一种压合镶嵌IC芯片和金属块类的控胶膜的制作方法

一种压合镶嵌ic芯片和金属块类的控胶膜
技术领域
1.本发明涉及阻胶膜技术领域，尤其涉及一种压合镶嵌ic芯片和金属块类的控胶膜。


背景技术：

2.控胶膜又名耐高温阻胶膜。它具有优异的物理性能、耐温性能及尺寸稳定性、可回收性，可广泛的应用于阻胶、压合离型、电子、工业用膜、线路板制造行业压合镶嵌金属类，包含铜块、镍块、锡块、ic芯片等领域。
3.由于线路板行业，对填金属块产品流胶量的品质标准逐步提高，在压合工艺生产时，金属块与基材之间缝隙内的胶不允许流出产品外表，但又需要将缝隙内填满胶。
4.但是现行业里使用的压合阻胶膜材料压合生产填金属块的产品时，都无法将金属块与基材之间缝隙内的胶控制不流出而造成金属块凸出，或者阻胶能力太强，金属块与基材之间缝隙内胶无法填满，而后又需要增加除胶工序或者导致产品报废，既影响了生产效率，也增加了生产成本。


技术实现要素：

5.1.要解决的技术问题本发明的目的是为了解决现有技术中压合阻胶膜材料中，压合生产填金属块类产品时，无法控制金属块与基材之间缝隙内的胶不流出而造成金属块凸出或胶填不满缝隙的问题，而提出的一种压合镶嵌ic芯片和金属块类的控胶膜。
6.2.技术方案为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：一种压合镶嵌ic芯片和金属块类的控胶膜，包括第一离型层和第二离型层，其特征在于：所述第一离型层和第二离型层之间设有阻胶层，所述第一离型层和第二离型层远离阻胶层的一侧分别涂覆有第一离型剂层和第二离型剂层。
7.优选地，所述阻胶层为丙烯酸胶或聚酯胶中的一种，且厚度为10-20μm。
8.优选地，所述第一离型层和第二离型层均为pet、pe或pp离型层中的一种，且厚度为10-15μm。
9.优选地，所述第一离型剂层和第二离型剂层均为自离型、硅油或非硅离型剂中的一种，且厚度为＜1μm。
10.本发明提出了一种压合镶嵌ic芯片和金属块类控胶膜的制造方法，包括以下步骤：步骤1,先在第一离型层和第二离型层相邻的表面涂布阻胶层；步骤2，然后在第一离型层和第二离型层相远离的表面涂布第一离型剂层和第二离型剂层。
11.优选地，所述聚酯胶包括以下重量百分比的组份：环氧树脂30-40％、饱和聚酯树
脂25-40％、固化剂2-4％、流平剂0.3-0.5％、抗uv剂0.2-0.6％、抗氧剂0.3-0.5％、硅烷偶联剂0.2-0.4％。
12.优选地，所述聚酯胶包括以下重量百分比的组份：环氧树脂30％、饱和聚酯树脂40％、固化剂2％、流平剂0.5％、抗uv剂0.2％、抗氧剂0.5％、硅烷偶联剂0.2％。
13.优选地，所述聚酯胶包括以下重量百分比的组份：环氧树脂40％、饱和聚酯树脂25％、固化剂4％、流平剂0.3％、抗uv剂0.6％、抗氧剂0.3％、硅烷偶联剂0.4％。
14.本发明提出了聚酯胶的制备方法，包括以下步骤：s1：按各组份的按重量百分比将环氧树脂、饱和聚酯树脂、抗uv剂、抗氧剂、硅烷偶联剂加入搅拌釜中，开始加热，在50-70℃之间反应搅拌均匀成透明溶液；s2：再加固化剂和流平剂继续搅拌2-3小时，降温至30℃以下，即可制得聚酯胶。
15.3.有益效果相比于现有技术，本发明的优点在于：（1）本发明中，通过设置第一离型剂层和第二离型剂层，可以提升控胶膜的离型能力，设置阻胶层，可以提升控胶膜的耐高温和控胶能力，同时第一离型层和第二离型层的设置，可以提升控胶膜的离型能力。
16.（2）本发明中，将具有优越离型能力的离型膜使用阻胶层胶水结合在一起，实现既具有离型能力又具有耐高温和控胶能力。
17.（3）本发明中，第一离型剂层和第二离型剂层的设置，可以提升阻胶膜的离型能力，阻胶层的设置，可以提升阻胶膜的填充耐高温和控胶能力，同时第一离型层和第二离型层的设置，可以提升阻胶膜的离型能力。
附图说明
18.图1为本发明提出的一种压合镶嵌ic芯片和金属块类的控胶膜的结构示意图。
19.图中：1、第一离型剂层；2、第一离型层；3、阻胶层；4、第二离型层；5、第二离型剂层。
具体实施方式
20.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
21.实施例1：参照图1，一种压合镶嵌ic芯片和金属块类的控胶膜，包括第一离型层2和第二离型层4，第一离型层2和第二离型层4均为pet、pe、pp离型层，且厚度为10-15μm，需要说明的是，离型力类似于剥离所需的力，可分为轻型、中型、重型离型力，在一个实施例中，将离型剂涂布于环保材质pet、pe、pp薄膜的表层上，让它对于各种不同的有机压感胶可以表现出极轻且稳定的离型力，用于提升控胶膜的离型能力。
22.本实施例中，第一离型层2和第二离型层4之间设有阻胶层3，阻胶层3为丙烯酸胶和聚酯胶，且厚度为10-20μm，优选为10μm，应用于实施例中时，能够有效的封堵电路板上的盲孔，用于提升阻胶膜的控胶能力。
23.本实施例中，第一离型层2和第二离型层4远离阻胶层3的一侧分别涂覆有第一离
型剂层1和第二离型剂层5，第一离型剂层1和第二离型剂层5均为自离型、硅油和非硅离型剂，且厚度为＜1μm，第一离型层2和第二离型层4配合第一离型剂层1和第二离型剂层5，在一个实施例中，能够通过位于阻胶膜表层的第一离型剂层1和第二离型剂层5耐受外界的高温状态，并在线路板压合过程中完成压合封边，减少树脂胶外溢的可能。
24.本实施例中，第一离型剂层1和第二离型剂层5的设置，可以提升阻胶膜的离型能力，阻胶层3的设置，可以提升阻胶膜的填充耐高温和控胶能力，同时第一离型层2和第二离型层4的设置，可以提升阻胶膜的离型能力。
25.本实施例中，将具有优越离型能力的离型膜使用阻胶层的胶水结合在一起，实现既具有离型能力又具有耐高温和控胶能力。
26.实施例2：其具有上述实施例的实施内容，其中，对于上述实施例的具体实施方式可参阅上述描述，此处的实施例不作重复详述；而在本技术实施例中，其与上述实施例的区别在于：一种压合镶嵌ic芯片和金属块类控胶膜的制造方法，包括以下步骤：步骤1,先在第一离型层2和第二离型层4相邻的表面涂布阻胶层3；步骤2，然后在第一离型层2和第二离型层4相远离的表面涂布第一离型剂层1和第二离型剂层5。
27.实施例3：其具有上述实施例的实施内容，其中，对于上述实施例的具体实施方式可参阅上述描述，此处的实施例不作重复详述；而在本技术实施例中，其与上述实施例的区别在于：聚酯胶包括以下重量百分比的组份：环氧树脂30-40％、饱和聚酯树脂25-40％、固化剂2-4％、流平剂0.3-0.5％、抗uv剂0.2-0.6％、抗氧剂0.3-0.5％、硅烷偶联剂0.2-0.4％。
28.实施例4：其具有上述实施例的实施内容，其中，对于上述实施例的具体实施方式可参阅上述描述，此处的实施例不作重复详述；而在本技术实施例中，其与上述实施例的区别在于：聚酯胶包括以下重量百分比的组份：环氧树脂30％、饱和聚酯树脂40％、固化剂2％、流平剂0.5％、抗uv剂0.2％、抗氧剂0.5％、硅烷偶联剂0.2％。
29.实施例5：其具有上述实施例的实施内容，其中，对于上述实施例的具体实施方式可参阅上述描述，此处的实施例不作重复详述；而在本技术实施例中，其与上述实施例的区别在于：聚酯胶的制备方法，包括以下步骤：s1：按各组份的按重量百分比将环氧树脂、饱和聚酯树脂、抗uv剂、抗氧剂、硅烷偶联剂加入搅拌釜中，开始加热，在50-70℃之间反应搅拌均匀成透明溶液；s2：再加固化剂和流平剂继续搅拌2-3小时，降温至30℃以下，即可制得聚酯胶。
30.以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。