专利名称：处理装置系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及处理装置系统，更详细地说，涉及一种可以提高被处理体的处理效率、进一步节省空间的处理装置系统。
背景技术：
如图17(a)所示，现有技术的处理装置系统包括沿着搬送路1排列的多个处理装置2；与多个处理装置2一起按照夹持搬送路1的方式而排列的多个盒体3；和在处理装置2与盒体3之间传递基板的第一传递机构4。处理装置2包括处理基板的处理室2A、以及在处理室2A与真空预备室(负载锁定室)2B之间设置有传递基板的第二传递机构2C的搬送室2D。当在盒体3和处理室2A之间传递基板时，在大气压下，驱动第一传递机构4将基板从盒体3中取出，搬送至负载锁定室2B。然后，将负载锁定室2B内调整至与搬送室2D接近的真空气氛后，打开两者间的闸阀，在真空下，驱动第二传递机构2C，将负载锁定室2B内的基板暂时搬入到搬送室2D内，然后，关闭闸阀，将搬送室2D内的基板搬入到处理室2A内，关闭处理室2A的闸阀，对基板实施规定的处理。在基板的处理后，通过第一、第二传递机构4、2C，沿着相反的路径将基板返回至盒体3内。其中，在本图中，表示仅一个处理装置2的第二传递机构2C，但是，另一处理装置2也可以具有同一传递机构。
此外，图17(b)表示的是将处理装置2设置为多腔室型的处理装置。而且，多个处理室2A连接在搬送室2D的三个侧面上，在剩余的一个侧面上连接有负载锁定室2B。在该多腔室型的处理装置的情况下，与本图(a)中所示的处理装置2相同，包括在大气压下驱动的第一传递机构4以及在真空下驱动的第二传递机构2C，通过第一、第二传递机构4、2C，在盒体3和处理室2A之间进行基板的传递。在专利文献1的技术的情况下，与图17(b)的处理装置系统不同，第一、第二传递机构具有上下两段的搬送臂，在大气压下通过第一传递机构将两枚基板同时搬送至负载锁定室中，在真空下通过第二传递装置将未处理的基板和处理过的基板，在负载锁定室和处理室之间传递，实现提高处理效率。
在专利文献2中，提出了具有兼作搬送室的负载锁定室的半导体制造装置的方案。该负载锁定室与真空处理室的侧向相邻，具有用于搬送基板(晶片)的搬送臂以及上下两段的架形晶片支撑结构。在此情况下，由于负载锁定室兼作搬送室，所以可以减小半导体制造装置的设置空间，从而降低设备成本。
在专利文献3中，提出了工件(work)的处理方法及其处理装置的方案。在该方法中，在搬送装置的搬送路径外，设置有多个进行处理的作业装置，依次将多个工件从搬送装置取出，传递至处于作业等待状态的作业装置中，并将工件从完成作业的作业装置返回至搬送装置。如上所述，由于从搬送路径取出工件来进行利用作业装置的处理，因此，与处理中的工件的支撑相关，且不会受到搬送装置的制约，可以分别在适合的条件下，支撑各种尺寸的工件，并进行处理。
在专利文献4中，提出了半导体装置的生产系统的方案。在该系统的情况下，对于一个工序的处理装置，设置有从前面工序中的卸载经处理装置连接下面工序的装载的环形载体搬送线。在载体搬送线中，设置有将搭载有需利用处理装置处理的半导体晶片的载体，从前一工序搬送的载体搬送线；和将搭载有在处理装置中进行处理后的半导体晶片的载体，向下一工序搬送的载体搬送线。该载体搬送线对于多个处理装置是通用的，大致并列设置。利用该结构，可以实现不使载体滞留，减小载体搬送线的所占面积。
专利文献1日本特开2001-160584号公报专利文献2日本特开平05-198660号公报专利文献3日本特开平2004-079614号公报专利文献4日本特开平2003-152047号公报但是，对于图17的(a)、(b)以及专利文献1的处理装置来说，为了在盒体与真空处理室之间，通过负载锁定室传递基板，都必须在盒体与负载锁定室之间设置传递基板的第一传递机构，并在负载锁定室与处理室之间设置传递基板的第二传递机构，而且，由于要将第二传递机构调整至与处理室接近的真空度，因此，在搬入搬出基板时，必须使负载锁定室在与搬送室相同程度的真空度和大气压之间进行反复调整，在基板传递上需要很多时间，不能提高处理效率，此外，在搬送室外，必须设置负载锁定室，因此存在空间上的问题。
此外，对于专利文献2的半导体制造装置来说，由于使用搬送室内的传递机构在盒体与处理室之间传递基板，因此，与专利文献1的情况相比，省略了负载锁定室以及在大气压下使用的传递机构，提高基板的处理效率并实现节省空间，但是，由于半导体制造装置与盒体之间一一对应，因此，为了进一步提高基板的处理效率，在将半导体制造装置多个排列时，每个装置都需要盒以及升降装置(分度器indexer)，因而，设备复杂且成本较高，而且，与其他工序衔接进行基板处理时，必须将处理前后的基板暂时收纳在盒内，限制处理效率提高。在使处理装置与盒一对一地对应，并对基板进行处理这一点上，在专利文献4中记载的技术也与此相同。
并且，在专利文献3的处理方法以及处理装置的情况下，由于对于一个移送装置(相当于传递机构)，对应有多个操作装置(相当于处理装置)，利用移送装置将基板移置到任何一个空闲的作业装置中，因此，在将基板移置到作业装置中时，必须探测空闲的作业装置，只在这方面使作业效率低下。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种缩短搬送线和多个处理装置之间的被处理体的传递，可以缩短每块被处理体所需要的处理时间，而且提高被处理体的处理效率，另外可提高与其他工序衔接在多个工序中的被处理体的处理效率，还可实现节省空间的处理装置系统。
本发明的第一方面所述处理装置系统，其特征在于，包括搬送被处理体的搬送线，沿着该搬送线设置且处理上述被处理体的多个处理装置，和在这些处理装置与上述搬送线之间传递被处理体的传递机构，其中，上述传递机构在上述搬送线与上述多个处理装置之间同时传递多个被处理体。
此外，本发明的第二方面所述处理装置系统，其特征在于，包括搬送被处理体的搬送线，沿着从该搬送线的上游侧到下游侧设置且处理上述被处理体的多个处理装置，和在这些处理装置与上述搬送线之间传递被处理体的传递机构，其中，上述传递机构在上述搬送线与上述各处理装置之间，按照从上游侧到下游侧的顺序传递上述被处理体。
此外，本发明的第三方面所述处理装置系统，其特征在于，包括搬送被处理体的搬送线，沿着从该搬送线的上游侧到下游侧设置且处理上述被处理体的多个处理装置，和在上述处理装置与上述搬送线之间传递被处理体的传递机构，其中，上述传递机构在上述搬送线与上述各处理装置之间以任意的顺序传递上述被处理体。
此外，本发明的第四方面所述处理装置系统，其特征在于，包括在大气中搬送被处理体的搬送线，沿着该搬送线设置且对上述被处理体实施真空处理的多个处理装置，和在这些处理装置与上述搬送线之间传递上述被处理体的传递机构，其中，上述传递机构在大气中的上述搬送线与上述各处理装置之间传递上述被处理体。
此外，本发明的第五方面所述处理装置系统，是根据第一方面～第四方面中何一方面所述的处理装置系统，其特征在于将作为上述传递机构的构成要素的第一传递机构设置在真空预备室内。
此外，本发明的第六方面所述处理装置系统，是根据第五方面所述的处理装置系统，其特征在于上述真空预备室具有在传递上述被处理体时支撑被处理体的至少一个支撑机构；上述真空预备室的容积小于为使上述被处理体旋转而必须的容积。
此外，本发明的第七方面所述处理装置系统，是根据第一方面～第六方面中任一方面所述处理装置系统，其特征在于上述搬送线具有可单独控制搬送、停止的搬送区。
此外，本发明的第八方面所述处理装置系统，是根据第七方面所述处理装置系统，其特征在于上述搬送区具有多个可控制旋转的旋转辊。
此外，本发明的第九方面所述处理装置系统，是根据第七方面或者第八方面中所述处理装置系统，其特征在于上述多个搬送区中的一部分，具有使上述被处理体等待的缓冲功能。
此外，本发明的第十方面所述处理装置系统，是根据第七方面～第九方面中任一方面所述处理装置系统，其特征在于上述搬送区中的一部分，具有用于传递上述被处理体的第二传递机构。
此外，本发明的第十一方面所述处理装置系统，是根据权利要求第二方面～第四方面中任一方面所述处理装置系统，其特征在于上述搬送线具有自动搬送装置。
此外，本发明的第十二方面所述处理装置系统，是根据第十一方面所述处理装置系统，其特征在于上述自动搬送装置与上述传递机构的传递时间相配合而移动。
此外，本发明的第十三方面所述处理装置系统，是根据第十二方面所述处理装置系统，其特征在于上述自动搬送装置具有可控制旋转的多个辊。
此外，本发明的第十四方面所述处理装置系统，是根据第十一方面～第十三方面中任一方面所述处理装置系统，其特征在于上述自动搬送装置具有用于传递上述被处理体的传递功能。
此外，本发明的第十五方面所述处理装置系统，是根据第一方面～第十四方面中任一方面所述处理装置系统，其特征在于上述搬送线与其他工序的搬送线的上游侧或者下游侧连接。
此外，本发明的第十六方面所述处理装置系统，是根据权利要求第一方面～第十五方面中任一方面所述处理装置系统，其特征在于上述被处理体为FPD用玻璃基板。
根据在本发明的权利要求第一方面～第十六方面中所述处理装置系统，能够提供一种缩短搬送线与多个处理装置之间的被处理体的传递，可缩短每个被处理体的处理时间，并提高被处理体的处理效率，另外可提高与其他工序衔接在多个工序中的被处理体的处理效率，而且，实现节省空间的处理装置系统。
图1是表示本发明的处理装置系统的一个实施方式的立体图。
图2中的(a)、(b)分别为图1所示处理装置系统的一部分的示意图，其中，(a)为其平面图，(b)为表示其搬送线的侧面图。
图3中(a)、(b)分别为图2所示处理装置系统的搬送线的变形例的相当于图2的(a)、(b)的示意图。
图4是表示图1所示处理装置系统的主要部分的截面图。
图5中(a)、(b)分别为图4所示负载锁定室的示意图，其中，(a)为与图4垂直方向的截面图，(b)为表示其内部的传递机构的立体图。
图6是表示图4所示处理装置的内部的立体图。
图7是表示图1所示处理装置系统整体布局的模式图。
图8中(a)～(h)是分别说明图1所示搬送线的第二传递机构的动作的说明图。
图9中(a)～(d)是分别说明图1所示搬送线的第二传递机构的动作的说明图。
图10中(a)～(c)是分别表示在图1所示处理装置系统的各处理装置中的时序图。
图11是表示本发明的处理装置系统的另一实施方式的相当于图7的模式图。
图12是本发明的处理装置系统的另一实施方式的布局的模式图。
图13是本发明的处理装置系统的另一实施方式的布局的模式图。
图14是表示本发明的处理装置系统的另一实施方式的的立体图。
图15是表示图14所示处理装置系统的布局的模式图。
图16是表示图14所示处理装置系统的变形例的布局的模式图。
图17中(a)、(b)是分别表示现有技术的处理装置系统的布局的模式图。
符号说明10、10A、10B、10C、10D 处理装置系统11 搬送线12 处理装置13 第一传递机构14 负载锁定室(真空预备室)15 第二传递机构16 第一支撑机构
17 第二支撑机构111、112 搬送区S、S’ 玻璃基板(被处理体)具体实施方式
下面，参照图1～图16所示实施方式对本发明进行说明。
如图1、图2所示，本发明的处理装置系统10包括搬送被处理体S(例如平板显示面板(Flat Display PanelFDP)用的玻璃基板(以下简称为玻璃基板))的搬送线11；沿着该搬送线11设置的多个处理装置12；和在该处理装置12与搬送线11之间传递玻璃基板S的第一传递机构13，其中，在控制装置(图未示)的控制下，在处理装置12中对玻璃基板S实施干式蚀刻(dry etching)处理等真空处理。第一传递机构13设置在与处理装置12连接的负载锁定室14内，相对于多个处理装置12一对一地对应。负载锁定室14相对于处理装置12通过闸阀12A进行连接，此外，在搬送线11一侧的侧面上安装有闸阀14A，以使内部在大气压和真空压力之间进行切换。
而且，如图1、图2所示，搬送线11包括基台11A；在基台11A上沿着玻璃基板S的搬送方向相互平行设置的一对支撑部件11B、11B；以及在这些支撑部件11B、11B上与其垂直，沿着玻璃基板S的运送方向隔开规定间隔排列的多个旋转辊11C。而且，利用直立设置在基台11A上的支柱11D水平支撑该支撑部件11B。此外，搬送线11将例如两种的第一、第二搬送区111、112交替连接设置。第一搬送区111具有可控制旋转的多个旋转辊11C，设置在负载锁定室14的正面，并包括与第一传递机构13之间传递处理前后的玻璃基板S、S’的机构。第二搬送区112具有可控制旋转的多个旋转辊11C，设置在负载锁定室14之间，并具有使处理前后的玻璃基板S、S’暂时处于等待状态的缓冲功能。并且，第一、第二搬送区111、112可按照区块单独地对各组旋转辊11C进行控制。
如图1、图2所示，在第一搬送区111上设置有第二传递机构15。如图2所示，第二传递机构15包括沿着搬送区的边缘设置的多个第一升降销(pin)15A，和在第一升降销15A的外侧、在搬送区的上游侧和下游侧设置的多个第二升降销15B，这里，通过第一、第二升降销15A、15B分别支撑未处理的玻璃基板S或者处理后的玻璃基板S’的周围，并进行升降。第二升降销15B在上端具有接受部件15C并可旋转。此外，第二升降销15B并不局限于本实施方式，如图3所示，也可以是旋转而使玻璃基板弹起的上弹式的支撑体15B’。如后所述，当在搬送线11和处理装置12之间传递未处理的玻璃基板S和处理后的玻璃基板S’时，第一升降销15A将未处理的玻璃基板S抬起至规定的高度，并移交给第二升降销15B，在用第二升降销15B支撑未处理的玻璃基板S的期间，用第一升降销15A接受处理后的基板S’。另外，在图1中省略了第二升降销15B。
如上所述，在与第一搬送区111相向的负载锁定室14内，设置有第一传递机构13。如图2～图5所示，第一传递机构13在开启闸阀14A的状态下进行在与第一搬送区111的第二传递机构15之间的玻璃基板S、S’的传递；在关闭闸阀14A并开启闸阀12A的状态下进行在与处理装置12之间的玻璃基板S、S’的传递。此外，如图2、图4所示，在负载锁定室14上连接有真空泵14B以及气体供给部14C，在关闭闸阀12A、14A的状态下，驱动真空泵14B使室内减压，并向室内供给惰性气体(例如，N2气体)，可形成惰性气体氛围。
如图5的(a)、(b)所示，第一传递机构13具有支撑玻璃基板S、S’的手柄部13A，与手柄部的基端连接的伸屈臂部13B，与伸屈臂部13B的基端连接的可旋转的轴13C，以及驱动部13D，这里，手柄部13A和伸屈臂部13B以轴13C为中心旋转。而且，如图2所示，第一传递机构13在将伸屈臂部13B折叠的状态下，使手柄部13A在前端朝向搬送线11或者处理装置12，并在该状态下将伸屈臂部13B伸开，向搬送线11或者处理装置12前进。
此外，如图5的(a)所示，在负载锁定室14内，可升降地设置有支撑玻璃基板S、S’的支撑机构16，支撑机构16作为具有水平地支撑玻璃基板S、S’的平板或者销状接受部16A的升降销而构成。其次，第一传递机构13将玻璃基板S、S’移交给支撑机构16，并旋转180°后，再次从支撑机构16上接受玻璃基板S、S’，并将玻璃基板S、S’搬送至搬送线11或者处理装置12。如图5的(a)所示，支撑机构16形成为可以升降。
其次，由于在该传递时，并不使玻璃基板S，S’在负载锁定室14内旋转，因而可以减小负载锁定室14的平面面积，以至可以缩减处理装置系统10的占地面积(foot print)，而且，由于室内的容积很小，因而可以缩短大气压和真空的切换时间，能够缩短玻璃基板S，S’的传递时间，从而可以提高生产效率。
而且，如图2、图4所示，在处理装置12上连接有真空泵18以及气体供给部19，在关闭闸阀12A的状态下驱动真空泵，使室内减压至规定的真空度，并向室内供给加工气体，实施玻璃基板S的规定的真空处理。
即，如图4、图6所示，在处理装置12内设置有承载玻璃基板S的载置台12B，在该载置台12B上对玻璃基板S实施干式蚀刻处理等真空处理。即，例如在处理装置12的载置台12B上组装有下部电极12C，在该下部电极12C的上方设置与其平行的上部电极(图未示)。而且，在下部电极12C上通过匹配电路而连接有高频电源(图中均未示)，并从该高频电源向下部电极12C施加高频电力。此外，上部电极兼作加工气体的供给部，向下部电极12C上的玻璃基板S的整个表面供给喷淋状的加工气体。从而，在使处理装置12内保持规定的真空度的状态下，向下部电极12施加高频电力，通过使加工气体等离子化，对玻璃基板S实施干式蚀刻处理等真空处理。而且，12D是包围下部电极12C的屏蔽环(shield ring)。
在载置台12B上设置有第三传递机构20。如图6所示，该第三传递机构20可升降地设置在下部电极12C的两侧边缘部的四个位置上，其包括在载置台12B的上方传递玻璃基板S的第一传递部件20A；和与第一传递部件20A对应，可升降地设置在屏蔽环12D的多个位置上，并且可将玻璃基板S保持在高于第一传递部件20A的位置上的第二传递部件20B。如图6所示，将第一传递部件20A形成为销，在进行玻璃基板S的传递时，销的上端从形成在下部电极12C侧向边缘部的孔(图未示)的内部上升至传递位置，在其他的情况下，将销的上端收回到孔内。
第二传递部件20B，包括正反旋转例如仅90°的销20C、以及安装在该销20C的上端的矩形的接受部件20D。而且，在进行玻璃基板S的传递时，如图4、图6所示，暂时使接受部件20D从形成在屏蔽环12D内的孔上升至下部电极12C与传递位置(与第一传递部件20A的传递位置相同)的中间位置，使接受部件20D的方向改变90°，然后，再次上升至保持位置。在其他情况下，容纳到形成于屏蔽环12D的孔(图未示)内。在本实施方式中，第二传递部件20B构成为容纳在屏蔽环12D内部，但是，也可以设置在屏蔽环12D的外侧空间，还可以设置在下部电极12C的外侧。
此外，图1为表示本实施方式的处理装置系统10的主要部分的图，但是，处理装置系统10如图7所示构成其整体。即，在图1所示搬送线11的最上游，邻接配置有收容多个未处理的玻璃基板S的第一盒体21，在最下游邻接配置有收容多个处理后的玻璃基板S’的第二盒体22。并且，逐个地从第一盒体21向搬送线11供给未处理的玻璃基板S，并将处理后的基板从搬送线11收容到第二盒体22中。
下面，参照图8、图9对处理装置系统10的动作进行说明。首先，在控制装置的控制下，处理装置系统10驱动，在处理装置12中对玻璃基板S实施规定的真空处理。此时，在负载锁定室14内，使第一传递机构13保持已经处理后的玻璃基板S’并等待，同时，如图8(a)所示，在搬送线11的第一搬送区111上，利用第二传递机构15的第二升降销15B的接受部15C，将未处理的玻璃基板S从旋转辊11C上抬起并等待。此外，在上游一侧的第二搬送区112上，旋转辊11C停止旋转，使后续未处理的玻璃基板S等待。
然后，在负载锁定室14中，向室内供给N2气体而从真空状态返回到大气压，在开启闸阀14A后，如图8(b)所示，伸展伸屈臂部13B，使第一传递机构13的手柄部13A从负载锁定室14内向第一搬送区111搬出处理后的玻璃基板S’。此时，使以手柄部13A支撑的处理后的玻璃基板S’位于旋转辊11C与利用第二升降销15B支撑的未处理的玻璃基板S之间的位置。然后，驱动第二传递机构15的第一升降销15A从旋转辊11C突出，如在本图(c)中以箭头所示，将处理后的玻璃基板S’从手柄部13A上抬起。接着，驱动第一传递机构13，将手柄部13A从第一搬送区111向负载锁定室14内撤退，然后，将第一升降销15A从如本图(d)所示状态下降至(e)所示状态，将处理后的玻璃基板S’移交给旋转辊11C上。
然后，如图8的(f)所示，驱动负载锁定室14内的第一传递机构13，使手柄部13A前进，停止在第一搬送区111上方，同时，如本图箭头所示，使第二传递机构15的第二升降销15B下降。然后，如本图的(g)所示，使第二升降销15B进一步下降，将未处理的玻璃基板S移交给手柄部13A，之后，第一传递机构13用手柄部13A接受未处理的玻璃基板S，然后，使手柄部13A从第一搬送区111向负载锁定室14退出，将未处理的玻璃基板S搬入到负载锁定室14内。与该动作同时，如本图(h)中箭头所示，旋转第二升降销15B，使接受部件15C从利用旋转辊11C支撑的处理后的玻璃基板S’退开后，向旋转辊11C的下侧下降。
第一传递机构13，将未处理的玻璃基板S搬入负载锁定室14内后，关闭负载锁定室14的闸阀14A。在负载锁定室中，驱动真空泵14B，使室内减压，并从气体供给部14C供给N2气体，将空气置换为N2气体，使室内形成N2氛围后，停止N2的供给，用真空泵14B将室内减压至处理装置12内的真空度。在该期间，如图5(a)所示，在负载锁定室14内驱动支撑机构16，从第一传递机构13接受未处理的玻璃基板S，并抬起到手柄部13A的上方后，使第一传递机构13的手柄部13A旋转180°，将前端朝向处理装置12。然后，驱动支撑机构16，再次将未处理的玻璃基板S移交给手柄部13A，并开启处理装置12的闸阀12A，同时，驱动第一传递机构13，使手柄部13A向处理装置12前进，将未处理的玻璃基板S搬入到处理装置12中。
第一传递机构13向处理装置12内搬入未处理的玻璃基板S后，如图6所示，暂时使第二接受部件20D从形成在屏蔽环12D内的孔(图未示)上升至下部电极12C与传递位置(与第一传递部件20A的传递位置相同)的中间位置，将第二传递部件20D的方向改变90°后，再次上升，从而，从第一传递机构13的手柄部13A接受玻璃基板S，并保持在保持位置上。之后，第一传递机构13暂时使手柄部13A从处理装置12退出，等到在处理装置12内第一传递部件20A将处理后的玻璃基板S’抬起至传递位置后，再次使手柄部13A进入处理装置12。通过使第一传递部件20A从传递位置下降，将处理后的玻璃基板S’移交给第一传递机构13的手柄部13A，并从处理装置12搬出至负载锁定装置14。然后，关闭闸阀12A。
在处理装置12中，通过再次使第一接受部件20A上升至传递位置后，使保持未处理的玻璃基板S的第二接受部件20D下降至中间位置，而将未处理的玻璃基板S保持在第一接受部件20A上。使第二接受部件20D在中间位置上将方向改变90°后收回到屏蔽环12D内。通过也使第一接受部件20A从传递位置下降并收回到下部电极12C内，而将未处理的玻璃基板S承载在下部电极12C上，并对未处理的玻璃基板S实施规定的真空处理。
另一方面，在负载锁定室14内，利用第一传递机构13暂时将从处理装置12搬出的处理后的玻璃基板S’移交给支撑机构16，在支撑机构16上临时保持处理后的玻璃基板S’。第一传递机构13通过轴13C旋转180°使手柄13A的前端朝向搬送线11一侧。然后，使支撑机构16下降，将处理后的玻璃基板S’移交给手柄部13A。在此期间，从气体供给部14C供给N2气体，使室内返回至大气压。然后，开启闸阀14A，如图8(a)所示，第一传递机构13形成为将处理后的玻璃基板S’移交给第一搬送区111的状态。
当在负载锁定室14和处理装置12之间进行玻璃基板S、S’的传递期间，如图9(a)所示，在搬送线11上使第一搬送区111的旋转辊11C以及其上下游侧的第二搬送区112的旋转辊11C同时旋转，将第一搬送区111上的处理后的玻璃基板S’移送至下游侧的第二搬送区112，同时，将上游侧的第二搬送区112上的未处理的玻璃基板S移送至第一搬送区111。
上述移动动作结束后，在第一搬送区111上驱动第二传递机构15，如图9(b)所示，使第一升降销15A上升，将未处理的玻璃基板S从旋转辊11C上抬起，并使第二升降销15B上升。然后，第二升降销15B如本图(c)中箭头所示，使接受部件15D旋转90°后，如本图(d)所示，将未处理的玻璃基板S从第一升降销15A上取下，并使第一升降销15A下降。在此期间，在负载锁定室14内驱动第一传递机构13，为了将处理后的玻璃基板S’移交给第一搬送区111而等待。然后，重复上述一系列的动作。
上述的说明，对于在一个处理装置12中处理玻璃基板S的情况进行了说明，在本实施方式中，利用控制装置控制处理装置系统，使得如图10(a)所示，沿着搬送线11排列的多个(图7中为4个)处理装置12同时运作。在该情况下，在各自的负载锁定室14中，同时驱动与四个处理装置12对应的第一传递机构13，按图10(a)中所示L的时间，如图8(b)中所示，同时从搬送线11上接受未处理的玻璃基板S，并同时将未处理的玻璃基板S搬入负载锁定室14内。然后关闭各负载锁定室14的闸阀14A，调整至规定的真空状态。在此期间，在各负载锁定室14内，第一传递机构13将未处理的玻璃基板S移交给支撑机构16，使手柄部13A的方向朝向处理装置12的一侧，并从支撑机构16接受未处理的玻璃基板S。
然后，开启与各负载锁定室14对应的处理装置12的闸阀12A，各处理装置12的第一传递机构13，使手柄部13A向处理装置12内前进，将未处理的玻璃基板S移交给处理装置12内的第二传递部件20B后，暂时将手柄部13A从处理装置12退出，然后再次使手柄部13A向处理装置12前进，从第一接受部件20A上取下处理后的玻璃基板S’，并从处理装置12搬出。在处理装置12中，关闭闸阀12A，对未处理的玻璃基板S实施规定的真空处理。接着，各第一传递部件13将各自的处理后的玻璃基板S’搬入各自的负载锁定室14中后，暂时将处理后的玻璃基板S’移交给支撑机构16，使手柄13A的方向改变180°后，接受处理后的玻璃基板S’。再接下来，负载锁定室14开启闸阀14A时，按照图10(a)所示UL的时间，如在图8(b)中所示，各第一传递机构13通过各自的手柄部13A将处理后的玻璃基板S’从各负载锁定室14向搬送线11上同时搬出后，驱动第二传递机构15，如图8(c)、(d)所示，将各处理后的玻璃基板S’从手柄部13A同时移交给第一升降销15A。使全部的处理后的玻璃基板S’，向位于搬送线11的下游侧位置的第二盒体22移动，并使未处理的玻璃基板S从位于搬送线11的上游侧位置的第一盒体21向位于各处理装置12的负载锁定室14的前方位置的第一搬送区111移动。之后，使第一、第二升降销15A、15B协同工作，如本图(e)～(h)所示，从搬送线11接受未处理的玻璃基板S，并重复上述动作。在该情况下，可使4个处理装置12并行运作，可提高处理效率。其中，从图10的(a)所示时间L至时间UL的时间，是用于搬送一个玻璃基板S并实施规定的真空处理所必须的作业时间。
此外，如图10(b)、(c)所示，在从4个第一传递机构13向各自的处理装置12供给未处理的玻璃基板S时，使供给未处理的玻璃基板S的时间从上游侧向下游侧逐次错开规定的时间。在此情况下，与如本图(a)所示情况相同，使4个处理装置并行运作。本图(b)是未处理的玻璃基板S的作业时间与本图的(a)所示情况的时间大致相同，但是，本图(c)与本图(a)、(b)所示情况相比，玻璃基板S的作业时间较短。在这种情况下，使多个处理装置12中，某几个处理装置12并行运作，使其他的处理装置12进行利用第一传递机构13的玻璃基板S、S’的传递。
在以上说明的本实施方式中，包括在大气下搬送处理前后的玻璃基板S、S’的搬送线11，沿着该搬送线11设置且对未处理的玻璃基板S实施真空处理的多个处理装置12，以及在这些处理装置12和搬送线11之间传递处理前后的玻璃基板S、S’的第一传递机构13，其中，由于第一传递机构13在大气压中的搬送线11和各处理装置12之间，直接传递玻璃基板S、S’，因此，可以缩短在搬送线11和负载锁定室14之间的处理前后的玻璃基板S、S’的传递时间，仅以此便可以提高玻璃基板S的处理效率。此外，在本实施方式中，由于在搬送线11和多个处理装置12之间，同时或者从上游侧向下游侧逐次错开规定的时间来传递处理前后的玻璃基板S、S’，因此，可以不使各处理装置12停止而高效率地运作，可以明显提高玻璃基板S的处理效率。此外，由于负载锁定室14兼作现有技术的搬送室，所以可以减小处理装置系统10的占有面积并节省空间，从而可以降低设备成本。
此外，根据本实施方式，由于在负载锁定室14内设置有支撑玻璃基板S、S’支撑机构16，因此，在负载锁定室14内可以不使处理前后的玻璃基板S、S’旋转，而在负载锁定室14和处理装置12之间传递，因此可以减小负载锁定室14的占有面积。此外，由于搬送线11具有可单独控制搬送、停止的第一、第二搬送区111、112，可控制各旋转辊11C旋转，因此，可以将第一搬送区111用作玻璃基板S、S’的传递专用，将第二搬送区112用作使玻璃基板S、S’等待的缓冲专用。
此外，本发明的处理装置系统可以如图11～13所示进行设置。图11所示处理装置系统10A，除夹持搬送线11并使多个处理装置12交互相向设置以外，与上述实施方式相同。另外，图12所示处理装置系统10B，除添加与图7所示的处理装置系统10的多个处理装置12分别相向的处理装置12以外，与图7所示情况相同。在此情况下，用夹持搬送线11相向设置的两个第一传递机构13的玻璃基板S、S’的传递的时间在不相互干涉的条件下，可任意设定传递的时间，可进一步提高玻璃基板S的处理效率。另外，图13所示处理装置系统10C设有未处理的玻璃基板S专用的搬送线11’，处理后的玻璃基板S’专用的搬送线11”，分别向多个处理装置12内搬入专用的传递机构13’，和搬出专用的传递机构13”。
此外，如图14、图15的(a)所示，处理装置系统10D除搬送线11的结构不同以外，以图1所示处理装置系统10为依据而构成。因此，下面对与上述各实施方式相同或者相当的部分使用相同的符号，并对本实施方式的处理装置系统10D进行说明。
即，本实施方式的处理装置系统10D，如图14、15的(a)所示，包括搬送线11、处理装置12、第一传递机构13、负载锁定室14、以及第一、第二盒体21、22。处理装置12、第一传递机构13以及负载锁定室14与上述各实施例相同地构成，沿着搬送线11的一边侧面隔开规定间隔，排列多个，通过第一传递机构13在搬送线11和处理装置12之间，进行处理前后的玻璃基板S、S’的传递。
在本实施方式中的搬送线11，如图14所示，具有搬送路31和沿着搬送路31往复移动的自动搬送装置32。在搬送路31上设置有导轨，自动搬送装置32沿着导轨在搬送路31上往复移动，搬送处理前后的玻璃基板S、S’。
如图14所示，自动搬送装置32包括支撑台32A，在支持台32A上相互隔开规定间隔且多个排列的旋转辊32B，第二传递机构32C，以及连接支撑台32A与运动驱动部(图未示)的连接柱32D。多个旋转辊32B，在支撑台32A的上表面上与玻璃基板S的传送方向平行来进行排列，当在与第一、第二盒体21、22之间传递处理前后的玻璃基板S、S’时驱动旋转。然后，除设置在支撑台32的多个旋转辊32B以及第二传递机构32C形成使旋转辊32B的排列方向旋转90°的状态以外，以图1所示第一搬送区111为依据构成。
此外，第一、第二盒体21、22，如图14所示，具有多个旋转辊21A、22A。这些旋转辊21A、22A均在与自动搬送装置21的多个旋转辊32B相同的方向上排列，与这些旋转辊32B同时驱动。
下面，对动作进行说明。在从第一盒体21向处理装置12供给未处理的玻璃基板S时，自动搬送装置32沿搬送路31移动，并停止在第一盒体21的正面。然后，同时驱动第一盒体21以及自动搬送装置32各自的旋转辊21A、32B，从第一盒体21向自动搬送装置32供给未处理的玻璃基板S。自动搬送装置32接受未处理的玻璃基板S后，如图14所示，沿着搬送路31停止在规定的负载锁定室14的正面。接着，自动搬送装置32开始向负载锁定室14的正面移动，同时，开始驱动自动搬送装置32的第二传递机构32C，并开始将未处理的玻璃基板S抬起。向负载锁定室14的传递准备完成后，驱动负载锁定室14的第一传递机构13，将手柄部13A伸出，并接受未处理的玻璃基板S。此时，当第一传递机构13保持有处理后的玻璃基板S’的情况下，实际上与图8、图9所示情况相同地驱动第一、第二传递机构13、32C，并进行处理前后的玻璃基板S、S’的传递。然后，处理装置系统10D，与图1所示处理装置系统10相同地运作，对未处理的玻璃基板S进行真空处理，以及进行处理后的玻璃基板S’的传递。
此外，如图16所示，在图14所示处理装置系统10D中，在第一、第二盒体21、22位于搬送线11的上游端和下游端的情况下，也可以另外设置有使自动搬送装置32的支撑台32A旋转90°的功能，在与各盒体21、22进行传递时，可旋转支撑台32A。
在本实施方式中，自动搬送装置32沿着搬送路31移动，不能同时传递多个处理前后的玻璃基板S、S’，但是如图10(b)、(c)所示，可与各负载锁定室14内的第一传递机构13的传递时间相配合，并使自动搬送装置32移动，以从上游侧的处理装置12向下游侧的处理装置12依次供给，此外，在不使未处理的玻璃基板S和处理后的玻璃基板S’的传递时间相干涉的条件下，能够以任意的时间向各处理装置12进行玻璃基板S、S’的传递，因此，可使多个处理装置12不停地运作，并提高玻璃基板S的处理效率。
根据本实施方式，由于自动搬送装置32可与第一传递机构13的传递时间相配合并移动，因此，可以使多个处理装置12不停地处理玻璃基板S，可提高其处理效率。由于自动搬送装置32具有多个可控制旋转的旋转辊32B，因此，可在与盒体21、22之间流畅地进行处理前后的玻璃基板S、S’的搬出和搬入。此外，由于自动搬送装置32具有用于传递处理前后的玻璃基板S、S’的第二传递机构32C，因此，可在与第一传递机构13之间流畅地传递处理前后的玻璃基板S、S’。另外，除此之外，在本实施方式中，可得到以上述各实施方式为依据的实施方式的作用效果。
而且，对在上述各实施方式中，在以大气氛围搬送处理前后的玻璃基板S、S’的搬送线11和真空处理装置12之间，使用第一、第二传递机构13、15直接传递处理前后的玻璃基板S、S’的处理装置系统10进行了说明，但是，本发明并不局限于上述各实施方式，还可以设置在搬送线11上的第二传递机构15仅是第一升降销15A的方式，另外，设置在处理装置12上的第一传递机构13并不是伸屈臂，还可以是由一个或者多个滑动机构伸缩的滑动臂。只要是在处理装置系统中，在搬送线和多个处理装置之间，将多个被处理体以单片为单位，同时或者设置时间时间差，而进行被处理体传递的处理装置系统，均涵盖在本发明中。此外，可任意设定利用第一传递机构的传递时间。对于在负载锁定室14内设置支撑结构16的情况进行了说明，但是，支撑机构可以至少为一个，此外，处理装置12也并不局限于干式蚀刻装置，还可以是成膜处理装置等其他的处理装置。而且，被处理体也不局限于FDP用的玻璃基板。
产业适用性本发明可用于处理FPD用玻璃基板等被处理体的处理装置系统。
权利要求
1.一种处理装置系统，其特征在于，包括搬送被处理体的搬送线，沿着该搬送线设置且处理所述被处理体的多个处理装置，和在这些处理装置与所述搬送线之间传递所述被处理体的传递机构，其中，所述传递机构，在所述搬送线与所述多个处理装置之间同时传递多个被处理体。
2.一种处理装置系统，其特征在于，包括搬送被处理体的搬送线，沿着从该搬送线的上游侧到下游侧设置且处理所述被处理体的多个处理装置，和在这些处理装置与所述搬送线之间传递被处理体的传递机构，其中，所述传递机构，在所述搬送线与所述各处理装置之间，按照从上游侧到下游侧的顺序传递所述被处理体。
3.一种处理装置系统，其特征在于，包括搬送被处理体的搬送线，沿着从该搬送线的上游侧到下游侧设置且处理所述被处理体的多个处理装置，和在这些处理装置与所述搬送线之间传递被处理体的传递机构，其中，所述传递机构，在所述搬送线与所述各处理装置之间以任意的顺序传递所述被处理体。
4.一种处理装置系统，其特征在于，包括在大气中搬送被处理体的搬送线，沿着该搬送线设置且对所述被处理体实施真空处理的多个处理装置，和在这些处理装置与所述搬送线之间传递所述被处理体的传递机构，其中，所述传递机构，在大气中的所述搬送线与所述各处理装置之间传递所述被处理体。
5.如权利要求1～4中任一项所述处理装置系统，其特征在于将作为所述传递机构的构成要素的第一传递机构设置在真空预备室内。
6.如权利要求5所述处理装置系统，其特征在于所述真空预备室包括在传递所述被处理体时支撑被处理体的至少一个支撑机构；所述真空预备室的容积小于为使所述被处理体旋转而必须的容积。
7.如权利要求1～6中任一项所述处理装置系统，其特征在于所述搬送线具有可单独控制搬送、停止的搬送区。
8.如权利要求7所述处理装置系统，其特征在于所述搬送区具有多个可控制旋转的旋转辊。
9.如权利要求7或8所述处理装置系统，其特征在于所述多个搬送区中的一部分，具有使所述被处理体等待的缓冲功能。
10.如权利要求7～9中任一项所述处理装置系统，其特征在于所述搬送区中的一部分，具有用于传递所述被处理体的第二传递机构。
11.如权利要求2～4中任一项所述处理装置系统，其特征在于所述搬送线具有自动搬送装置。
12.如权利要求11所述处理装置系统，其特征在于所述自动搬送装置与所述传递机构的传递时间相配合而移动。
13.如权利要求12所述处理装置系统，其特征在于所述自动搬送装置具有多个可控制旋转的辊。
14.如权利要求11～13中任一项所述处理装置系统，其特征在于所述自动搬送装置具有用于传递所述被处理体的第二传递机构。
15.如权利要求1～14中任一项所述处理装置系统，其特征在于所述搬送线与其他工序的搬送线的上游侧或者下游侧连接。
16.如权利要求1～15中任一项所述处理装置系统，其特征在于所述被处理体为FPD用玻璃基板。
全文摘要
本发明提供一种处理装置系统(10)，包括搬送处理前后的玻璃基板(S、S’)的搬送线(11)，沿着该搬送线(11)设置且处理玻璃基板(S)的多个处理装置(12)，和在多个处理装置(12)与搬送线(11)之间传递处理前后的玻璃基板(S、S’)的第一传递机构(12)，其中，所述第一传递机构(13)在搬送线(11)与多个处理装置(12)之间同时传递多个玻璃基板(S、S’)，这样来解决在现有技术的FDP的制造中使用的处理装置系统对每个基板的处理时间都较长，处理效率不高的问题。
文档编号B65G49/06GK1855414SQ20061007691
公开日2006年11月1日 申请日期2006年4月25日 优先权日2005年4月27日
发明者石田宽, 本间彻 申请人:东京毅力科创株式会社