技术特征：
技术总结
本发明涉及一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料，属于光学防伪材料技术领域。本发明光学防伪材料的化学通式为Bi3‑xEuxO4M；其中x=0.001~0.3，M为元素F、Cl、Br的一种或多种。本发明提供的稀土Eu离子掺杂的卤氧化铋半导材料中的Eu3+发光特征对激发光波长、强度、温度具有超敏感的响应特性，且物理化学性质稳定，制备方法简单、原材料成本低；该材料有望作为高敏感光学防伪材料、紫外探测器，温度传感器器，光伏铁电材料，光机械材料传感材料到应用。
技术研发人员：宋志国;胡锐;李永进;张庆福;邱建备;杨正文;徐祖元;张相周;周大成;尹兆益;杨勇;韩缙
受保护的技术使用者：昆明理工大学
技术研发日：2018.08.24
技术公布日：2019.01.22