技术总结
本发明公开了一种用于硅晶圆片减薄后的低应力背面腐蚀溶液和腐蚀工艺，属于微电子加工技术领域。该技术主要针对超薄硅晶圆片减薄过程中因机械损伤产生残余应力,导致划片过程中硅晶圆片易碎的缺点。通过调配特制背面腐蚀液配比，采用特殊腐蚀方法，均匀去除晶圆片背面的机械损伤层，释放应力。该方法与背面金属化工艺完全兼容，可降低划片过程中的碎片率。
技术研发人员：刘旸;王增智;金明辉
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十七研究所
技术研发日：2017.12.19
技术公布日：2018.06.19