专利名称：一种控制晶圆边缘缺陷的方法
技术领域：
本发明涉及集成电路制造工艺领域的在线缺陷改善方法，且特别涉及一种控制晶圆边缘缺陷的方法。
背景技术：
随着集成电路工艺的发展和成本控制的考量，晶圆规格逐渐向大尺寸发展，12寸已逐渐成为集成电路制造的主流，未来甚至会发展到18寸及18寸以上。晶圆尺寸的扩大相应的引起晶圆边缘面积的扩大，边缘的制造工艺更加难以控制，从而造成许多晶圆边缘剥落缺陷，严重影响良率提升甚至造成报废。晶圆边缘的缺陷控制一向是集成电路缺陷控制工作中的一个难点。传统的晶圆边缘缺陷控制方法是通过清洗晶圆边缘的方式把可能的剥落源头去除，以防止此类缺陷掉入晶圆内部影响良率。但是，此类方法首先需要找到剥落源头及其对应的工艺步骤，然后对该步骤后的晶圆边缘层次进行分析，决定清洗的厚度和相应的清洗程式，过程周期耗时太长而且如果清洗不到位或清洗过度会造成更多的剥落缺陷，甚至造成严重的金属污染。
发明内容
本发明提出一种控制晶圆边缘缺陷的方法，通过在晶圆边缘进行化学气相沉积的方法，在晶圆边缘长上一层氧化硅的保护膜，把晶圆边缘脆弱易剥落的部分保护起来并固化在晶圆上，阻止其掉落在晶圆里面对产品良率造成影响。为了达到上述目的，本发明提出一种控制晶圆边缘缺陷的方法，包括下列步骤提供一沉积反应腔，所述反应腔包括相对而设的上极板和下极板；将晶圆放置于所述下极板上；提供一保护罩，设置于所述晶圆和所述上极板之间，其中，所述保护罩的面积小于所述晶圆，从而露出所述晶圆的边缘部分；在所述露出的晶圆边缘部分沉积一层保护膜。进一步的，所述保护罩边缘距离所述晶圆边缘的距离为0 3mm。进一步的，所述保护膜为氧化硅薄膜。进一步的，所述保护膜的厚度为50埃 10000埃。进一步的，所述沉积反应腔为化学气相沉积反应腔。进一步的，所述保护膜的沉积方式为化学气相沉积。本发明的技术原理是通过在晶圆边缘进行化学气相沉积的方法，在晶圆边缘长上一层氧化硅的保护膜，把晶圆边缘脆弱易剥落的部分保护起来并固化在晶圆上，阻止其掉落在晶圆里面对产品良率造成影响。其具体设计原理是对传统的化学气相沉积机台进行改造，在其反应腔室内部加装一层保护罩，使之在化学气相沉积反应过程中能够保护晶圆表面中间的大部分面积，只曝露出边缘容易剥落的部分进行沉积，然后在沉积过程中会长出一层氧化物薄膜，把易剥落的部分固化在晶圆上面，从而实现保护晶圆边缘，消除剥落缺陷隐患的目的。此方法应用在易发生剥落缺陷的工艺步骤，可以很快阻止剥落发生，及时解决问题。
图1所示为本发明较佳实施例的控制晶圆边缘缺陷的方法流程图。图2所示为本发明较佳实施例的沉积反应腔结构示意图。图3a和图3b所示为本发明较佳实施例的固化晶圆边缘前后的示意图。
具体实施例方式请参考图1，图1所示为本发明较佳实施例的控制晶圆边缘缺陷的方法流程图。本发明提出一种控制晶圆边缘缺陷的方法，包括下列步骤步骤SlOO 提供一沉积反应腔，所述反应腔包括相对而设的上极板和下极板；步骤S200 将晶圆放置于所述下极板上；步骤S300 提供一保护罩，设置于所述晶圆和所述上极板之间，其中，所述保护罩的面积小于所述晶圆，从而露出所述晶圆的边缘部分；步骤S400 在所述露出的晶圆边缘部分沉积一层保护膜。再请参考图2，图2所示为本发明较佳实施例的沉积反应腔结构示意图。本发明对传统的化学气相沉积机台进行改造，在其反应腔室内部加装一层保护罩，所述沉积反应腔 100包括相对而设的上极板200和下极板300，晶圆400放置于所述下极板300上，而所述保护罩500设置于所述晶圆400和所述上极板200之间，使之在化学气相沉积反应过程中能够保护晶圆400表面中间的大部分面积，只曝露出边缘容易剥落的部分进行沉积，然后在沉积过程中会长出一层氧化物薄膜600，把易剥落的部分固化在晶圆400上面，从而实现保护晶圆400边缘，消除剥落缺陷隐患的目的。再请参考图3a和图3b，图3a和图3b所示为本发明较佳实施例的固化晶圆边缘前后的示意图。晶圆400放置于所述下极板300上，所述保护罩500边缘距离所述晶圆400 边缘的距离为0 3mm，进行化学气相沉积处理，在所述晶圆400的边缘部分沉积一层氧化物薄膜600作为保护膜，其中所述保护膜为氧化硅薄膜，其厚度范围为50埃 10000埃。综上所述，本发明的技术原理是通过在晶圆边缘进行化学气相沉积的方法，在晶圆边缘长上一层氧化硅的保护膜，把晶圆边缘脆弱易剥落的部分保护起来并固化在晶圆上，阻止其掉落在晶圆里面对产品良率造成影响。其具体设计原理是对传统的化学气相沉积机台进行改造，在其反应腔室内部加装一层保护罩，使之在化学气相沉积反应过程中能够保护晶圆表面中间的大部分面积，只曝露出边缘容易剥落的部分进行沉积，然后在沉积过程中会长出一层氧化物薄膜，把易剥落的部分固化在晶圆上面，从而实现保护晶圆边缘， 消除剥落缺陷隐患的目的。此方法应用在易发生剥落缺陷的工艺步骤，可以很快阻止剥落发生，及时解决问题。虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
权利要求
1.一种控制晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于，包括下列步骤 提供一沉积反应腔，所述反应腔包括相对而设的上极板和下极板； 将晶圆放置于所述下极板上；提供一保护罩，设置于所述晶圆和所述上极板之间，其中，所述保护罩的面积小于所述晶圆，从而露出所述晶圆的边缘部分；在所述露出的晶圆边缘部分沉积一层保护膜。
2.根据权利要求1所述的控制晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于，所述保护罩边缘距离所述晶圆边缘的距离为0 3mm。
3.根据权利要求1所述的控制晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于，所述保护膜为氧化硅薄膜。
4.根据权利要求1所述的控制晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于，所述保护膜的厚度为50埃 10000埃。
5.根据权利要求1所述的控制晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于，所述沉积反应腔为化学气相沉积反应腔。
6.根据权利要求1所述的控制晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于，所述保护膜的沉积方式为化学气相沉积。
全文摘要
本发明提出一种控制晶圆边缘缺陷的方法，包括下列步骤提供一沉积反应腔，所述反应腔包括相对而设的上极板和下极板；将晶圆放置于所述下极板上；提供一保护罩，设置于所述晶圆和所述上极板之间，其中，所述保护罩的面积小于所述晶圆，从而露出所述晶圆的边缘部分；在所述露出的晶圆边缘部分沉积一层保护膜。本发明提出的控制晶圆边缘缺陷的方法，通过在晶圆边缘进行化学气相沉积的方法，在晶圆边缘长上一层氧化硅的保护膜，把晶圆边缘脆弱易剥落的部分保护起来并固化在晶圆上，阻止其掉落在晶圆里面对产品良率造成影响。
文档编号H01L21/314GK102361008SQ20111033514
公开日2012年2月22日 申请日期2011年10月28日 优先权日2011年10月28日
发明者倪棋梁, 郭明升, 陈宏璘, 龙吟 申请人:上海华力微电子有限公司