一种改善晶圆边缘缺陷的装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于半导体集成电路工艺技术领域，更具体的，涉及一种改善晶圆边缘缺陷的装置。
【背景技术】
[0002]随着集成电路工艺的发展，晶圆规格逐渐向大尺寸发展，12寸已逐渐成为集成电路制造的主流，未来甚至会发展到18寸及18寸以上。晶圆尺寸的扩大相应的引起晶圆边缘面积的扩大，对晶圆边缘缺陷的控制显得更加重要。
[0003]目前，现有的化学气相沉积机台频繁出现晶圆边缘缺陷问题，而同时80%以上的化学气相沉积机台都处于后段铜制程区域，频繁的宕机严重影响了每月的出货量。所谓晶圆边缘缺陷，是指薄膜(特别是一些黏附性较差的薄膜)在晶圆边缘积累(一般需要经过几次薄膜沉积)到一定程度之后，在内部应力或者外力的作用下发生剥落，如果掉到晶圆上的器件区，就成为影响产品良率的缺陷，严重的缺陷甚至会导致产品报废。
[0004]研究发现，现有的化学气相沉积机台频繁出现晶圆边缘缺陷问题是由于:当晶圆从反应腔体沉积薄膜出来后，传送至相邻腔室时，由于传送异常，造成晶圆边缘与相邻腔室内底座上的某个锥状体发生了刮擦，锥状体将晶片边缘的薄膜刮起造成晶圆边缘缺陷。如图1以及图2所不，图1为晶圆边缘未受损的结构不意图，图2为晶圆边缘受损的结构不意图；底座20上的锥状体30往往是为保护晶圆10在传送过程中不会滑移出底座20，但当底座20上升后晶圆10边缘与锥状体30之间间隙较小，晶圆10受到外界的影响发生倾斜会与锥状体30的斜面刮擦导致晶圆10边缘受损。
[0005]因此，本领域技术人员亟需研发一种改善晶圆边缘缺陷的装置，使化学气相沉积机台可以自动校正晶圆的位置，防止晶圆边缘与锥状体发生刮擦导致晶圆受损。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型的目的是针对现有技术中存在上述缺陷，提供了一种改善晶圆边缘缺陷的装置，使化学气相沉积机台可以自动校正晶圆的位置，防止晶圆边缘与锥状体发生刮擦导致晶圆受损。
[0007]为解决上述问题，本实用新型提供一种改善晶圆边缘缺陷的装置，包括:
[0008]检测装置，用于检测晶圆的位置偏移量，安装于腔体的透明盖板上，且与所述晶圆的边缘位置相应；
[0009]自动校准装置，与所述检测装置连接，用于接收所述检测装置反馈的偏移信号，并计算出晶圆待校准的传送路径；
[0010]执行机构，与机台的传输带装置连接，使晶圆进行水平方向的位置调节，以避免晶圆与锥状体发生刮擦。
[0011]优选的，所述检测装置为摄像头，所述摄像头为多个，且均匀分布于所述晶圆的边缘位置的上方。
[0012]优选的，所述摄像头为五个，且均匀分布于所述晶圆的边缘位置的上方。
[0013]优选的，所述锥状体为五个，且均匀分布与所述晶圆的边缘。
[0014]优选的，所述自动校准装置包括激光发射器以及激光接收器，所述激光发射器用于向所述激光接收器发射激光，所述激光接收器用于接收所述激光发射器发出的激光。
[0015]优选的，所述改善晶圆边缘缺陷的装置安装在化学气相沉积机台上。
[0016]从上述技术方案可以看出，本实用新型提供的改善晶圆边缘缺陷的装置，首先通过检测装置检测出晶圆的位置偏移量，然后由自动校准装置计算出晶圆正确的传送路径，最后由执行机构将晶圆调整至正确位置，使晶圆传送路径更加精准，防止晶圆边缘与锥状体发生刮擦导致晶圆受损，有效提高了产品良率。
【附图说明】
[0017]结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本实用新型有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:
[0018]图1为现有技术中晶圆边缘未受损的结构示意图；
[0019]图2为现有技术中晶圆边缘受损的结构不意图；
[0020]图3为本实用新型中改善晶圆边缘缺陷的装置的结构示意图；
[0021]图4为本实用新型中检测装置的结构示意图。
[0022][图中附图标记]:
[0023]10、晶圆；20、底座；30、锥状体；40、透明盖板；50、检测装置；60、自动校准装置；70、执行机构。
【具体实施方式】
[0024]为使本实用新型的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本实用新型的内容作进一步说明。当然本实用新型并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本实用新型的保护范围内。其次，本实用新型利用示意图进行了详细的表述，在详述本实用新型实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应以此作为对本实用新型的限定。
[0025]需要说明的是，在下述的实施例中，利用图3、4的结构示意图对按本实用新型改善晶圆边缘缺陷的装置进行了详细的表述。在详述本实用新型的实施方式时，为了便于说明，各示意图不依照一般比例绘制并进行了局部放大及省略处理，因此，应避免以此作为对本实用新型的限定。
[0026]本实用新型提供了一种改善晶圆边缘缺陷的装置，使化学气相沉积机台可以自动校正晶圆的位置，防止晶圆边缘与锥状体发生刮擦导致晶圆受损。
[0027]为解决上述问题，如图3所示，本实用新型提供一种改善晶圆边缘缺陷的装置，包括检测装置50、自动校准装置60以及执行机构70 ;其中，检测装置50用于检测晶圆10的位置偏移量，安装于腔体的透明盖板40上，且与晶圆10的边缘位置相应；自动校准装置60与所述检测装置50连接，用于接收检测装置50反馈的偏移信号，并计算出晶圆10待校准的传送路径；执行机构70与机台的传输带装置连接，使晶圆10进行水平方向的位置调节，以避免晶圆10与锥状体30发生刮擦。
[0028]如图4所示，检测装置50优选为摄像头，摄像头为多个，且均匀分布于晶圆10的边缘位置的上方；其中，摄像头优选为五个，且均匀分布于晶圆10的边缘位置的上方。此夕卜，锥状体30同时为五个，且均匀分布与所述晶圆10的边缘。
[0029]值得说明的是，本实用新型中的对摄像头50以及锥状体30的数量以及分布不做具体限定，较佳的，摄像头50与锥状体30的数量相等，同时均匀分布在晶圆10的边缘，摄像头50以及锥状体30的数量工作人员可根据实际情况设定。
[0030]具体的，本实施例中，自动校准装置60包括激光发射器以及激光接收器，所述激光发射器用于向所述激光接收器发射激光，所述激光接收器用于接收所述激光发射器发出的激光。本实用新型通过核对激光接收器是否收到所述激光发射器发出的激光，从而判断晶圆是否处于正确位置。
[0031]本实用新型提供的一种改善晶圆边缘缺陷的装置优选安装在化学气相沉积机台上，相应的，为了改善晶圆边缘缺陷，该装置同时也可应用于其他机台。
[0032]综上所述，本实用新型提供的改善晶圆边缘缺陷的装置，首先通过检测装置50检测出晶圆10的位置偏移量，然后由自动校准装置60计算出晶圆10正确的传送路径，最后由执行机构70将晶圆10调整至正确位置，使晶圆传送路径更加精准，防止晶圆10边缘与锥状体30发生刮擦导致晶圆受损，有效提高了产品良率。
[0033]可以理解的是，虽然本实用新型已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本实用新型。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本实用新型技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本实用新型技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本实用新型技术方案保护的范围内。
【主权项】
1.一种改善晶圆边缘缺陷的装置，其特征在于，包括: 检测装置，用于检测晶圆的位置偏移量，安装于腔体的透明盖板上，且与所述晶圆的边缘位置相应； 自动校准装置，与所述检测装置连接，用于接收所述检测装置反馈的偏移信号，并计算出晶圆待校准的传送路径； 执行机构，与机台的传输带装置连接，使晶圆进行水平方向的位置调节，以避免晶圆与锥状体发生刮擦。2.根据权利要求1所述的改善晶圆边缘缺陷的装置，其特征在于，所述检测装置为摄像头，所述摄像头为多个，且均匀分布于所述晶圆的边缘位置的上方。3.根据权利要求2所述的改善晶圆边缘缺陷的装置，其特征在于，所述摄像头为五个，且均匀分布于所述晶圆的边缘位置的上方。4.根据权利要求1所述的改善晶圆边缘缺陷的装置，其特征在于，所述锥状体为五个，且均匀分布与所述晶圆的边缘。5.根据权利要求1所述的改善晶圆边缘缺陷的装置，其特征在于，所述自动校准装置包括激光发射器以及激光接收器，所述激光发射器用于向所述激光接收器发射激光，所述激光接收器用于接收所述激光发射器发出的激光。6.根据权利要求1所述的改善晶圆边缘缺陷的装置，其特征在于，所述改善晶圆边缘缺陷的装置安装在化学气相沉积机台上。
【专利摘要】本实用新型涉及一种改善晶圆边缘缺陷的装置，属于半导体集成电路工艺技术领域，包括检测装置、自动校准装置以及执行机构；检测装置用于检测晶圆的位置偏移量，安装于腔体的透明盖板上，且与晶圆的边缘位置相应；自动校准装置与检测装置连接，用于接收检测装置反馈的偏移信号，并计算出晶圆待校准的传送路径；执行机构与机台的传输带装置连接，使晶圆进行水平方向的位置调节，以避免晶圆与锥状体发生刮擦。本实用新型首先通过检测装置检测出晶圆的位置偏移量，然后由自动校准装置计算出晶圆正确的传送路径，最后由执行机构将晶圆调整至正确位置，使晶圆传送路径更加精准，防止晶圆边缘与锥状体发生刮擦导致晶圆受损，有效提高了产品良率。
【IPC分类】H01L21/68, H01L21/66, H01L21/67
【公开号】CN205069599
【申请号】CN201520857832
【发明人】张欣, 丁小弟, 金懿
【申请人】上海华力微电子有限公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2015年10月29日