1.本发明涉及一种非硅转移保护膜及其制备方法，属于复合保护膜材料领域。
背景技术：
2.电子产品的日新月异，产品的更新换代相当迅速，且客户的要求也越来越多样化，要求也越来越苛刻，更多的关注消费者的使用效果。
3.金属板材、塑料板材、铝塑材料，印刷材料等材料在运输和使用过程中，其表面容易受到接触性污染或划痕等。通常采用保护膜覆盖在其表面使之免受损伤和环境污染。另外，在一些玻璃材料的加工过程中、制程中，需要一些特殊的保护膜，来完成制程的保护及加工等工序，且保护膜撕除后，被贴物表面不能留有残留，尤其含硅的物质，主要担心硅物质的残留，影响下一制程的使用，譬如粘结强度不合格等等。
技术实现要素：
4.本发明的目的在于提供一种非硅转移保护膜及其制备方法，旨在解决现有技术中保护膜撕除后残留的问题。
5.为解决上述技术问题，本发明是采用下述技术方案实现的：一种非硅转移保护膜，包括非硅转移层、胶黏剂层以及基材层，所述胶黏剂层设置在非硅转移层和基材层之间，所述非硅转移层为非硅离型膜，所述胶黏剂层的为聚氨酯胶黏剂或丙烯酸酯胶黏剂。
6.进一步的，所述非硅离型膜为残余值不小于90%的pet、pi、pe、cpp和/或bopp中的任意一种。
7.进一步的，所述基材层的的材质为析出值低于1%的pet、pi、pe、cpp和/或bopp中的任意一种。
8.进一步的，所述基材层的厚度为4
‑
250μm。
9.进一步的，所述非硅离型膜的厚度为12
‑
125μm。
10.进一步的，所述胶黏剂层的厚度为3
‑
50μm。
11.本发明第二个目的是提供一种上述非硅转移保护膜的制备方法，包括在基材层的一面均匀涂布胶黏剂，放入烘箱中烘烤后，形成胶黏剂层；在胶黏剂层上贴合非硅离型膜，然后进行收卷并进行烤箱熟化，制得非硅转移保护膜。
12.进一步的，所述烘箱中烘烤的温度为120
o
c。
13.与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：使用非硅离型膜组成的非硅转移层以及聚氨酯胶黏剂或丙烯酸酯胶黏剂构成的胶黏剂层，并在胶黏剂层两面分别贴覆基材层和非硅转移层，使得本发明的非硅转移保护膜在贴敷产品后能方便撕除，在保护膜撕除后没有物质的残留。
附图说明
14.图1为本发明非硅转移保护膜的结构示意图。
具体实施方式
15.下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
16.本发明采用的非硅离型膜为残余值不小于90%的pet、pi、pe、cpp和/或bopp中的任意一种，采用的基材层的的材质为析出值低于1%的pet、pi、pe、cpp和/或bopp中的任意一种。以下具体实施例以pet材质的非硅离型膜和基材层为例。
17.实施例1如图1所示，本发明提供了一种非硅转移保护膜，包括非硅转移层1、胶黏剂层2以及基材层3，所述胶黏剂层2设置在非硅转移层1和基材层3之间，所述非硅转移层1为非硅离型膜，所述胶黏剂层2的为聚氨酯胶黏剂。其中所述非硅离型膜为残余值不小于90%的pet，非硅离型膜的厚度为12μm；基材层的的材质为析出值低于1%的pet，基材层的厚度为4μm；聚氨酯胶黏剂制成的胶黏剂层的厚度为3μm。
18.上述的非硅转移保护膜的制备方法为：取厚度为4μm析出值低于1%的pet材料作为基材层3，将聚氨酯胶黏剂均匀的涂覆在基材层3上，静置10min后，放入烘箱中烘烤，烘烤温度严格控制在120
o
c，烘烤时间为1h，取出后冷却30min，形成3μm厚的胶黏剂层2，然后在胶黏剂层2另一面贴覆12μm的残余值不小于90%的pet非硅离型膜1，保证中间无气泡产生，最后将贴敷好的保护膜收卷并放入烤箱中熟化，熟化温度为60 o
c，制得本发明所述的非硅转移保护膜。
19.实施例2如图1所示，本发明提供了一种非硅转移保护膜，包括非硅转移层1、胶黏剂层2以及基材层3，所述胶黏剂层2设置在非硅转移层1和基材层3之间，所述非硅转移层1为非硅离型膜，所述胶黏剂层2的为聚氨酯胶黏剂。其中所述非硅离型膜为残余值不小于90%的pet，非硅离型膜的厚度为40μm；基材层的的材质为析出值低于1%的pet，基材层的厚度为60μm；聚氨酯胶黏剂制成的胶黏剂层的厚度为12μm。
20.上述的非硅转移保护膜的制备方法为：取厚度为60μm析出值低于1%的pet材料作为基材层3，将聚氨酯胶黏剂均匀的涂覆在基材层3上，静置10min后，放入烘箱中烘烤，烘烤温度严格控制在120
o
c，烘烤时间为1h，取出后冷却30min，形成12μm厚的胶黏剂层2，然后在胶黏剂层2另一面贴覆40μm的残余值不小于90%的pet非硅离型膜1，保证中间无气泡产生，最后将贴敷好的保护膜收卷并放入烤箱中熟化，熟化温度为60 o
c，制得本发明所述的非硅转移保护膜。
21.实施例3如图1所示，本发明提供了一种非硅转移保护膜，包括非硅转移层1、胶黏剂层2以及基材层3，所述胶黏剂层2设置在非硅转移层1和基材层3之间，所述非硅转移层1为非硅离型膜，所述胶黏剂层2的为聚氨酯胶黏剂。其中所述非硅离型膜为残余值不小于90%的pet，非硅离型膜的厚度为70μm；基材层的的材质为析出值低于1%的pet，基材层的厚度为120μm；聚氨酯胶黏剂制成的胶黏剂层的厚度为24μm。
22.上述的非硅转移保护膜的制备方法为：取厚度为120μm析出值低于1%的pet材料作为基材层3，将聚氨酯胶黏剂均匀的涂覆在基材层3上，静置10min后，放入烘箱中烘烤，烘烤温度严格控制在120
o
c，烘烤时间为1h，取出后冷却30min，形成24μm厚的胶黏剂层2，然后在胶黏剂层2另一面贴覆70μm的残余值不小于90%的pet非硅离型膜1，保证中间无气泡产生，最后将贴敷好的保护膜收卷并放入烤箱中熟化，熟化温度为60 o
c，制得本发明所述的非硅转移保护膜。
23.实施例4如图1所示，本发明提供了一种非硅转移保护膜，包括非硅转移层1、胶黏剂层2以及基材层3，所述胶黏剂层2设置在非硅转移层1和基材层3之间，所述非硅转移层1为非硅离型膜，所述胶黏剂层2的为聚氨酯胶黏剂。其中所述非硅离型膜为残余值不小于90%的pet，非硅离型膜的厚度为100μm；基材层的的材质为析出值低于1%的pet，基材层的厚度为180μm；聚氨酯胶黏剂制成的胶黏剂层的厚度为36μm。
24.上述的非硅转移保护膜的制备方法为：取厚度为180μm析出值低于1%的pet材料作为基材层3，将聚氨酯胶黏剂均匀的涂覆在基材层3上，静置10min后，放入烘箱中烘烤，烘烤温度严格控制在120
o
c，烘烤时间为1h，取出后冷却30min，形成36μm厚的胶黏剂层2，然后在胶黏剂层2另一面贴覆100μm的残余值不小于90%的pet非硅离型膜1，保证中间无气泡产生，最后将贴敷好的保护膜收卷并放入烤箱中熟化，熟化温度为60 o
c，制得本发明所述的非硅转移保护膜。
25.实施例5如图1所示，本发明提供了一种非硅转移保护膜，包括非硅转移层1、胶黏剂层2以及基材层3，所述胶黏剂层2设置在非硅转移层1和基材层3之间，所述非硅转移层1为非硅离型膜，所述胶黏剂层2的为丙烯酸酯胶黏剂。其中所述非硅离型膜为残余值不小于90%的pet，非硅离型膜的厚度为125μm；基材层的的材质为析出值低于1%的pet，基材层的厚度为250 μm；丙烯酸酯胶黏剂制成的胶黏剂层的厚度为50μm。
26.上述的非硅转移保护膜的制备方法为：取厚度为250 μm析出值低于1%的pet材料作为基材层3，将丙烯酸酯胶黏剂均匀的涂覆在基材层3上，静置10min后，放入烘箱中烘烤，烘烤温度严格控制在120
o
c，烘烤时间为1h，取出后冷却30min，形成50μm厚的胶黏剂层2，然后在胶黏剂层2另一面贴覆125μm的残余值不小于90%的pet非硅离型膜1，保证中间无气泡产生，最后将贴敷好的保护膜收卷并放入烤箱中熟化，熟化温度为60 o
c，制得本发明所述的非硅转移保护膜。
27.对比例1与实施例2不同的是，对比例1中采用的是普通的有机硅离型膜和，基材层为普通的pet。
28.为了满足客户需求，测试性能要求标准为：膜面阻抗值≤10次方；胶面阻抗值≤11次方；膜面剥离静电压＜400v, 胶面剥离静电压＜500v，粘着力＜600gf/inch。在高温高湿环境下，分别对实施例1
‑
5及对比例1的保护膜的粘着力性能和撕除后有无残胶的情况进行测试，测试结果如下：项目实施例1实施例2实施例3实施例4实施例5对比例1粘着力（gf/in）1081311989
有无残胶无无无无无有经过对实施例1
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5以及对比例1的性能测试，可以明确看出使用残余值不小于90%的pet非硅离型膜以及析出值小于1%的基材，能有效避免在保护膜撕除后胶黏剂的残留情况。
29.以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。