半导体晶圆储存装置与储存方法与流程

本揭示是关于一种半导体晶圆储存装置与储存方法。

背景技术：

随着半导体技术的进步，对更高储存容量、更快处理系统、更高效能和更低成本的需求不断增加。为了满足该些需求，半导体行业继续按比例缩小半导体元件的尺寸。此种按比例缩小增加了半导体制造制程的复杂性和对半导体制造系统进行污染控制的需求。

技术实现要素：

在一些实施方式中，储存装置可包含第一和第二面板以及鳍结构。第一和第二面板被配置为形成封闭容积，鳍结构设置在第二面板的内表面处。鳍结构被配置为保持基板，每个鳍结构可包含向内延伸到封闭容积中的突起，以及设置在突起上的附接装置，其中附接装置可被配置为将基板附接在突起上。

在一些实施方式中，储存装置可包含面板和鳍结构，鳍结构被配置为保持晶圆并设置在面板的侧表面上。鳍结构可包含从面板的侧表面向外延伸的突起，以及附接到鳍结构的衬垫层，其中衬垫层可包含一个或多个开口，一个或多个开口被配置为提供真空以将晶圆附接在突起上。

在一些实施方式中，用于基板储存的方法可包含在第一位置处提供一个或多个基板；将一个或多个基板放置到储存装置中，其中储存装置可包含多个鳍结构；以及经由与多个鳍结构中的每一个相关联的附接装置将一个或多个基板附接到储存装置。

附图说明

当附接附图阅读时，从以下详细描述可以最好地理解本揭露的各态样。应注意，根据行业中的常规实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述的清楚性，可以任意地增大或缩小各种特征的尺寸。

图1a至图1b图示了根据一些实施例的储存装置的立体视图；

图2a图示了根据一些实施例的储存装置的鳍结构的立体视图；

图2b图示了根据一些实施例的储存装置的鳍结构的剖视图；

图3a图示了根据一些实施例的储存装置的鳍结构的立体视图；

图3b图示了根据一些实施例的储存装置的鳍结构的剖视图；

图4图示了根据一些实施例的储存装置的鳍结构的立体视图；

图5图示了根据一些实施例的用于操作储存装置的方法。

以下将参考附图描述说明性实施例。在附图中，相同的附图标记通常表示相同的、功能相似的和/或结构相似的元件。

【符号说明】

100储存装置

101封闭容积

102后盖

104前面板

106基部面板

108侧面板

110鳍结构/水平鳍结构

112净化气体入口端口/入口端口

114净化气体出口端口/出口端口

116净化气体供应系统

118净化气体排出系统

120控制系统

200鳍结构

202突起

204衬垫层

206开口

208气体管道

210基板

222底表面

224顶表面

226侧表面

300鳍结构

304衬垫层

322内表面

324外表面

400鳍结构

404夹具

411方向

500方法

510操作

520操作

530操作

540操作

550操作

具体实施方式

以下揭露内容提供了用于实施所提供标的的不同特征的许多不同实施例或实施例。以下描述了部件和布置的特定实施例以简化本揭露内容。当然，该些仅仅是实施例，而并且旨在为限制性的。例如，在以下描述中在第二特征上方或之上形成第一特征可以包含第一特征和第二特征形成为直接接触的实施例，并且亦可以包含可以在第一特征与第二特征之间形成额外特征，使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。如本文所用，在第二特征上形成第一特征意味着第一特征形成为与第二特征直接接触。另外，本揭露可以在各种实施例中重复参考数字及/或字母。该重复本身并不表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

在此可以使用空间相对术语，诸如“下方”、“以下”、“下部”、“上方”、“上部”等来简化描述，以描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除了图中所示的取向之外，空间相对术语旨在包含使用或操作中的装置/元件的不同取向。设备可以以其他方式取向(旋转90度或在其他方向上)，并且可以类似地相应解释在此使用的空间相对描述词。

应注意，说明书中对“一个实施例”、“一实施例”、“一实施例性实施例”、“实施例性”等的提及指示所描述的实施例可包含特定特征、结构或特性，但是每个实施例可以不必包含特定特征、结构或特性。此外，该些用语不一定是指同一实施例。此外，当附接实施例描述特定特征、结构或特性时，无论是否明确描述，附接其他实施例实现此类特征、结构或特性将在本领域技艺人士的知识范围内。

应理解，本文中的措辞或术语是出于描述而非限制的目的，使得本说明书的术语或措辞将由相关领域的技艺人士按照本文的教导来解释。

如本文所用，术语“约”表示给定量的值可以基于与标的半导体装置相关联的特定技术节点而变化。在一些实施例中，基于特定技术节点，术语“约”可以指示给定量的值在该值的例如5-30％(例如，该值的±5％、±10％、±20％、或±30％)内变化。

如本文所用的术语“基本上”表示给定量的值可以基于与标的半导体装置相关联的特定技术节点而变化。在一些实施例中，基于特定技术节点，术语“基本上”可以指示给定量的值在目标(或预期)值的例如±5％内变化。

在半导体元件的制造期间，半导体晶圆在不同的处理腔室中经受不同的制程(例如，湿式蚀刻、干式蚀刻、灰化、剥离、金属电镀和/或化学机械抛光)。通常在不同制程之间的间隔期间将晶圆运输并暂时分批储存在晶圆储存装置中。每批晶圆竖直堆叠在晶圆储存装置中并由支撑框架支撑，该些支撑框架在储存装置中具有多个单独的晶圆架或槽。该些储存装置，通常称为前开式统集盒(front-openingunifiedpods，foup)，需要提供湿度和污染受控的环境以维持晶圆和/或晶圆上制造的层的完整性。

储存装置中来自周围大气的水分可能与晶圆上的来自不同晶圆制程的残余材料反应，并在晶圆上的制造层中形成缺陷，该些缺陷可导致有缺陷的半导体元件，并因此导致产量损失。例如，使用四氟甲烷(cf4)作为蚀刻剂进行蚀刻制程的晶圆可具有方氟硅铵石((nh4)2sif6)作为残余材料。方氟硅铵石可以与水蒸气形式的水分反应而产生氨(nh3)和氢氟酸(hf)，氨和氢氟酸会从晶圆中去除部分制造的层的材料并在所制造的层中形成缺陷。

除了水分之外，储存装置中的颗粒亦可导致有缺陷的晶圆。在储存装置的运输期间，振动可导致晶圆从它们相应的晶圆槽局部地移位。此晶圆的局部移位会使得储存装置中产生微粒，其中微粒会随机地落在晶圆的表面上，导致半导体元件缺陷，并因此危及产品制造的总产量。

本揭示提供了储存装置的实施例，储存装置被配置为将晶圆附接到相应的晶圆槽，以在储存装置的运输期间实现和维持晶圆稳定性。在一些实施例中，储存装置可包含突起和附接装置，附接装置被配置为将晶圆附接到突起。附接装置可以是附接到突起的衬垫层，其中衬垫层可以具有至少一个开口，开口被配置为提供真空以将晶圆保持在突起上。在一些实施例中，附接装置可以是夹具，夹具被配置为将晶圆夹持在突起上。此类储存装置的一个优点是在储存装置的运输过程中防止晶圆的移位，并因此最小化在晶圆表面上引起相应的颗粒污染。因此，由于有缺陷的晶圆的减少，储存装置可以提高整体产量。

图1a和图1b分别图示了根据一些实施例的没有和具有后盖102的储存装置100的立体视图。储存装置100可以被配置为传输和暂时储存一批基板(未图示)，一批基板可以等待处理以在其上制造半导体元件。储存装置100可以被配置为在储存装置100的整个内部容积中维持期望的相对湿度(例如，等于或小于约13％)和/或污染物级数，以保护晶圆和/或晶圆上制造的层不受水分和污染物影响。

在一些实施例中，储存装置100可以经由传输机构(例如，载具)从制造设施的第一位置运输到第二位置。传输机构可以储存制造设施的室内地图，并且可以包含合适的定位系统，定位系统被配置为按照指定路线移动制造设施中的传输机构。例如，传输机制可以包含全球定位系统(globalpositioningsystem，gps)接收器、具有基于蓝牙的室内定位系统的接收装置/程序，和/或具有基于wifi的室内定位系统的接收装置/程序，基于wifi的室内定位系统用于根据室内地图来导航制造设施中的传输机构。

储存装置100可包含后盖102、前面板104、基部面板106和侧面板108，侧面板108具有从每个侧面板108的内表面向外延伸的水平鳍结构(例如，在y方向上)110(仅在一个侧面板上图示)。每个侧面板108上的鳍结构110可以是单个连续鳍结构，或者可以具有两个或更多个鳍结构区段。储存装置100中的基板可以放置在两个相邻的鳍结构110之间的槽中(例如，两个相邻的鳍结构110可以在图1a中所示的z方向上分开)，其中基板可以与两个相邻的鳍结构110中的一个接触。后盖102、前面板104、基部面板106和侧面板108可彼此联接以形成封闭容积101，封闭容积101保持一批基板(在图1a中未图示)。前面板104可以在装载和卸载此批基板期间打开，但是在清洗储存装置100期间可以保持关闭以从储存装置100内部去除水分和污染物。

此批基板可以在封闭容积101中竖直堆叠(例如，在z方向上)，并且每个基板可以由每个侧面板108上的水平鳍结构110中的一个水平鳍结构支撑。相邻鳍结构110之间的竖直空间(例如，槽)可以大于基板的厚度，使得每个基板可以一个堆叠在另一个之上。每个水平鳍结构110可以被配置为足以支撑基板的至少一部分以防止使基板翘曲或损坏。在一些实施例中，水平鳍结构110可以被配置为支撑每个基板的相对侧上的外围边缘部分，以在基板被装载到储存装置100中和从储存装置100卸载时最小化与在基板上制造的层的接触。

基部面板106可分别包含净化气体入口端口112和净化气体出口端口114。尽管图示了两个入口端口112和两个出口端口114，但是基部面板106可以具有少于或多于两个的入口端口和出口端口，类似于相应的入口端口112和出口端口114。净化气体入口端口112可以被配置为允许净化气体在封闭容积101中供应，以当批基板处于储存装置100的封闭容积101中时清除水分和或污染物。净化气体可以经由净化气体出口端口114从封闭容积101中取出。在一些实施例中，净化气体可包含惰性气体，诸如氮气、氩气、氖气，或其组合。

在一些实施例中，后盖102、前面板104、基部面板106、侧面板108和水平鳍结构110可包含聚合材料，诸如透明或不透明的聚碳酸酯、聚氯乙烯，或任何其他合适的材料。在一些实施例中，后盖102的一个或多个部分可具有半透膜。半透膜可具有孔径为约0.01μm的微孔。在一些实施例中，孔的直径在0.002μm与0.05μm之间的范围内。在一些实施例中，孔的直径在0.005μm与0.03μm之间的范围内。在一些实施例中，孔的直径在0.007μm与0.02μm之间的范围内。在半透膜中的微孔的大小被确定为能够阻止和防止微粒污染物进入到储存装置100，并允许腐蚀性气体分子从储存装置100中扩散出去。

参照图1a，储存装置100亦可包含净化系统，净化系统具有净化气体供应系统116、净化气体排出系统118和控制系统120。净化气体供应系统116可被配置为在储存装置100的净化操作期间经由净化气体入口端口112在封闭容积101中供应净化气体。在一些实施例中，净化气体供应系统116可经由净化气体入口端口112连接到水平鳍结构110。从净化气体供应系统116到净化气体入口端口112的黑色虚线图示了净化气体供应管线。当将一批基板装载并封闭在储存装置100中时，可以将净化气体供应到封闭容积101中，以提供湿度和污染受控的环境。

在一些实施例中，净化气体供应系统116可经由类似于入口端口112的另一净化气体入口端口(图1a中未图示)连接到水平鳍结构110。

参照图1a，净化气体排出系统118可以连接到净化气体出口端口114，并且可被配置为经由净化气体出口端口114从封闭容积101中排出净化气体。在一些实施例中，净化气体排出系统118可经由净化气体出口端口114连接到水平鳍结构110。净化气体的排出可以由净化气体排出系统118的排出泵来进行。从净化气体出口端口114到净化气体排出系统118的黑色虚线图示了净化气体排出管线。

在一些实施例中，净化气体排出系统118可经由类似于气体出口端口114的另一净化气体出口端口(图1a中未图示)连接到水平鳍结构110。

控制系统120可以联接到净化气体供应系统116和净化气体排出系统118。在一些实施例中，控制系统120可被配置为控制净化气体供应系统116和净化气体排出系统118的操作。在一些实施例中，控制系统120可以同时启动和/或停用净化气体供应系统116和净化气体排出系统118。在一些实施例中，控制系统120可以在净化气体供应系统116和净化气体排出系统118的激启动和/或净化气体供应系统116和净化气体排出系统118的停用之间提供时间延迟。

净化气体供应系统116和净化气体排出系统118的启动和/或停用可以包含分别控制到净化气体入口端口112的净化气体供应和排出泵的操作。在一些实施例中，为了启动和停用净化气体供应系统116，控制系统120可以提供启动和停用信号，等启动和停用信号打开和关闭净化气体供应系统116的气体供应阀，以分别供应和阻止净化气体到净化气体入口端口112的流动。在一些实施例中，为了启动和停用净化气体排出系统118，控制系统120可以提供启动和停用信号，等启动和停用信号启动和停用排出泵，并且打开和关闭净化气体排出系统118的阀以分别允许和阻止净化气体经由净化气体出口端口114从封闭容积101流出。

净化气体供应系统116和净化气体排出系统118的操作可以由控制系统120基于指示储存装置100中的基板存在的一个或多个信号、储存装置100的运动状态(例如，在运输或静止中)、前面板104的位置、封闭容积101中的净化气体的压力、净化的持续时间、储存装置100中的相对湿度、和/或储存装置100中的污染水平(例如，腐蚀性气体水平)来控制。在一些实施例中，响应于接收到指示储存装置100中存在基板和前面板104的闭合位置的感测器信号，控制系统120可提供启动信号给净化气体供应系统116和净化气体排出系统118(例如，同时或具有时间延迟)。类似地，响应于接收到指示在储存装置100中不存在基板和前面板104的闭合位置的感测器信号，控制系统120可以将停用信号提供给净化气体供应系统116和净化气体排出系统118(例如，同时或具有时间延迟)。在一些实施例中，响应于接收到指示前面板104的打开位置的感测器信号，控制系统120可以将停用信号同时提供给净化气体供应系统116和净化气体排出系统118。等感测器信号可以由位于储存装置100上或储存装置100中的一个或多个感测器(未图示)提供。

控制系统120可以基于封闭容积101中的净化持续时间和/或相对湿度来提供启动和停用信号。在一些实施例中，当储存装置100中存在基板时，控制系统120可以安排净化气体供应系统116和净化气体排出系统118保持启动和/或停用达所需的时间段。然而，当基板存在时，响应于控制系统120从湿度和/或气体感测器接收到分别指示封闭容积101中的相对湿度和/或污染水平分别高于期望值的感测器信号时，净化气体供应系统116和净化气体排出系统118可以从安排或未安排的停用状态启动。类似地，当基板存在时，响应于控制系统120从湿度和/或气体感测器接收到指示封闭容积101中的相对湿度和/或污染水平低于期望值的感测器信号，净化气体供应系统116和净化气体排出系统118可以从安排或未安排的启动状态停用。

启动和停用信号亦可以由控制系统120基于储存装置100和储存装置100的运动状态来提供。例如，响应于储存装置100在运输中，控制系统120可提供停用信号给净化气体供应系统116和提供启动信号给净化气体排出系统118。类似地，响应于储存装置100到达指定位置并静止，控制系统120可提供启动信号给净化气体供应系统116和提供停用信号给净化气体排出系统118。

在一些实施例中，类似于净化气体供应系统116和净化气体排出系统118的其他独立的净化气体供应系统和化气体排出系统(图1a中未图示)可以连接到鳍结构110。控制系统120可以被联接和配置为控制独立的净化气体供应系统和净化气体排出系统，类似于上面的论述。

在一些实施例中，控制系统120可以被配置为基于储存装置100中的基板存在和储存装置100的运动状态，而控制鳍结构110与基板附接或解除与基板的附接。例如，响应于基板被放置在储存装置100中或储存装置100在运输中，控制系统120可控制鳍结构110的机械运动以附接基板。类似地，响应于基板从储存装置100中取出或储存装置100到达指定的位置并静止，控制系统120可控制鳍结构110的机械运动以解除与基板的附接。

图2a图示了根据一些实施例的鳍结构200的立体视图，鳍结构200被配置为经由真空吸力将基板(图2a中未图示)保持在储存装置100(见图1a)中。鳍结构200可以是设置在如图1a所示的侧面板108上的鳍结构110的实施例，其中基板可以放置在两个相邻的鳍结构200之间(例如，两个相邻的鳍结构在图2a中所示的z方向上竖直分开)。鳍结构200可包含突起202以及衬垫层(paddinglayer)204，突起202被配置为支撑基板，衬垫层204被配置为提供真空吸力以将基板附接在突起202上。突起202可设置在侧面板108的内表面处并向内朝向封闭容积101(见图1a)延伸。衬垫层204可以设置在突起202上，其中衬垫层204可以位于突起202与基板之间。例如，衬垫层204可以经由粘合剂、带或机械零件(例如，夹具)附接到突起202，并且基板可以放置在衬垫层204上。衬垫层204的顶表面可以具有开口206，开口206被配置为被基板覆盖。衬垫层204亦可包含与开口206互连的气体管道208。在一些实施例中，衬垫层204可具有多个开口206和多个气体管道208，而多个开口206中的每个或若干个可互连到多个气体管道208中的每一个或若干个。

在一些实施例中，储存装置100的每个侧面板108可具有相应的鳍结构200，其中每个鳍结构200的相应突起202可为连续突起或具有两个或更多个突起区段。

在一些实施例中，储存装置100的每个侧面板108可以具有相应的鳍结构200，其中每个鳍状结构200的相应衬垫层204可以是连续的衬垫层或具有两个或更多个衬垫层区段。

在一些实施例中，突起202可由聚合材料制成，诸如透明或不透明的聚碳酸酯、聚氯乙烯或其他合适的材料。

在一些实施例中，衬垫层204可以由膜、塑料片、带、聚合物膜或其他合适的材料制成。在一些实施例中，衬垫层204的厚度可在约0.5mm与约2.5mm之间。

在一些实施例中，开口206的直径可在约0.5mm与约2.0mm之间。

在一些实施例中，气体管道208的直径可在约0.5mm与约2.0mm之间。

图2b图示了根据一些实施例的沿图2a中所示的线a-a'的鳍结构200的剖视图。如图2b所示，衬垫层204可具有底表面222、顶表面224以及侧表面226，底表面222被配置为附接到突起202的一部分，顶表面224与底表面222相对，侧表面226在底表面222与顶表面224之间。开口206可设置在顶表面224处，其中储存装置100中的基板210可与顶表面224接触并覆盖开口206。气体管道208可设置在侧表面226处并互连到开口206。气体管道208可进一步连接到先前描述的净化气体供应系统和/或净化气体排出系统(例如，净化气体供应系统116和净化气体排出系统118)，以调节穿过开口206的真空吸力，以将基板210与突起202附接/解除附接。例如，真空吸力可以通过启动净化气体排出系统而经由气体管道208和开口206将基板210附接在突起202上。通过经由衬垫层204的真空吸力提供的此类附接可以防止储存装置100中的基板210的移位或振动。在一些实施例中，真空吸力可对应于在约0.5标准大气压与约0.8标准大气压之间的压力差。通过停用净化气体排出系统或启动净化气体供应系统，可以释放真空吸力以使基板210从突起202解除附接。在一些实施例中，气体管道208可以连接到排气管(图2b中未图示)，排气管被配置为提供或禁用真空吸力以保持或释放基板210。

图3a图示了根据一些实施例的鳍结构300的立体视图。除非另有说明，否则鳍结构200的论述适用于鳍结构300。鳍结构300可包含突起202和衬垫层304，衬垫层304被配置为将基板附接在突起202上。衬垫层304可以设置在突起202上并且亦可以包含气体管道208，其中衬垫层304的外表面324可以具有至少一个开口206与气体管道208互连。除非另有说明，否则图2a至图2b所示的元件的描述适用于图3a中具有相同注释的元件。

图3b图示了根据一些实施例的沿图3a中所示的线b-b'的鳍结构300的剖视图。如图3b所示，衬垫层304可被配置为封装或盖住突起202。例如，衬垫层304可具有与外表面324相对的内表面322，其中内表面322可接触并包封突起202。衬垫层304可以经由粘合剂、带或机械零件(例如，夹具)来封装突起202。衬垫层304可以由与衬垫层204相同或相似的材料制成。在一些实施例中，衬垫层304可以由弹性材料(例如，橡胶)制成，其中衬垫层304可以经由与弹性材料相关联的弹性来封装或覆盖突起202。

图4图示了根据一些实施例的鳍结构400的立体视图，鳍结构400被配置为经由压力保持将基板保持在储存装置100中。鳍结构400可以是图1a的鳍结构110的实施例，其中基板(例如，基板210)可以放置在两个相邻的鳍结构400(例如，在图4中所示的z方向上分开的两个相邻的鳍结构400)之间。鳍结构400可包含突起202和夹具404，夹具404被配置为提供压力保持以将基板210的一部分附接在突起202上。夹具404可以设置在突起202上，其中基板210可以放置在突起202与夹具404之间。夹具404可以连接到控制系统120(见图1a)，其中控制系统120可以控制夹具404的移动。例如，响应于基板210放置在突起202上，控制系统120可以控制夹具404向下移动(例如，方向411)以提供压力保持来将基板210夹紧并附接到突起202上。由夹具404提供的此类压力保持可以防止储存装置100中的基板210的移位或振动。控制系统120亦可以控制夹具404向上移动(例如，与方向411相反)以释放压力保持以使基板210从突起202解除附接。在一些实施例中，夹具404可以机械地连接到轴(图4中未图示)，其中轴可以控制夹具404的移动以将基板210与突起202附接/从突起202解除附接。在一些实施例中，夹具404可以机械地连接到任何机械部件以控制夹具404的移动。

在一些实施例中，鳍结构400亦可包含衬垫层204(图4中未图示)，衬垫层204设置在突起202上以调节真空吸力以附接基板/解除与基板的附接。

在一些实施例中，夹具404可由与突起202类似的材料制成。

夹具404可以是单个连续垫，其中夹具404的大小可以类似于或小于突起202的大小。夹具404可包含垫区段(图4中未图示)，其中每个区段可具有与突起202的大小相似或更小的大小。

在一些实施例中，储存装置100(见图1a)的每个侧面板108(见图1a)可具有相应的鳍结构400，其中每个鳍结构400的相应突起202和夹具404可为连续突起或分别具有突起202和夹具404的两个或更多个区段。在一些实施例中，每个侧面板108可包含鳍结构200或鳍结构400，其中每个鳍结构200或鳍结构400的相应突起202可以是连续突起或具有两个或更多个突起区段。

图5是根据一些实施例的用于操作储存装置的示例性方法500，其中储存装置被配置为附接基板和/或解除与基板的附接。本揭示不限于操作描述。应了解，可执行额外操作。此外，执行本文提供的揭示内容可能不需要所有的操作。此外，操作中的一些操作可以同时执行，或者以与图5中所示不同的顺序执行。在一些实施方式中，作为所描述的操作的补充或代替当前描述的操作，可以执行一个或多个其他操作。出于说明性目的，参考图1a至图4的实施例来描述方法500。然而，方法500不限于等实施例。

示例性方法500开始于操作510，其中在第一位置处提供基板。基板可包含用于形成半导体元件结构的任何合适材料。例如，基板可以包含硅、硅锗、碳化硅、soi、goi、玻璃、石英、氮化镓、砷化镓、塑料片和/或其他合适的iii-v族化合物。第一位置可以是制造设施中的任何位置，并且可以是基板最初所在的位置。例如，第一位置可以是提供基板的仓库。基板亦可以是来自半导体元件制造制程站的半成品。例如，第一位置可以是半导体元件制造站(例如，光微影站)所位于的任何位置。半导体元件制造站可以提供已经过其相应的制造处理步骤的基板。

在操作520中，将基板放入储存装置中。储存装置可包含多个侧面板和设置在每个侧面板的内表面处的多个鳍结构。基板可以设置在多个鳍结构中的两个相邻鳍结构之间的槽中。参照图1a，例如，多个鳍结构110可以设置在每个侧面板108的内表面处，其中每个鳍结构110可以在z方向上竖直地彼此分离。基板可以水平地(例如，基板的顶表面平行于x-y平面)放置在两个相邻的鳍结构110之间的槽中。在一些实施例中，基板可以经由半导体制造设备的机器人传送臂放置到储存装置中。在一些实施例中，可以将基板手动放入储存装置中。在一些实施例中，可以同时或分开地将多个基板放置到储存装置的相应槽中。

在操作530中，将基板附接到储存装置。在将基板放入储存装置中之后，基板可以与鳍结构接触。基板可以经由由附接装置提供的真空吸力而进一步附接到鳍结构。参照图2a至图2b，例如，附接装置可以是衬垫层204，衬垫层204在其顶表面处具有至少一个开口206，其中基板可以放置在衬垫层204上以覆盖开口206。可以经由气体管道208和开口206施加真空，以提供真空吸力，来将基板保持在衬垫层204上，从而将基板附接到储存装置。在一些实施例中，放置在相应槽中的多个基板可以经由真空吸力同时附接到储存装置。

在一些实施例中，基板可以经由由附接装置提供的压力保持而附接到两个相邻的鳍结构中的一个。参照图4，例如，附接装置可以是夹具404，其中基板可以放置在突起202与夹具404之间。夹具404可朝向突起202移动并提供压力保持以将基板夹在突起202上并因此将基板附接到储存装置。在一些实施例中，设置在相应槽中的多个基板，可同时经由由相应的夹具提供的相应压力保持而附接到储存装置404。

在一些实施例中，放置在相应槽中的第一组基板可以经由真空吸力附接到储存装置，而放置在另一个相应槽中的第二组基板可以经由压力保持附接到储存装置。在一些实施例中，放置在储存装置中的基板可以经由真空吸力和压力保持两者附接到储存装置。

在操作540中，将储存装置移动到制造设施的第二位置。储存装置可以被传送到制造设施的第一位置处的传输机构。随后，传输机构可以基于室内地图(储存在传输机构中)移动到第二位置。在一些实施例中，传输机构可包含车辆或机械臂。在一些实施例中，储存装置可以经由手动控制的传输机构移动到第二位置。在一些实施例中，第二位置可以与第一位置相同，使得基板保持储存在储存装置中的第一位置处(例如，储存装置保持静止)。操作540的额外细节为上文中关于图1a至图1b的描述。

在操作550中，解除基板与储存装置的附接。在储存装置到达第二位置之后，附接装置可以释放基板与鳍结构的附接。在一些实施例中，基板的释放可包含停用由附接装置提供的真空吸力或压力保持。随后可以将释放的基板从储存装置的槽中取出并递送到仓库或另一个半导体装置制造站以继续相应的制造过程。操作550的额外细节为上文中关于图2a至图4的描述。

本揭示提供了一种用于储存基板的储存装置和方法，储存装置和方法采用附接装置来附接基板。根据一些实施例，储存装置可具有多个侧面板和在侧面板的内表面处的多个鳍结构。每个鳍结构可包含突起和与突起相关联的附接装置。在一些实施例中，附接装置可以是附接到突起的衬垫层，其中衬垫层的顶表面可以具有至少一个开口。可以将基板放置到衬垫层上并经由穿过开口的真空吸力粘附到衬垫层。在一些实施例中，附接装置可以是夹具，其中基板可以用夹具夹在突起上。此类具有附接装置的储存装置可以在储存装置的传输过程中防止基板的移位或振动，从而减少相应的颗粒污染、减少有缺陷的基板，并提高装置制造的总产量。

在一些实施方式中，储存装置可包含第一和第二面板以及鳍结构。第一和第二面板被配置为形成封闭容积，鳍结构设置在第二面板的内表面处。鳍结构被配置为保持基板，每个鳍结构可包含向内延伸到封闭容积中的突起，以及设置在突起上的附接装置，其中附接装置可被配置为将基板附接在突起上。

在一些实施例中，储存装置还包含控制系统，控制系统被配置为移动附接装置，以启动气体排出系统、以提供真空给附接装置，或其组合。

在一些实施例中，储存装置还包含多个额外的鳍结构，额外的鳍结构设置在第二面板的内表面处，其中额外的鳍结构中的每一个包含一突起，突起向内延伸到封闭容积中。

在一些实施例中，附接装置包含气体管道，气体管道被配置为提供真空以将基板附接到突起。

在一些实施例中，附接装置包含衬垫层，衬垫层附接到突起。

在一些实施例中，附接装置包含一个或多个开口，开口被配置为提供真空以将基板附接到突起。

在一些实施例中，附接装置包含夹具，夹具设置在突起上。

在一些实施例中，储存装置还包含气体排出系统，气体排出系统连接到附接装置中的每一个。

在一些实施例中，第一面板包含多个入口端口、多个出口端口、以及净化系统，净化系统连接到入口端口和出口端口。

在一些实施方式中，储存装置可包含面板和鳍结构，鳍结构被配置为保持晶圆并设置在面板的侧表面上。鳍结构可包含从面板的侧表面向外延伸的突起，以及附接到鳍结构的衬垫层，其中衬垫层可包含一个或多个开口，一个或多个开口被配置为提供真空以将晶圆附接在突起上。

在一些实施例中，储存装置还包含夹具，夹具被配置为将晶圆夹持至突起。

在一些实施例中，衬垫层经由粘合剂、带或机械零件而附接至突起。

在一些实施例中，衬垫层包含膜、塑料片、带，或聚合物膜。

在一些实施例中，储存装置还包含气体管道，气体管道互连至一个或多个开口。

在一些实施方式中，用于基板储存的方法可包含在第一位置处提供一个或多个基板；将一个或多个基板放置到储存装置中，其中储存装置可包含多个鳍结构；以及经由与多个鳍结构中的每一个相关联的附接装置将一个或多个基板附接到储存装置。

在一些实施例中，方法还包含在制造设施的储存地图上定位第二位置；以及将储存装置传输到第二位置。

在一些实施例中，方法还包含解除基板与储存装置的附接。

在一些实施例中，将基板放置到储存装置中包含将基板设置到储存装置的相应的一个或多个槽中，其中槽在两个相邻鳍结构之间。

在一些实施例中，将基板附接到储存装置包含经由与鳍结构中的每一个相关联的衬垫层来施加真空。

在一些实施例中，将基板附接至储存装置包含经由与鳍结构相关联的夹具来提供压力保持。

前述揭示内容概述了若干实施例的特征，使得本领域技艺人士可以更好地理解本揭露的各态样。本领域技艺人士应当理解，他们可以容易地使用本揭露作为设计或修改其他制程和结构的基础，以实现与本文介绍的实施例相同的目的及/或实现与本文介绍的实施例相同的优点。本领域技艺人士亦应当认识到，此类等同构造不脱离本揭露的精神和范围，并且在不脱离本揭露的精神和范围的情况下，他们可以在本文中进行各种改变、替换和变更。