用于检测晶圆的比对座标的方法
【技术领域】
[0001]本发明是有关一种比对座标的方法，且特别是有关一种用于检测晶圆的比对座标的方法。
【背景技术】
[0002]已知以自动光学检测装置(Automated Optical Inspect1n ;Α0Ι)检测晶圆的晶粒时，需以光罩档提供的光罩晶粒位置比对晶圆的空白晶粒位置。然而，晶圆在检测前的制程难免会发生破片或来料不良的情形，导致晶圆的空白晶粒的数量变多，使得光罩晶粒的位置与晶圆的空白晶粒的位置比对失败。
[0003]因此，技术人员需以手动的方式指定空白晶粒的位置，才能让有问题的晶圆(例如部分破片的晶圆)在检测后继续施以后续的制程。然而，以人工的方式指定空白晶粒的位置容易发生指定错误的情形，不仅会耗费大量的检测时间，还会导致合格率难以提升。
【发明内容】
[0004]本发明的一目的为提供一种用于检测晶圆的比对座标的方法。
[0005]根据本发明一实施方式，一种用于检测晶圆的比对座标的方法，包含下列步骤:(a)取得对应晶圆的多个光罩晶粒的座标。(b)利用光罩晶粒的座标计算光罩晶粒任一者到其他光罩晶粒的多个第一距离。(C)根据扫瞄晶圆的位置数据，找到多个空白晶粒。(d)根据第一距离比对空白晶粒与光罩晶粒，以得到多个比对符合次数。(e)当比对符合次数的最闻者广生时，利用光罩晶粒的座标取得空白晶粒的座标。(f)计算空白晶粒的一者的座标与参考座标间的第二距离。(g)根据第二距离调整参考座标以对应光罩晶粒的座标。
[0006]在本发明一实施方式中，上述步骤(C)包含:从点测程序取得扫瞄晶圆的位置数据。
[0007]在本发明一实施方式中，上述步骤(d)包含:移动光罩晶粒至空白晶粒，使光罩晶粒的至少一者与空白晶粒的一者重叠。
[0008]在本发明一实施方式中，上述步骤(e)包含:排序比对符合次数。
[0009]在本发明一实施方式中，上述步骤(e)包含:记录比对符合次数的最高者产生时光罩晶粒与空白晶粒的位置状态。
[0010]在本发明一实施方式中，上述步骤(C)包含:使用自动光学检测装置扫瞄晶圆。
[0011]在本发明一实施方式中，上述步骤(g)包含:自动光学检测装置的感光元件根据参考座标移动到晶圆的原点晶粒。
[0012]在本发明一实施方式中，上述步骤(b)包含:记录光罩晶粒任一者到其他光罩晶粒的第一距离。
[0013]在本发明一实施方式中，在上述步骤(C)中，空白晶粒的数量与光罩晶粒的数量相同。
[0014]在本发明一实施方式中，在上述步骤(e)中，比对符合次数的最高者等于空白晶粒的数量。
[0015]在本发明上述实施方式中，由于光罩晶粒的座标能计算出光罩晶粒任一者到其他光罩晶粒的第一距离，而第一距离可用来比对空白晶粒与光罩晶粒，当比对符合次数的最闻者广生时，表不空白晶粒与光罩晶粒的位置对应，因此能利用光罩晶粒的座标取得空白晶粒的座标。如此一来，空白晶粒的座标与参考座标间的第二距离可被计算出，且参考座标可根据第二距离调整以符合所述光罩晶粒的座标。本发明的比对座标的方法可由光罩晶粒的座标取得空白晶粒的座标，且能以自动的方式得到空白晶粒的座标，让晶圆在检测后可取得参考座标供后续的制程采用。因此，可节省检测时间并提升晶圆的合格率。
【附图说明】
[0016]图1绘示根据本发明一实施方式的比对座标的方法的流程图；
[0017]图2绘示根据本发明一实施方式的晶圆的俯视图；
[0018]图3绘示根据本发明一实施方式的光罩的俯视图；
[0019]图4绘示图3的光罩晶粒的一者到其他光罩晶粒的第一距离的示意图；
[0020]图5绘示图3的光罩晶粒的另一者到其他光罩晶粒的第一距离的示意图；
[0021]图6绘示图3的光罩晶粒的又一者到其他光罩晶粒的第一距离的示意图；
[0022]图7绘不图2的空白晶粒与图3的光罩晶粒比对时的不意图；
[0023]图8绘不图2的空白晶粒与图3的光罩晶粒比对时的不意图；
[0024]图9绘不图2的空白晶粒与图3的光罩晶粒比对时的不意图；
[0025]图10绘示图9的空白晶粒与参考座标间的第二距离计算时的示意图。
【具体实施方式】
[0026]以下将以附图揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。
[0027]图1绘示根据本发明一实施方式的比对座标的方法的流程图。如图所示，用于检测晶圆的比对座标的方法，包含下列步骤:首先在步骤SI中，取得对应晶圆的多个光罩晶粒的座标。接着在步骤S2中，利用光罩晶粒的座标计算光罩晶粒任一者到其他光罩晶粒的多个第一距离。之后在步骤S3中，根据扫瞄晶圆的位置数据，找到多个空白晶粒。接着在步骤S4中，根据第一距离比对空白晶粒与光罩晶粒，以得到多个比对符合次数。之后在步骤S5中，当比对符合次数的最高者产生时，利用光罩晶粒的座标取得空白晶粒的座标。接着在步骤S6中，计算空白晶粒的一者的座标与参考座标间的第_■距尚。最后在步骤S7中，根据第二距离调整参考座标以对应(符合)光罩晶粒的座标。目前部分破片的晶圆无法自动化作业，是因为部分破片与完整片会有对错点的疑虑，必须由人工确认，经由本发明的技术可以克服此问题，使所有产品(含完整片和破片)自动化作业。
[0028]在以下叙述中，将具体说明上述各步骤。
[0029]图2绘示根据本发明一实施方式的晶圆110的俯视图。图3绘示根据本发明一实施方式的光罩120的俯视图。同时参阅图2与图3，晶圆110具有多个空白晶粒112a、112b、112c、112d。空白晶粒112a、112b、112c、112d可例如为空洞区或破片区。光罩120具有多个光罩晶粒122a、122b、122c、122d。在图1步骤SI中，可先取得对应晶圆110的光罩120的光罩晶粒122a、122b、122c、122d座标。其中，光罩晶粒122a、122b、122c、122d的座标可由晶圆110厂商提供的光罩档取得，或是由晶圆110的点测档取得。
[0030]接着在图1步骤S2中，可利用光罩晶粒122a的座标计算光罩晶粒122a到其他光罩晶粒122b、122c、122d的多个第一距离dl、d2、d3。其中，第一距离dl为光罩晶粒122a与光罩晶粒122b之间的距离，第一距离d2为光罩晶粒122a与光罩晶粒122c之间的距离，第一距离d3为光罩晶粒122a与光罩晶粒122d之间的距离。
[0031]图4绘示图3的光罩晶粒122b到其他光罩晶粒122a、122c、122d的第一距离d4、d5、d6的不意图。相似地，可利用光罩晶粒122b的座标计算光罩晶粒122b到其他光罩晶粒122a、122c、122d的多个第一距离d4、d5、d6。其中，第一距离d4为光罩晶粒122b与光罩晶粒122a之间的距离，第一距离d5为光罩晶粒122b与光罩晶粒122c之间的距离，第一距离d6为光罩晶粒122b与光罩晶粒122d之间的距离。
[0032]图5绘示图3的光罩晶粒122c到其他光罩晶粒122a、122b、122d的第一距离d7、d8、d9的不意图。相似地，可利用光罩晶粒122c的座标计算光罩晶粒122c到其他光罩晶粒122a、122b、122d的多个第一距离d7、d8、d9。其中，第一距离d7为光罩晶粒122c与光罩晶粒122a之间的距离，第一距离d8为光罩晶粒122c与光罩晶粒122b之间的距离，第一距离d9为光罩晶粒122c与光罩晶粒122d之间的距离。
[0033]图6绘示图3的光罩晶粒122d到其他光罩晶粒122a、122b、122c的第一距离dlO、dll、dl2的示意图。相似地,可利用光罩晶粒122d的座标计算光罩晶粒122d到其他光罩晶粒122a、122b、122c的多个第一距离dl0、dll、dl2。其中，第一距离dlO为光罩晶粒122d与光罩晶粒122a之间的距离，第一距离dll为光罩晶粒122d与光罩晶粒122b之间的