用于形成基于二氧化硅的层的组合物和基于二氧化硅的层的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种用于形成基于二氧化硅的层的组合物和基于二氧化硅的层。该组合物包含具有20,000至160,000的重均分子量的含硅聚合物以及溶剂。另外，本发明还公开了一种用于制造基于二氧化硅的层的方法。
【专利说明】用于形成基于二氧化枯的层的组合物和基于二氧化枯的层
[000。 相关申请的引用
[0002] 本申请要求分别于2013年10月1日和2014年8月25日在韩国知识产权局提交 的韩国专利申请号10-2013-0117498和10-2014-0110915的优先权和权益，通过引用将其 全部内容合并在本文中。
【技术领域】
[0003] 本公开内容涉及用于基于二氧化娃的层（基于娃石的层，二氧化娃类层， silica-based layer)的组合物、基于二氧化娃的层、W及用于制造该基于二氧化娃的层的 方法。
【背景技术】
[0004] 由于半导体技术的加速发展，对于通过增加具有较小尺寸的半导体芯片的集成而 具有改善的性能的高度集成和高速的半导体存储器单元已经进行了研究。然而，半导体的 高集成需求可能缩小导线之间的距离，从而，造成可W引起半导体互连方面的问题的RC延 迟、串扰、响应速度的劣化等。此外，对于由多个包括半导体存储器单元中的一个M0S晶体 管和一个电容器的单元电池组成的动态随机存取存储器值RAM)，电容器包括位于两个电 极之间的介电层，可W根据介电常数、介电层的厚度、W及形成电容器的电极的面积测定电 容的量，因此，当电容器根据半导体芯片变小而变小时，存在电容器能够确保存储容量的要 求。通过增加其垂直面积代替降低其水平面积W增加其总体有效面积，可W实现该电容器。 当使用该方法制造电容器时，与使水平面积变小相比，使用模具并且利用用于形成二氧化 娃层的组合物填充模具上的间隙形成的二氧化娃层可W用于有效地形成相对较高的电极。 因此，需要能够确保厚度均匀性和间隙中的高致密性的半导体绝缘层材料。
【发明内容】
[0005] 本发明的一个实施方式提供了用于能够确保厚度均匀性和间隙中的高紧凑性的 基于二氧化娃的层（基于娃石的层，二氧化娃类层，silica-based layer)的组合物。
[0006] 另一个实施方式提供了使用用于基于二氧化娃的层的组合物的基于二氧化娃的 层。
[0007] 又一个实施方式提供了 一种用于制造基于二氧化娃的层的方法。
[0008] 根据一个实施方式，提供了一种用于包括具有20, 000至160, 000的重均分子量的 含娃聚合物和溶剂的基于二氧化娃的层的组合物。
[0009] 含娃聚合物可W是聚娃氮焼、聚娃氧氮焼、或它们的组合。
[0010] 含娃聚合物可W具有21，000至50, 000的重均分子量。
[0011] 含娃聚合物可W具有4, 000至10, 000的数均分子量。
[0012] 溶剂可W选自；苯、甲苯、二甲苯、己苯、二己苯、H甲苯、H己苯、环己焼、环己帰、 十氨化蔡（蔡焼）、二戊帰、戊焼、己焼、庚焼、辛焼、壬焼、癸焼、己基环己焼、甲基环已焼、环 己焼、环己帰、对薄荷焼、二丙離、二下離、茵香離、己酸下醋、己酸戊醋、甲基异下基丽、w及 它们的组合。
[0013] 基于用于基于二氧化娃的层的组合物的总量，可0. Iwt%至30wt%的量包含 含娃聚合物。
[0014] 含娃聚合物可W包括氨化聚娃氧氮焼或氨化聚娃氮焼。
[0015] 氨化聚娃氧氮焼或氨化聚娃氮焼可W具有基于lOOwt %的氨化聚娃氧氮焼或氨 化聚娃氮焼为0. 2wt %至3wt %的氧含量，W及相对于氨化聚娃氧氮焼或氨化聚娃氮焼中 Si-H键总量的15%至40%的-SiHs基团含量。
[0016] 根据另一个实施方式，提供了使用用于基于二氧化娃的层的组合物制造的基于二 氧化娃的层。
[0017] 基于二氧化娃的层可W具有小于或等于1.0的厚度均匀性（厚度一致性， thickness uniformity)。
[0018] 基于二氧化娃的层在小于或等于200皿的图案中可W具有大于或等于0.5的范围 内的内部氧化物层的致密性（致密度，compactness)。
[0019] 根据又一个实施方式，提供了制造基于二氧化娃的层的方法，包括；将用于基于二 氧化娃的层的组合物涂覆在基板上；对利用所述用于基于二氧化娃的层的组合物涂覆的基 板进行干燥；W及在包括大于或等于15CTC的湿气的气氛下固化基板。
[0020] 可W实现能够确保厚度均匀性并且同时确保间隙中的高致密性的基于二氧化娃 的层。
【专利附图】
【附图说明】
[0021] 图1是示出了通过使用反射光谱层厚度仪（ST-5000，K-MAC)在具有十字（+)形状 的晶片上的9个点下测量氨化聚娃氧氮焼层的厚度的示意性示图。
【具体实施方式】
[0022] 本发明的示例性实施方式将在下文中详细地描述，并且可W由相关领域中具有公 共常识的技术人员容易地实施。然而，本公开可W体现为许多不同形式，而不应解释为局限 于本文中阐述的示例性实施方式。
[0023] 如在本文中使用的，当没有另外提供定义时，术语"取代的"是指用下述的一种取 代基取代，代替化合物中的氨，所述取代基选自团素原子（F、Br、C1或I)、轻基、焼氧基、硝 基、氯基、氨基、叠氮基、脉基、脱基、亚脱基（脱叉基，hy化azono group)、撰基、氨甲醜基、硫 醇基、醋基、駿基或其盐、賴酸基或其盐、磯酸基或其盐、焼基、C2至C16帰基、C2至C16快 基、芳基、C7至C13芳焼基、C1至C4氧焼基（oxyalkyl)、C1至C20杂焼基、C3至C20杂芳 焼基、环焼基、C3至C15环帰基、C6至C15环快基、杂环焼基、W及它们的组合。
[0024] 在下文中，描述了根据一个实施方式的用于基于二氧化娃的层的组合物。
[00巧]根据一个实施方式的用于基于二氧化娃的层的组合物包括含娃聚合物和溶剂。 [0026] 含娃聚合物可W是包括而不仅限于娃（Si)原子的任何聚合物，并且可W是例如 聚娃氮焼、聚娃氧氮焼、或它们的组合。含娃聚合物可W具有20, 000至160, 000的重均分 子量。
[0027] 当重均分子量在该范围内时，不仅可W最小化厚度均匀性劣化（例如，厚度误差 (厚度变化）可W被最小化）而且还增加了间隙内部的致密性，从而，最小化层内部的缺陷。
[0028] 在本文中，含娃聚合物可W具有21，000至50, 000或20, 000至46, 000的重均分 子量。
[0029] 含娃聚合物可W具有4, 000至10, 000,或4, 000至9, 000的数均分子量。
[0030] 当数均分子量在该范围内时，不仅可W最小化厚度均匀性劣化（例如，厚度误差 (厚度变化）可W被最小化）而且还增加了间隙内部的致密性，其可W有助于最小化层内部 的缺陷。
[0031] 例如，含娃聚合物可W包括氨化聚娃氧氮焼或氨化聚娃氮焼。
[0032] 基于lOOwt %的氨化聚娃氧氮焼或氨化聚娃氮焼，氨化聚娃氧氮焼或氨化聚娃氮 焼可W具有0. 2wt%至3wt%的氧含量。
[0033] 当氨化聚娃氧氮焼包含在该范围内时，可W防止热处理过程中的收缩，从而可W 防止通过热处理形成的电荷图案上的裂纹。具体地，氨化聚娃氧娃氮焼或氨化聚娃氮焼的 氧含量可W为0. 4wt %至2wt %。
[0034] 此外，氨化聚娃氧氮焼或氨化聚娃氮焼在末端可W具有由-SiHs表示的部分，并且 基于氨化聚娃氧氮焼或氨化聚娃氮焼中的Si-H键的总量，可W W 15wt %至40wt %的量包 含-SiHs。
[0035] 基于用于基于二氧化娃的层的组合物的总量，可0. Iwt%至30wt%的量包含 氨化聚娃氧氮焼或氨化聚娃氮焼。当氨化聚娃氧氮焼或氨化聚娃氮焼包含在该范围内时， 在间隙填充过程中层可W形成得平坦且均匀而没有间隙（空隙）W及可W维持适当的粘 度。
[0036] 溶剂可W是选自W下中的一种；芳香族化合物、脂肪族化合物、饱和姪化合物、離、 醋、丽等，具体地是，苯、甲苯、二甲苯、己苯、二己苯、H甲苯、H己苯、环己焼、环己帰、十氨 化蔡、二戊帰、戊焼、己焼、庚焼、辛焼、壬焼、癸焼、己基环己焼、甲基环已焼、环己焼、环己 帰、对薄荷焼、二丙離、二下離、茵香離、己酸下醋、己酸戊醋、甲基异下基丽、W及它们的组 A 口 〇
[0037] 特别地，来自溶剂中的至少一种可W具有大于或等于13CTC的沸点。W该种方式， 可W增加层的平坦性。
[0038] 基于用于基于二氧化娃的层的组合物的总量，除了上述组分之外，可余量包 含溶剂。
[0039] 用于基于二氧化娃的层的组合物可W进一步包含热生酸剂（TAG)。
[0040] 热生酸剂可W包括任何化合物而没有特别限制，只要其通过加热产生酸or)即 可。特别地，其可W包含在9(TC或更高温度下活化并产生足够的酸、并且还具有低挥发性的 化合物。该种热生酸剂可W选自，例如硝基予基甲苯賴酸醋、硝基予基苯賴酸醋、苯酷賴酸 醋、W及它们的组合。
[0041] 基于用于基于二氧化娃的层的组合物的总量，可W W 0. 0Iwt %至25wt %的量包 含热生酸剂。
[0042] 用于基于二氧化娃的层的组合物可W进一步包含表面活性剂。
[0043] 表面活性剂没有特别限制，并且可W是例如非离子型表面活性剂如聚氧己帰焼基 離类，如聚氧己帰月桂基離、聚氧己帰硬脂基離、聚氧己帰十六焼基離、聚氧己帰油基離等； 聚氧己帰焼基帰丙基離类，如聚氧己帰壬基酷離等；聚氧己帰聚氧丙帰嵌段共聚物；聚氧 己帰山梨糖醇酢脂肪酸醋类，如山梨糖醇酢单月桂酸醋、山梨糖醇酢单踪搁酸醋、山梨糖醇 酢单硬脂酸醋、山梨糖醇酢单油酸脂、聚氧己帰山梨糖醇酢单硬脂酸醋、聚氧己帰山梨糖醇 酢H油酸醋、聚氧己帰山梨糖醇酢H硬脂酸醋等；氣类表面活性剂；EFTOP EF301、EF303、 EF352(Tochem Products Co. , Ltd. )、MEGAFACE F171、F173值ainippon Ink&Chem. , Inc.)、 FLUORAD FC430、FC431 (Sumitomo 3M)、As址i guard AG710、Su;rflon S-382、SC101、SC102、 SC103、SC104、SC105、SC106 (As址i Glass Co.，Ltd.)等；其他娃丽类表面活性剂，如有机娃 氧焼聚合物 KP341(aiin-Etsu Chemical Co.，Ltd)等。
[0044] 基于用于基于二氧化娃的层的组合物的总量，可W W 0. OOlwt%至lOwt%的量包 含表面活性剂。在该范围内，改善了溶液的分散，并且同时改善了层的均匀厚度和填充性 能。
[0045] 根据另一个实施方式，提供了使用用于基于二氧化娃的层的组合物制造的基于二 氧化娃的层。
[0046] 例如，基于二氧化娃的层可W用作电子装置如半导体、显示装置等中的绝缘层。例 女口，绝缘层可W用在晶体管器件和位线之间、晶体管器件和电容器之间等，但不限于此。
[0047] 基于二氧化娃的层可W具有小于或等于1. 0的厚度均匀性。当厚度均匀性在该范 围内时，基于二氧化娃的层具有优异的均匀性，从而，可W容易地进行形成基于二氧化娃的 层之后的后续过程。可W根据W下等式获得基于二氧化娃的层的厚度均匀性。
[0048] *厚度均匀性=[(最大厚度-最小厚度）/2/平均厚度]*100
[0049] 此外，基于二氧化娃的层在小于或等于200皿的图案中可W具有大于或等于0. 5 的范围内的内部氧化物层的致密性。当内部氧化物层的致密性在该范围内时，基于二氧化 娃的层可W具有间隙内部的高致密性。可W根据下式获得内部氧化物层的高致密性。
[0050] *内部氧化物层的致密性=外表面蚀刻量/图案内部的蚀刻量
[0051] 在下文中，提供了根据另一个实施方式的用于制造基于二氧化娃的层的方法。
[0052] 用于制造基于二氧化娃的层的方法，包括：将用于基于二氧化娃的层的组合物涂 覆在基板上；干燥利用用于基于二氧化娃的层的组合物涂覆的基板；W及在包括大于或等 于15CTC的湿气的气氛下固化基板。
[0053] 用于基于二氧化娃的层的组合物可W是通过混合含娃聚合物和溶剂，例如通过诸 如旋涂、狭缝涂覆、丝网印刷、喷涂、〇DF(滴下式注入法）、或它们的组合等溶液方法获得的 溶液。
[0054] W下实施例更详细地阐明了本发明。然而，该些实施例是示例性的，并且本公开内 容并不限于此。
[00巧] 制各巧于某于二氧化姑的房的纽合物
[005引[比较例U
[0057] 将干燥氮气置换在具有揽拌装置和温度控制器的化的反应器中。随后，将1，500g 的干燥化巧注入反应器中，并且将反应器储存在5°C下。然后，经2小时将140g的二氯娃焼 缓慢注入其中。然后，经4. 3小时缓慢注入85g的氨水，同时揽拌混合物。然后，经120分 钟将干燥氮气注入反应器中，并且除去残留在其中的氨。
[0058] 在干燥的氮气气氛下，用1 y m的TE化ON(四氣己帰）过滤器过滤获得的白色浆体 产物，获得1，OOOg的过滤溶液。随后，将1，OOOg的干燥二甲苯加入到其中，并且通过重复 利用旋转蒸发器用化巧取代二甲苯H次将混合物调节为具有20%的固体含量，然后，用具 有0. 1 y m的孔径的TE化ON过滤器过滤。
[0059] 将250g的干燥化巧加入到获得的氨化聚娃氮焼溶液中，并且在lOCrC下聚合混合 物W具有4, 000的重均分子量（数均分子量=2, 270)。
[0060] 在本说明书中，使用由Waters制造的GPC(PLC粟1515, RI检测器2414)和由 化odex制造的柱（LF-804)来测定重均分子量和数均分子量。
[006。[比较例引
[0062] 将干燥氮气置换在具有揽拌装置和温度控制器的化的反应器中。随后，将1，500g 的干燥化巧注入反应器中，并且将反应器储存在5°C下。然后，经2小时将140g的二氯娃焼 缓慢注入其中。然后，向其中缓慢注入85g的氨水，同时将反应器揽拌4. 3小时。然后，经 120分钟将干燥的氮气注入到其中，并且除去残留在反应器中的氨。
[0063] 在干燥的氮气气氛下，用1 y m的TE化ON过滤器过滤获得的白色浆体产物，获得 1，OOOg的过滤溶液。随后，将1，OOOg的干燥二甲苯加入到其中，并且通过重复利用旋转蒸 发器用化巧取代二甲苯H次将混合物调节为具有20%的固体含量，然后，用具有0. 1 y m的 孔径的TE化ON过滤器过滤。
[0064] 然后，将250g的干燥化巧加入至氨化聚娃氮焼溶液，并且在10(TC下聚合混合物 W具有14, 000的重均分子量（数均分子量=3, 750)。
[006引[比较例引
[0066] 将干燥氮气置换在具有揽拌装置和温度控制器的化的反应器中。随后，将1，500g 的干燥化巧注入反应器中，并且将反应器储存在5°C下。然后，经2小时将140g的二氯娃焼 缓慢注入其中。然后，经4.3小时将85g的氨水缓慢注入其中，同时揽拌混合物。然后，经 120分钟将干燥氮气注入到其中，并且除去残留在反应器中的氨。
[0067] 在干燥的氮气气氛下，用1 y m的TE化ON过滤器过滤获得的白色浆体产物，获得 1，OOOg的过滤溶液。随后，将1，OOOg的干燥二甲苯加入到其中，并且通过重复利用旋转蒸 发器用化巧取代二甲苯H次将混合物调节为具有20%的固体含量，然后，用具有0. 1 y m的 孔径的TE化ON过滤器过滤。
[0068] 然后，将250g的干燥化巧加入到氨化聚娃氮焼溶液中，并且在10(TC下聚合混合 物W具有19, 000的重均分子量（数均分子量=3, 950)。
[006引[比较例句
[0070] 将干燥氮气置换在具有揽拌装置和温度控制器的化的反应器中。随后，将1，500g 的干燥化巧注入反应器中，并且将反应器储存在5°C下。然后，经2小时将140g的二氯娃焼 缓慢注入其中。然后，经4.3小时将85g的氨水缓慢注入其中，同时揽拌混合物。然后，经 120分钟将干燥氮气注入到其中，并且除去残留在反应器中的氨。
[0071] 在干燥的氮气气氛下，用lym的TE化ON过滤器过滤获得的白色浆体产物，获得 1，OOOg的过滤溶液。随后，将1，OOOg的干燥二甲苯加入到其中，并且通过重复利用旋转蒸 发器用化巧取代二甲苯H次将混合物调节为具有20%的固体含量，然后，用具有0. 1 y m的 孔径的TE化ON过滤器过滤。
[0072] 然后，将250g的干燥化巧加入到氨化聚娃氮焼溶液中，并且在10(TC下聚合混合 物W具有161，000的重均分子量（数均分子量=9, 050)。
[007引[实施例U
[0074] 将干燥氮气置换在具有揽拌装置和温度控制器的化的反应器中。随后，将1，500g 的干燥化巧注入反应器中，并且将反应器储存在5°C下。然后，经2小时将140g的二氯娃 焼缓慢注入到其中。然后，经4.3小时将85g的氨水缓慢注入到其中，同时揽拌混合物。然 后，经120分钟将干燥的氮气注入到其中，并且除去残留在其中的氨。
[00巧]在干燥的氮气气氛下，用1 y m的TE化ON过滤器过滤获得的白色浆体产物，获得 1，OOOg的过滤溶液。随后，将1，OOOg的干燥二甲苯加入到其中，并且通过重复利用旋转蒸 发器用化巧取代二甲苯H次将混合物调节为具有20%的固体含量，然后，用具有0. 1 y m的 孔径的TEFLON过滤器过滤。
[0076] 然后，将250g的干燥化巧加入到获得的氨化聚娃氮焼溶液，并且在10(TC下聚合 混合物W具有21，000的重均分子量（数均分子量=4, 050)。
[0077] [实施例引
[0078] 将干燥的氮气置换在具有揽拌装置和温度控制器的化的反应器中。随后，将 1，500g的干燥化巧注入反应器中，并且将反应器储存在5C下。然后，经2小时将140g的 二氯娃焼缓慢注入其中。然后，经4. 3小时将85g的氨水缓慢注入其中，同时揽拌混合物。 然后，经120分钟将干燥的氮气注入其中，并且除去残留在反应器中的氨。
[0079] 在干燥的氮气气氛下，用1 y m的TE化ON过滤器过滤获得的白色浆体产物，获得 1，OOOg的过滤溶液。随后，将1，OOOg的干燥二甲苯加入其中，并且通过重复利用旋转蒸发 器用化巧取代二甲苯H次将混合物调节为具有20%的固体含量，然后，使用具有0. 1 y m的 孔径的TEFLON过滤器过滤。
[0080] 然后，将250g的干燥化巧加入到获得的氨化聚娃氮焼溶液中，并且在10(TC下聚 合混合物W具有68, 000的重均分子量（数均分子量=5, 750)。
[00引][实施例引
[0082] 将干燥的氮气置换在具有揽拌装置和温度控制器的化的反应器中。随后，将 1，500g的干燥化巧注入到反应器中，并且将反应器储存在5C下。然后，经2小时将140g的 二氯娃焼缓慢注入其中。然后，经4. 3小时将85g的氨水缓慢注入其中，同时揽拌混合物。 然后，经120分钟将干燥氮气注入其中，并且除去残留在反应器中的氨。
[0083] 在干燥的氮气气氛下，用1 y m的TE化ON过滤器过滤获得的白色浆体产物，获得 1，OOOg的过滤溶液。随后，将1，OOOg的干燥二甲苯加入其中，并且通过重复利用旋转蒸发 器用化巧取代二甲苯H次将混合物调节为具有20%的固体含量，然后，用具有0. 1 y m的孔 径的TE化ON过滤器过滤。
[0084] 然后，将250g的干燥化巧加入到获得的氨化聚娃氮焼溶液，并且在10(TC下聚合 混合物W具有115, 000的重均分子量（数均分子量=7, 400)。
[00财[实施例句
[0086] 将干燥的氮气置换在具有揽拌装置和温度控制器的化的反应器中。随后，将 1，500g的干燥化巧注入到反应器中，并且将反应器储存在5°C下。然后，经2小时将140g的 二氯娃焼缓慢注入其中。然后，经4.3小时缓慢注入85g的氨水，同时揽拌混合物。然后， 经120分钟注入到干燥的氮气中，并且除去残留在反应器中的氨。
[0087] 在干燥的氮气气氛下，用1 y m的TE化ON过滤器过滤获得的白色浆体产物，获得 1，OOOg的过滤溶液。随后，将1，OOOg的干燥二甲苯加入到其中，并且通过重复利用旋转蒸 发器用化巧取代二甲苯H次将混合物调节为具有20%的固体含量，然后，用具有0. 1 y m的 孔径的TE化ON过滤器过滤。
[0088] 然后，将250g的干燥化巧加入到获得的氨化聚娃氮焼溶液中，并且在10(TC下聚 合混合物W具有155, 000的重均分子量（数均分子量=8, 800)。
[0089] 评价1 :房厚麼拘匀巧
[0090] 分别取3cc的根据实施例1-4和比较例1-4的氨化聚娃氮焼或氨化聚娃氧氮焼 溶液，然后，用旋涂机分布在具有8英寸直径的娃晶片的中也并且W 15(K)巧m旋涂20砂 (MS-A200, MIKASA Co.，Ltd.)。随后，在热板上在15(TC下将涂覆的晶片加热3分钟并干燥， 形成每一氨化聚娃氧氮焼或氨化聚娃氮焼层。
[0091] 然后，如在图1中示出的，通过使用反射光谱层厚度仪（ST-5000，K-MAC)在具有十 字（+)形状的晶片上的9个点下测量氨化聚娃氧氮焼层的厚度获得氨化聚娃氧氮焼的平均 厚度、厚度范围（最小厚度-最大厚度）、W及厚度均匀性，
[0092] *厚度均匀性=[(最大厚度-最小厚度）/2/平均厚度]*100
[0093] 结果提供在W下的表1中。
[0094] [表 1]
[0095]
【权利要求】
1. 一种用于基于二氧化硅的层的组合物，包含： 具有20, 000至160, 000的重均分子量的含硅聚合物；以及溶剂。
2. 根据权利要求1所述的用于基于二氧化硅的层的组合物，其中，所述含硅聚合物包 含聚硅氮烷、聚硅氧氮烷、或它们的组合。
3. 根据权利要求1所述的用于基于二氧化硅的层的组合物，其中，所述含硅聚合物具 有21，000至50, 000的重均分子量。
4. 根据权利要求1所述的用于基于二氧化硅的层的组合物，其中，所述含硅聚合物具 有4, 000至10, 000的数均分子量。
5. 根据权利要求1所述的用于基于二氧化硅的层的组合物，其中，所述溶剂包括选自 以下中的至少一种：苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、环己烷、环己烯、十氢 化萘、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基环己烷、甲基环已烷、环己烷、环己 烯、对薄荷烷、二丙醚、二丁醚、茴香醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基异丁基酮、以及它们的组 合。
6. 根据权利要求1所述的用于基于二氧化硅的层的组合物，其中，基于所述用于基于 二氧化硅的层的组合物的总量，以0.lwt%至30wt%的量包含所述含硅聚合物。
7. 根据权利要求1所述的用于基于二氧化硅的层的组合物，其中，所述含硅聚合物包 含氢化聚硅氧氮烷或氢化聚硅氮烷。
8. 根据权利要求7所述的用于基于二氧化硅的层的组合物，其中，所述氢化聚硅氧氮 烷或所述氢化聚硅氮烷具有基于l〇〇wt%的所述氢化聚硅氧氮烷或所述氢化聚硅氮烷的 0? 2wt%至3wt%的氧含量，以及 相对于所述氢化聚硅氧氮烷或所述氢化聚硅氮烷中的Si-H键的总量的15%至40% 的-SiH3基团含量。
9. 一种使用根据权利要求1所述的用于基于二氧化硅的层的组合物制造的基于二氧 化娃的层。
10. 根据权利要求9所述的基于二氧化娃的层，其中，所述基于二氧化娃的层具有小于 或等于1.0的厚度均匀性。
11. 根据权利要求9所述的基于二氧化硅的层，其中，所述基于二氧化硅的层在小于或 等于200nm的范围内的图案中具有大于或等于0. 5的内部氧化物层的致密性。
12. -种制造基于二氧化硅的层的方法，包括： 将根据权利要求1所述的用于基于二氧化硅的层的组合物涂覆在基板上； 对用所述用于基于二氧化硅的层的组合物涂覆的所述基板进行干燥；以及 在包括大于或等于150°C的湿气的气氛下固化所述基板。
【文档编号】C09D183/00GK104513613SQ201410487212
【公开日】2015年4月15日 申请日期:2014年9月22日 优先权日:2013年10月1日
【发明者】韩权愚, 郭泽秀, 金补宣, 朴银秀, 裵镇希, 徐珍雨, 李汉松, 任浣熙, 黄丙奎, 金相均, 赵娟振 申请人:三星Sdi株式会社