本发明涉及一种改进的半导体研磨剂。
背景技术：
在半导体芯片的加工制造过程中，随着采用嵌入式工序(一种费用相当便宜且能在硅芯片上建立更密集的元器件结构的工序)的逐步普及，对芯片中的金属导线进行化学机械研磨抛光亦变得必不可少。现有的研磨剂大部分在研磨的同时会对半导体部件造成腐蚀，降低了研磨体的性能，缩短了半导体的使用时间。因此，半导体的性能有待于进一步改进。
技术实现要素：
针对现有技术的不足，本发明要解决的问题是，提供一种半导体研磨剂，具有很好的耐磨性和低腐蚀性，同时提高了研磨的效果，具有很好的经济效益。
为解决现有技术问题，本发明提供的技术方案是，一种改进的半导体研磨剂，其由以下重量份数的原料制成：
醋酸钠4-6份，氰尿酸三聚氰胺盐6-10份，过氧化苯甲酰3-8份，碳化钨合金10-16份，改性氧化铝8-12份，石英砂5-7份，丙二醇6-8份，磷酸二氢钙9-12份，季戊四醇7-9份，酒石酸2-4份，硅藻土8-10份，硫酸镁5-7份，硫酸钾1.5-4份，防老剂2份，硼酸钠4-7份，苯甲酸甲酯8-11份，硫酸钡1.3-4.8份，表面活性剂6-12份，丙烯酸酯聚合物2.5-9份，乙酸正丁酯4-11份。
本发明的有益效果是：本发明的半导体研磨剂，具有很好的耐磨性和低腐蚀性，同时提高了研磨的效果，具有很好的经济效益。
具体实施方式
实施例1
一种改进的半导体研磨剂，其由以下重量份数的原料制成：
醋酸钠4份，氰尿酸三聚氰胺盐6份，过氧化苯甲酰3份，碳化钨合金10份，改性氧化铝8份，石英砂5份，丙二醇6份，磷酸二氢钙9份，季戊四醇7份，酒石酸2份，硅藻土8份，硫酸镁5份，硫酸钾1.5份，防老剂2份，硼酸钠4份，苯甲酸甲酯8份，硫酸钡1.3份，表面活性剂6份，丙烯酸酯聚合物2.5份，乙酸正丁酯4份。
实施例2
一种改进的半导体研磨剂，其由以下重量份数的原料制成：
醋酸钠6份，氰尿酸三聚氰胺盐10份，过氧化苯甲酰8份，碳化钨合金16份，改性氧化铝12份，石英砂7份，丙二醇8份，磷酸二氢钙12份，季戊四醇9份，酒石酸4份，硅藻土10份，硫酸镁7份，硫酸钾4份，防老剂2份，硼酸钠7份，苯甲酸甲酯11份，硫酸钡4.8份，表面活性剂12份，丙烯酸酯聚合物9份，乙酸正丁酯11份。