包含元素硅的膜的化学机械平面化的制作方法

技术特征：

技术总结
本文公开了包含磨料颗粒和用于提高包含元素硅(例如多晶硅和硅‑锗)的膜的去除速率的添加剂的化学机械平面化(CMP)抛光组合物。

技术研发人员：J·M·亨利;周鸿君;K·P·沐蕾拉;D·C·坦伯利;J·罗斯
受保护的技术使用者：弗萨姆材料美国有限责任公司
技术研发日：2018.02.28
技术公布日：2018.09.07