1.一种组合物，其包括：
(a)磷酸；
(b)至少一种硅烷，其选自(i)烷氨基烷氧硅烷及(ii)烷氨基羟基硅烷，其中所述硅烷拥有选自烷氧基、羟基及氟基的至少一个部分；
(c)溶剂，其包括水；及任选地
(d)氟化物化合物，其限制条件为所述氟化物化合物不为六氟硅酸。
2.根据权利要求1所述的组合物，其中按所述组合物的总重量计，所述磷酸以50重量百分比至95重量百分比的范围存在。
3.根据权利要求1所述的组合物，其中所述氟化物化合物存在且选自hf及单氟磷酸。
4.根据权利要求3所述的组合物，其中所述氟化物化合物选自氟化铯及氟化钾。
5.根据权利要求1所述的组合物，其中所述氟化物化合物存在且选自氟硼酸；六氟磷酸四甲铵；氟化铵；二氟化铵；四氟硼酸季铵及四氟硼酸季鏻，其分别具有式nr'4bf4及式pr'4bf4，其中r'可彼此相同或不同，且选自氢、直链、支链或环状c1-c6烷基及直链或支链c6-c10芳基；四氟硼酸四丁铵(tba-bf4)；及其组合。
6.根据权利要求1所述的组合物，其中所述烷氨基烷氧硅烷及烷氨基羟基硅烷化合物由下式表示
其中各x独立地选自氟、c1-c8烷基或具有式-or的基团，其中r为氢或c1-c8烷基，n为1至6的整数，且各r1独立地选自氢、c1-c8烷基或具有式c1-c8烷氧基(ch2)n--的基团。
7.根据权利要求6所述的组合物，其中r为甲基或乙基。
8.根据权利要求6所述的组合物，其中该烷氨基烷氧硅烷及烷氨基羟基硅烷化合物选自(3-氨丙基)三乙氧基硅烷；(3-氨丙基)硅烷-三醇；3-氨丙基二甲基乙氧基硅烷；3-氨丙基甲基二乙氧基硅烷；及n-(2-氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷；(n,n-二甲基-3-氨丙基)三甲氧基硅烷；及3-氨丙基二甲基氟硅烷。
9.根据权利要求1所述的组合物，其进一步包括一级、二级或三级c1-c6烷胺或其磷酸二氢盐。
10.根据权利要求1所述的组合物，其中所述烷氨基烷氧硅烷及烷氨基羟基硅烷化合物由下式表示
其中各x独立地选自氟、c1-c8烷基或具有式-or的基团，其中r为氢或c1-c8烷基，n为1至6的整数，y为1至6的整数，且其中z为1至6的整数。
11.根据权利要求10所述的组合物，其中r为甲基或乙基。
12.根据权利要求10所述的组合物，其中所述硅烷选自n-(3-三甲氧基硅烷基丙基)二亚乙基三胺；n-(2-氨乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷；n-(2-氨乙基)-3-氨丙基硅烷三醇；(3-三甲氧基硅烷基丙基)二亚乙基三胺；及n-(6-氨己基)氨丙基三甲氧基硅烷。
13.根据权利要求10所述的组合物，其进一步包括一级、二级或三级c1-c6烷胺或其磷酸二氢盐。
14.一种组合物，其包括：
(a)磷酸；
(b)n-(2-氨乙基)-3-氨丙基-硅烷-三醇或(3-氨丙基)硅烷三醇；及
(c)溶剂，其包括水。
15.根据权利要求14所述的组合物，其进一步包括hf或单氟磷酸。
16.根据权利要求14所述的组合物，其进一步包括三乙胺或其磷酸二氢盐。
17.一种用于从微电子装置移除氮化硅的方法，所述方法包括在足以从所述微电子装置至少部分地移除所述氮化硅材料的条件下使所述微电子装置与根据权利要求1所述的组合物接触足够的时间。
18.根据权利要求1所述的组合物，其中所述烷氨基烷氧硅烷及烷氨基羟基硅烷化合物由下式表示
19.根据权利要求1所述的组合物，其中所述烷氨基烷氧硅烷及烷氨基羟基硅烷化合物由下式表示
20.根据权利要求1所述的组合物，其中所述烷氨基烷氧硅烷及烷氨基羟基硅烷化合物由式(i)或(ii)表示