发光陶瓷以及波长变换装置的制作方法

本发明涉及发光陶瓷以及使用了发光陶瓷的波长变换装置。
背景技术：
：以往，已知有若被照射光则出射与被照射的光不同波长的光的发光陶瓷。在下述的专利文献1记载了一种将如下的陶瓷在还原气氛中进行热处理而得到的发光陶瓷，该陶瓷以用abow(其中，a包含从由la、y、gd、yb以及lu构成的组选择的至少一种，b包含从由zr、sn以及hf构成的组选择的至少一种和bi，w是用于保持电中性的正数。)表示的烧绿石型化合物为主成分。在先技术文献专利文献专利文献1：wo2014/119416a1技术实现要素：发明要解决的课题在利用荧光体的各种用途中，使用具有适合于用途、目的的发光峰值波长和/或发光光谱形状的荧光体。因此，要求供给具有多样的发光峰值波长和/或发光光谱形状的荧光体。在专利文献1中，通过使发光陶瓷的构成元素的组合、组成比变化，从而发光峰值波长、发光光谱形状变化。然而，仅通过像专利文献1记载的那样的结构，并不能提供具有更宽的范围的多样的发光峰值波长的波长变换元件。本发明的目的在于，提供一种能够实现多样的发光峰值波长的发光陶瓷、使用了该发光陶瓷的波长变换装置。用于解决课题的技术方案本申请的第一发明涉及的发光陶瓷包含烧绿石型化合物，在所述烧绿石型化合物中，相对于100mol％的abow(其中，a包含从由la、y以及gd构成的组选择的至少一种，包含合计为80mol％以上的所述从由la、y以及gd构成的组选择的至少一种，b包含从由zr、sn以及hf构成的组选择的至少一种，w是用于保持电中性的正数)，含有0.01mol％以上的bi，在所述发光陶瓷中，所述b至少包含sn。在第一发明涉及的发光陶瓷中，还含有从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种。本申请的第二发明涉及的发光陶瓷包含烧绿石型化合物，在所述烧绿石型化合物中，相对于100mol％的abow(其中，a包含从由la、y以及gd构成的组选择的至少一种，包含合计为80mol％以上的所述从由la、y以及gd构成的组选择的至少一种，b包含从由zr、sn以及hf构成的组选择的至少一种，w是用于保持电中性的正数)，含有0.01mol％以上的bi，在所述发光陶瓷中，所述b至少包含zr或hf。在第二发明涉及的发光陶瓷中，还含有从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种。此外，所述a至少包含50mol％以上的la。以下，在对第一发明以及第二发明进行统称时，称为本发明。在本发明涉及的发光陶瓷的另一个特定的方式中，所述从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种的含量合计为0.1mol％以上。在该情况下，通过包含从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种元素，从而能够使发光峰值波长更大地移动。另外，在本说明书中，关于元素的含量mol％，只要没有特别说明，就是相对于100mol％的abow的比例。在本发明涉及的发光陶瓷的另一个特定的方式中，所述从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种的含量为bi的含量以上。在该情况下，通过包含从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种元素，从而能够使发光峰值波长更大地移动。在本发明涉及的发光陶瓷的另一个特定的方式中，所述从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种的含量不足20mol％。在该情况下，能够有效地改善光透射性。更优选地，从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种的含量为10mol％以下。在本发明涉及的发光陶瓷的另一个特定的方式中，在所述a包含mg、ca、zn、sr或ba中的任一者，或者，在所述b包含sc、ga、in、yb或lu中的任一者。在本发明涉及的发光陶瓷的又一个特定的方式中，通过含有所述从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种，从而被照射了紫外线时的可见光范围内的发光峰值波长与除了不含有所述从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种以外都相同的发光陶瓷的发光峰值波长相比，相差10nm以上。本发明涉及的波长变换装置具备按照本发明构成的发光陶瓷和对所述发光陶瓷照射紫外线的光源。另外，在本申请中所说的“发光陶瓷”，是指如下的陶瓷，即，在照射了紫外线等光时，吸收所照射的光的能量的至少一部分，并将该吸收的能量作为与所照射的光的波长不同的波长的光进行辐射。发明效果根据本发明，能够提供一种能够实现更加多样的发光峰值波长的发光陶瓷以及波长变换装置。附图说明图1是用于说明作为本发明的一个实施方式的波长变换装置的概略结构图。图2是示出b位构成离子的离子半径的平均值与晶格常数的关系的图。图3是示出a位构成离子的离子半径的平均值与晶格常数的关系的图。具体实施方式以下，通过参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明，从而明确本发明。另外，需要指出的是，在本说明书记载的各实施方式是例示性的，能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。以下，对本发明进行详细说明。(第一发明涉及的发光陶瓷)本申请的第一发明涉及的发光陶瓷包含烧绿石型化合物，在上述烧绿石型化合物中，相对于100mol％的abow(其中，a包含从由la、y以及gd构成的组选择的至少一种，包含合计为80mol％以上的上述从由la、y以及gd构成的组选择的至少一种，b包含从由zr、sn以及hf构成的组选择的至少一种，w是用于保持电中性的正数)，含有0.01mol％以上的bi，在上述发光陶瓷中，上述b至少包含sn。在第一发明涉及的发光陶瓷中，还含有从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种。(第二发明涉及的发光陶瓷)本申请的第二发明涉及的发光陶瓷包含烧绿石型化合物，在上述烧绿石型化合物中，相对于100mol％的abow(其中，a包含从由la、y以及gd构成的组选择的至少一种，包含合计为80mol％以上的上述从由la、y以及gd构成的组选择的至少一种，b包含从由zr、sn以及hf构成的组选择的至少一种，w是用于保持电中性的正数)，含有0.01mol％以上的bi，在上述发光陶瓷中，上述b至少包含zr或hf。在第二发明涉及的发光陶瓷中，还含有从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种。此外，上述a至少包含50mol％以上的la。(本发明的发光陶瓷的细节)本申请的第一发明、第二发明涉及的发光陶瓷通过如下方式而得到，即，将具有上述组成比的陶瓷材料进行烧成，然后在还原气氛中进行热处理。因为本发明的发光陶瓷是陶瓷，所以与单晶的发光材料相比，制造容易。在上述烧成中，上述陶瓷材料可以以粉末状直接进行烧成，也可以在临时成型为给定形状之后进行烧成。无论是哪种情况，均通过在还原气氛中进行热处理而得到发光陶瓷。发光陶瓷可以是粉末状，也可以分散于树脂、玻璃等。在粉末状或分散于树脂或玻璃的状态的任一情况下，均能够作为用于制作具有波长变换功能的元件的原材料来利用。在上述abow中，w是用于保持电中性的正数。例如，在w为3.5的情况下，作为abow的具体例子，可举出a2以及b2o7。本发明的发光陶瓷abow包含烧绿石型化合物。因为烧绿石构造是缺陷萤石型构造的超晶格构造，所以abow有时采取两者的中间的构造，但是在本发明中，只要在x射线衍射中能看到作为超晶格峰的(311)或(331)的峰，就作为烧绿石型化合物。在本发明中，含有从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种元素，而该至少一种元素与bi一起进行添加。共同添加至少一种上述元素，在a位中从由la、y以及gd构成的组选择的至少一种的一部分被上述至少一种元素置换，或者在b位中从由zr、sn以及hf构成的组选择的至少一种的一部分被上述至少一种元素置换。关于bi，在b位中，从由zr、sn以及hf构成的组选择的至少一种的一部分也被bi置换。在本发明中，在100mol％的a位含有合计为80mol％以上的从由la、y以及gd构成的组选择的至少一种元素。由此，能够容易地得到多样的发光峰值波长的发光陶瓷。优选地，像在专利文献1记载的那样，优选b位以0.001mol％以上且5mol％以下的范围包含bi。由此，能够有效地提高发光的量子产率。更优选为0.01mol％以上且3mol％以下的范围，进一步优选为0.05mol％以上且1mol％以下。此外，在可见光范围、即波长为450nm以上且800nm以下的范围，本发明涉及的发光陶瓷优选光透射率为50％以上，更优选为60％以上，进一步优选为70％以上。相对于100mol％的abow，以0.01mol％以上的比例含有bi。由此，能够容易地得到发光峰值波长多样的发光陶瓷。在本发明涉及的发光陶瓷中，从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种元素与bi一同进行添加，该共同添加的元素可以置换到a位，也可以置换到b位。在任一情况下，通过共同添加，均能够使发光峰值波长大幅移动，能够提供多样的发光峰值波长的发光陶瓷。关于从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种元素的含量、即共同添加量，优选合计为0.1mol％以上，由此，能够更加容易地提供发光峰值波长多样的发光陶瓷。优选地，上述从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种元素的含量为bi的含量以上。在该情况下，更加可靠地发生上述波长移动，能够提供更加多样的发光峰值波长的发光陶瓷。若上述从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种元素的添加量过少，则与原来的发光光谱相比，难以产生发光峰值波长的波长移动。在此，所谓发光峰值波长的波长移动，在被照射了紫外线时的可见光范围内的发光峰值波长与除了未添加上述从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种元素以外组成都相同的发光陶瓷的发光峰值波长相比相差10nm以上的情况下，称作产生了波长移动。因此，在本发明中，通过上述从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种元素的共同添加，能够提供多样的发光峰值波长的发光陶瓷。关于上述从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种元素的含量，优选相对于100mol％的a或100mol％的b不足20mol％，更优选为10mol％以下。在该情况下，能够得到光透射率优异的发光陶瓷。此外，a位优选不包含bi。(发光陶瓷的制造方法)上述发光陶瓷通过如下方式得到，即，在通过烧成得到abow的组成的陶瓷之后，在还原气氛中进行热处理。可通过在该还原气氛中进行热处理而得到发光陶瓷的理由认为如下。即，如专利文献1所示，在通过烧成而制作的陶瓷abow中，认为bi以5价存在。认为，若在还原气氛中对陶瓷abow进行热处理，则从还原前的氧位向bi供给电子，由此上述bi从5价变化为3价。认为，由于形成该3价的bi，从而陶瓷变得发光。也就是说，认为，处于作为3价的bi的最外层电子轨道的6s2轨道的电子通过激励光的照射跃迁到能量更高的6s6p轨道，此后，在失活到原来的6s2轨道时出射光。以下，对本发明的发光陶瓷的具体的制造方法进行说明。首先，将陶瓷原料粉末形成为给定的形状，形成未烧成的陶瓷成型体。接着，将该未烧成的陶瓷成型体在包含氧的气氛中进行烧成，从而制作陶瓷abow。关于陶瓷abow的烧成气氛，优选氧浓度为98体积％以上。烧成温度(最高温度)例如能够设为1500℃以上且1800℃以下程度。烧成工序中的烧成温度(最高温度)保持时间例如能够设为5小时以上且100小时以下程度。接着，通过将得到的陶瓷abow在还原气氛中进行热处理(还原热处理)从而制作发光陶瓷。对陶瓷abow进行热处理的还原气氛例如可以是h2/h2o气氛。陶瓷abow的热处理温度(最高温度)例如优选为800℃以上且1200℃以下，更优选为900℃以上且1100℃以下。此外，陶瓷abow的热处理温度(最高温度)下的保持时间例如能够设为1小时以上且100小时以下程度。另外，陶瓷abow的400nm以上且600nm以下的波长处的光透射率通过上述热处理而提高。认为这是因为，在通过烧成来制作陶瓷abow时产生的空穴成为色心而吸收波长为400nm以上且600nm以下这样的短波长的光，之后通过上述还原退火，从还原前的氧位供给电子，成为色心的空穴被中和。另外，如上所述，本发明涉及的发光陶瓷用abow来表示，但是a与b的摩尔比(a∶b)并不严格地限定为1∶1。在本发明中，发光陶瓷abow也包括a与b的摩尔比(a/b)为0.95以上且1.05以下的发光陶瓷。本发明涉及的发光陶瓷的主成分的晶系可以是立方晶。此外，虽然发光陶瓷用abow来表示，但是除了a、b、o成分以外，也可以包含不可避免地混入的杂质(以下，称为“不可避免的杂质”。)。作为不可避的杂质的具体例子，可举出sio2、b2o3、al2o3等。(波长变换装置的实施方式)图1是示出作为本发明的一个实施方式的波长变换装置的概略结构图。波长变换装置6包含波长变换部1和光源2。波长变换部1由本发明的发光陶瓷构成。在基板4上设置有光源2。在基板4上配置有反射器3，使得包围光源2的周围，同时包围从光源2出射的光的光轴。波长变换部1固定在反射器3的光出射侧端部，并在与光源2分离的位置与光源2对置。作为光源2，例如，能够使用led等。在驱动时，从光源2朝向波长变换部1照射激励光。激励光的一部分被反射器3反射，并到达波长变换部1。波长变换部1被激励光激励而进行发光。另外，虽然对波长变换装置6进行了说明，但是本发明的波长变换装置并不限定于图1所示的波长变换装置6，能够提供具有由本发明的发光陶瓷构成的波长变换部和向该发光陶瓷出射光的光源的多样的方式的波长变换装置。(实施例以及比较例)接着，通过对本发明的发光陶瓷的实施例以及比较例进行叙述，从而对本发明进行更详细的说明。另外，本发明并不限定于以下的实施例。(实施例1)作为原料，准备了la(oh)3、gd2o3、y2o3、zro2、hfo2、sno2、mgco3、caco3、zno2、srco3、baco3、sc2o3、ga2o3、in2o3、yb2o3、lu2o3、以及bi2o3。称量这些原料，使得成为用下述的表1的摩尔比示出的组成比，并使用球磨机进行20小时的湿式混合。在将得到的混合物进行干燥之后，在1300℃进行3小时的煅烧，得到了煅烧物。上述煅烧物与水以及有机分散剂一起放入到球磨机，进行了12小时的湿式粉碎。通过湿式成型法将得到的粉碎物成型为直径30mm×厚度5mm的圆盘状。将得到的圆盘状的成型物埋入到相同的组成的粉体，在约98体积％的氧浓度的氧气氛下，在1700℃的温度进行20小时的烧成，得到了烧结体。将得到的烧结体的两面进行镜面研磨，使得成为厚度为0.5mm的基板。然后，将上述基板切断为1/2的大小的半圆状。将切断后的基板在氧分压为1.7×10-13mpa的n2/h2/h2o混合气体的还原气氛中进行热处理，得到了评价样品。热处理时的最高温度设为1000℃，在1000℃的保持时间设为3小时。像上述的那样，得到了下述的表1以及表2所示的组成编号1～11的评价样品。对于像上述那样得到的评价样品，使用horibajobinyvon公司制造的fluoromax-4p照射波长为365nm的紫外线，并测定了此时的发光光谱。将得到的发光光谱的发光峰值波长示于下述的表1以及表2。另外，表中的波长的误差为5nm左右。此外，各评价样品具有透明性，因此使用岛津制作所制造的紫外线-可见光分光光度计uv-2500pc测定可见光区域中的直线透射率，将700nm处的值作为直线透射率示于表1以及表2。另外，表1以及表2中的供料组成比为摩尔比。[表1][表2]根据表1以及表2可知，通过在a位添加从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种元素，从而与作为比较例的组成编号1相比，能够使发光峰值波长大幅变化。例如，可知在组成编号2中，mg的含有比例为1mol％，因此发光峰值波长从组成编号1的700nm大幅移动至575nm。此外，根据表1以及表2明确可知，在使a位以及b位中的任一者含有从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种元素的情况下，都充分产生了上述波长移动。进而，可知在直线透射率中，也充分高至70％以上。(实施例2)与实施例1同样地，得到了下述的表3、表4以及表5所示的组成编号12～24的评价样品。对于得到的各评价样品，与实施例1同样地，求出了发光峰值波长和直线透射率。将结果示于表3、表4以及表5。另外，表3、表4以及表5中的供料组成比为摩尔比。[表3][表4][表5]根据表3明确可知，在使a位作为从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种元素而含有ca的情况下，在组成编号12的情况下，未发生波长移动。即，如果作为从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种元素的ca的添加量相对于a位为0.05mol％以下，则不发生波长移动。相对于此，在作为从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种元素的ca的添加量相对于a位为0.1mol％以上的情况下，发生了波长移动。因此，能够提供多样的发光峰值波长的发光陶瓷。另外，在组成编号20中，ca的含量在a位为20mol％，在该情况下，虽然产生波长移动，但是直线透射率低至不足50％。但是，在组成编号17～19中，ca的含量在a位为10mol％以下，在该情况下，产生波长移动，同时直线透射率能够提高至60％以上。进而，在组成编号13～16中，ca的含量在a位为1mol％以下，在该情况下，产生波长移动，同时直线透射率能够高至70％以上。因而，优选地，作为从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种元素的ca的添加量，在a位期望是0.1mol％以上且不足20mol％。可知，更优选地，ca的添加量期望是10mol％以下。可知，进一步优选地，ca的添加量期望是1mol％以下。根据表4的组成编号12与组成编号21的对比可明确，即使在a位含有0.05mol％的作为从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种元素的ca，在比bi的含量少的组成编号12中，也并未产生波长移动。相对于此，在组成编号21中，因为ca的添加量比bi的添加量多，所以产生了波长移动。因此可知，优选地，从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种元素相对于含有其的位的含量期望比bi相对于b位的含量多。此外，根据表5的组成编号21～24可知，即使使bi的含量变化，只要从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种元素相对于含有其的位的含量为bi相对于b位的含量以上，则产生波长移动。因此，为了使得产生波长移动而得到多样的发光峰值波长的发光陶瓷，从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种元素相对于含有其的a位的含量期望为0.1mol％以上，或者设为bi相对于b位的含量以上。此外，从光透射率的观点出发，上述从由mg、ca、zn、sr、ba、sc、ga、in、yb以及lu构成的组选择的至少一种元素相对于含有其的a位的含量期望不足20mol％，更优选为10mol％以下。(实施例3)与实施例1同样地，得到了下述的表6所示的组成编号25～34的评价样品。对于各评价样品，与实施例1同样地，求出了发光峰值波长以及直线透射率。另外，在表6中，还示出组成编号1以及组成编号7的结果。[表6]根据表6明确可知，只要在b位包含sn，则在a位含有la、gd或y中的任一者的情况下，均可得到波长移动的效果。(实施例4)与实施例1同样地，得到了下述的表7～表11所示的组成编号35～62的评价样品。与实施例1同样地，求出了发光峰值波长以及直线透射率。将结果一并示于表7～表11。[表7][表8]根据表7的组成编号35和组成编号36的结果可明确，在b位的主要的元素为zr的情况下，在a位的主要的元素为la的情况下产生了波长移动。相对于此，在b位的主要的元素为zr的情况下，在a位的主要的元素为gd、y的情况下未产生波长移动。根据表8的组成编号41～48的评价结果明确可知，在b位为zr时，只要a位的主要的元素即la的含有比例为50mol％以上，则产生波长移动。另外，在组成编号47与组成编号48的对比中，发光峰值波长相差5nm。然而，可认为发光峰值波长的5nm的差异在测定误差范围内。[表9][表10][表11]根据表9可明确，在b位的主要的元素为hf的情况下，只要a位的主要的元素的la的含有比例为50mol％以上，则产生波长移动。此外，根据表10明确可知，在b位的主要的元素为zr以及hf的情况下，只要a位的主要的元素la为50mol％以上，则产生波长移动。根据表11明确可知，只要是在b位含有sn的情况，则即使a位的主要的元素la的含量不为50mol％以上，也产生波长移动。因此，根据表9～表11明确可知，在b位不包含sn且在b位包含zr或hf中的任一者的情况下，只要a位的主要的元素la为50mol％以上，则可得到波长移动的效果。虽然由上述各种元素的添加造成的波长移动的原因并不确定，但是可以认为如下。因为与添加元素的种类无关地观察到发光峰值波长的变化，所以认为添加离子的价数及其置换位的关系可能会有影响。即，认为二价离子向通常三价离子所位于的a位的置换、三价离子向通常四价离子所位于的b位的置换可能会有影响。因此，对实际的评价样品中的添加元素的存在位进行了研究。以组成编号3以及组成编号11的评价样品为例，进行了根据晶格常数的推测。首先，以lazrow为基础，制作了用sn将b位的zr置换了0、5、10、20、50、90、100mol％的试样，并将其晶格常数的实测值相对于b位构成离子的离子半径的平均值进行了绘图。将该结果示于图2。此外，同样地制作用y将a位的la置换了0、20、50、80mol％的试样，并将其晶格常数的实测值相对于a位构成离子的离子半径的平均值进行了绘图。将该结果示于图3。在此，离子半径的平均值通过计算各离子的6配位离子半径与该离子的构成比率之积的方法来求出。另外，作为离子半径，求出了以下的香农(shannon)的值。“zr4+，sn4+，la3+，y3+，ca2+，lu3+”的6配位离子半径＝“0.72，0.69，1.032，0.90，1.00，0.86”根据图2以及图3可知，在b位以及a位中的任一者中，离子半径的平均值和晶格常数均处于大致线性的关系，遵循维加德定律(vegard′slaw)。通过使用在此得到的线性近似的关系式，从而能够计算添加物对特定的位的元素进行了置换的情况下的、晶格常数的增减量。对于组成编号3的评价样品中的ca、组成编号11的评价样品中的lu的情况，对它们在a位或b位置换了1mol％时的晶格常数的增减量的推测值和通过xrd光谱实际求出的值进行了比较。将结果示于下述的表12。[表12]虽然未观察到准确的一致，但是根据表12推测，在可观察到晶格常数的减少的评价样品组成编号3中，ca置换到a位，在基本观察不到晶格常数的变化的评价样品组成编号11中，lu置换到a位以及b位双方。因此，认为二价离子向a位的置换、三价离子向b位的置换是发光峰值波长变化的主要原因。另外，在上述实施例1～4中，准备了组成编号1～62的评价样品，该组成编号1～62中的各元素的比例是供料组成比中的摩尔比。该供料组成比的摩尔比与由实际得到的烧结体构成的评价样品中的作为各元素的含有比例的摩尔比等同。这可通过xrf分析根据得到的烧结体的含有比例进行确认。在下述的表13，对于作为通过组成编号3以及组成编号11得到的烧结体的评价样品中的元素含有比例，示出通过xrf分析得到的结果。[表13]lacasnlubi0.9910.0090.99900.0010.39800.9930.0090.001可知表1的组成编号3以及表2的组成编号11中的各元素的供料组成比与表13中的各元素的通过xrf分析得到的摩尔比等同。(实施例5)与实施例1同样地得到了前述的组成编号1和下述的表14所示的组成编号63的评价样品。此外，对于组成编号1以及组成编号63的评价样品，与实施例1同样地，求出了发光峰值波长。此外，测定了晶格常数。将结果一并示于下述的表14。[表14]根据表14可明确，在组成编号1以及组成编号63中的任一评价样品中，均未发生发光峰值波长的移动。(实施例6)与实施例1同样地，得到了下述的表15所示的组成编号35、36、64～71的评价样品。与实施例1同样地，求出了评价样品的发光峰值波长、直线透射率。此外，对于组成编号35的评价样品，一并示出晶格常数。[表15]根据组成编号35与组成编号36的对比可知，在含有sc的情况下，发光峰值波长也移动，且能够得到充分的直线透射率。此外，根据组成编号64～69的结果可知，与ca的情况同样地，在共同添加了sc的情况下，只要sc的含有比例为0.1mol％以上，则产生充分的波长移动。此外，确认了，若超过20mol％，则直线透射率变得比组成编号69的评价样品的情况低。此外，根据组成编号70、71的评价样品明确可知，即使在共同添加了sc的情况下，若bi的含有比例变化，则发光峰值波长的移动量也变化。另外，在本发明涉及的发光陶瓷中，在最终通过制备得到的包含用abow表示的烧绿石型化合物的发光陶瓷中，各元素存在于a位或b位。关于各元素存在于a位或b位中的哪一个，例如能够通过使用了辐射光的xafs(x-rayabsorptionfinestructure，x射线吸收精细结构法)进行确认。该xafs能够得到元素的存在位的信息并多用于定性的分析，但是通过分析，还能够进行元素的占用率的定量。即，在x射线区域中，各元素具有与内层跃迁相伴的元素固有的吸收。根据该吸收光谱，可得到配位至关注的元素的原子的种类、数目、耦合距离、对称性这样的信息。在材料中，根据已知存在于给定的位的元素中的信息和xafs的测定结果，能够知道各元素存在于哪个位。附图标记说明1：波长变换部；2：光源；3：反射器；4：基板；6：波长变换装置。当前第1页12