例如，是指利用式O)(引用文献SP值的基础-应用与计算方法，山本秀树著，P. 54 56)所求出的值。
5p[(J/cm3)1/2] =Σ F/V(1)
此处，δ ρ为溶解度参数，F为涉及分子间相互作用的常数(表1所示的Small的常数，取决于取代基的种类)，V为摩尔体积。
[表 1]
权利要求
1.一种半导体晶圆加工用粘合片，其特征在于，在基材的至少单面备有粘合剂层，所述粘合剂层包含基础聚合物、聚酯系的增塑剂及表面活性剂，所述增塑剂及表面活性剂的溶解度参数(SP值)满足如下关系0.9^ [增塑剂的SP值]/[表面活性剂的SP值]< 1. 0。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆加工用粘合片，其中，其是相对于100重量份基础聚合物添加有10 50重量份所述增塑剂而成的。
3.根据权利要求1或2所述的半导体晶圆加工用粘合片，其中，其是相对于100重量份基础聚合物添加有1 10重量份所述表面活性剂而成的。
4.根据权利要求1 3中的任一项所述的半导体晶圆加工用粘合片，其中，所述基础聚合物包含丙烯酸系聚合物。
5.根据权利要求1 4中的任一项所述的半导体晶圆加工用粘合片，其中，在将满足 0. 2 ^ B/A ^ 5. 7关系的、备有膜厚为Αμ m的粘合剂层的半导体晶圆加工用粘合片贴合在具有台阶为Βμ m的晶圆表面时，从台阶浮起的所述粘合片的初始浮起量dl与M小时后的粘合片的浮起量d2满足如下关系(d2/dl) XlOO <= 110(% )。
全文摘要
本发明的目的在于，提供一种半导体晶圆加工用粘合片，其在各种环境下的保存稳定性优异、使用后还可以防止对被粘物的污染，另外，贴合在半导体晶圆的电路图案形成面时，对形成电路图案的台阶的随动性优异且经时的浮起量稳定性优异。一种半导体晶圆加工用粘合片，其特征在于，在基材的至少单面备有粘合剂层，所述粘合剂层在基础聚合物中添加有聚酯系的增塑剂及表面活性剂，所述增塑剂及表面活性剂的溶解度参数(SP值)满足如下关系0.9≤[增塑剂的SP值]/[表面活性剂的SP值]≤1.0。
文档编号C09J11/06GK102549720SQ201180003930
公开日2012年7月4日 申请日期2011年4月14日 优先权日2010年4月20日
发明者大石伦仁, 新谷寿朗 申请人:日东电工株式会社