专利名称：晶界层半导体瓷片的烧成联体炉的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电子元件技术领域，特指一种晶界层半导体瓷片的烧成联体炉。
背景技术：
半导体陶瓷电容器包括表面层和晶界层两类，按IEC标准属III型陶瓷电容器，具有体积小，容量大等优点，广泛应用于电子信息产品中。
本公司曾于2002年4月29日向国家知识产权局专利局提出申请号为02115171.7，名称为晶界层半导体陶瓷电容器制造方法的发明专利申请。本公司开发出一次性烧成的晶界层半导体陶瓷电容器主体-晶界层半导体瓷片的瓷料配方和生产工艺方法，即还原烧成后，不再涂覆氧化剂，而直接进入氧化，无需涂覆氧化剂后再进行氧化，从而实现大规模产业化生产。
本实用新型就是用于完成晶界层半导体陶瓷电容器主体-晶界层半导体瓷片一次性烧成的烧成联体炉。
发明内容
本实用新型的目的就在于提供一种晶界层半导体陶瓷电容器的瓷片还原烧成后，不再涂覆氧化剂，而直接进入氧化的一次性烧成的烧成联体炉。
本实用新型是通过如下技术方案实现的晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，它包括排胶炉体、还原烧成炉体和氧化炉体，排胶炉体用于瓷料的锻烧和排胶，还原烧成炉体用于排胶后的瓷片还原烧成，氧化炉体用于还原烧成后的瓷片氧化，排胶炉体、还原烧成炉体和氧化炉体的炉膛连通；排胶炉体、还原烧成炉体和氧化炉体内分别设有传送装置，可沿炉膛推动承烧物；排胶炉体和还原烧成炉体间设有气幕；还原烧成炉体和氧化炉体间设有闸门，闸门外侧分别设有火帘，形成火帘密封；控温装置连接排胶炉体、还原烧成炉体和氧化炉体，分别控制此三个炉体内的烧结温度；排胶炉体上设有排气装置，以排出排胶炉体内胶体碳化物、一氧化碳、二氧化碳气体；还原烧成炉体和气体配比装置通过气管连接起来，气体配比装置又同氢气氮气发生装置相连接，氢气氮气发生装置和气体配比装置提供给还原烧成炉体按所要求气体浓度成份；氧化炉体上设有送风装置及排气装置。
按照本公司开发的晶界层半导体陶瓷电容器制造方法，使用本实用新型-晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，可实现该联体炉的还原H2、N2气氛所占比例可调，炉体内温度曲线可调，还原烧成后直接进入氧化炉，并可快速降温，从而完成一次性烧成晶界层半导体瓷片。
附图1为晶界层半导体瓷片的烧成联体炉的平面结构示意图具体实施方式
本实用新型-晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，具体实施方式
见图1，它包括排胶炉体(1)、还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)，排胶炉体(1)用于瓷料的锻烧和排胶，还原烧成炉体(2)用于排胶后的瓷片还原烧成，氧化炉体(3)用于还原烧成后的瓷片氧化，排胶炉体(1)的炉膛A(1a)、还原烧成炉体(2)的炉膛(2a)和氧化炉体(3)的炉膛(3a)连通，排胶炉体(1)、还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)为一体连成的完整炉体；排胶炉体(1)、还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)内分别设有传送装置(10、11、12)，可沿炉膛推动承烧物。传送装置(10、11、12)采用液压推进装置。
排胶炉体(1)的进口依次连接有推送器(20)、传送装置(27)和滑动导轨(21)，滑动导轨(21)的末端连接传送装置(22)，传送装置(27、22)为液压推进装置；排胶炉体(1)上设有排气装置(14)，以排出排胶炉体(1)内的胶体碳化物、一氧化碳、二氧化碳气体，排气装置(14、18)采用离心通风机。
还原烧成炉体(2)和气体配比装置(16)通过气管连接起来，气体配比装置(16)又同氢气氮气发生装置(15)相连接，氢气氮气发生装置(15)和气体配比装置(16)提供给还原烧成炉体(2)按所要求氢气体浓度成份配备好含有一定氢气浓度的氮氢混合气体；排胶炉体(1)和还原烧成炉体(2)间设有气幕(4、5)，还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)间设有闸门(6、7)，闸门(6)外侧设有火帘(8)，形成火帘密封，还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)间的闸门(6、7)为自动控制闸门，这样通过闸门(6、7)和火帘(8)使还原烧成炉体(2)内的氢气同氧化炉体(3)间的空气隔离开。还原烧成炉体(2)和气体配比装置(16)间连接有气体流量计(24)，控制进入还原烧成炉体(2)内的氢氮混合气体的流量，使瓷片还原烧成质量更佳。
氧化炉体(3)上设有送风装置(17)及排气装置(18)；送风装置(17)上连接有空气过滤器(19)；送风装置(17)为鼓风机；排气装置(18)采用离心通风机；氧化炉体(3)和送风装置(17)间连接有气体流量计(23)。这样实现了补充氧气并使氧化烧结后的气体排出，始终保持有新鲜的氧气并保持其一定压力和浓度。
瓷料放在匣钵(30)内，再将盛放瓷料的数个匣钵(30)摞在推板上，将堆放有匣钵(30)的推板放在滑动导轨(21)上，通过传送装置(22)推送排在一起的推板，使堆放有匣钵(30)的推板送至传送装置(27)前面，传送装置(27)将堆放有匣钵(30)的推板推送至推送器(20)，再靠推送器(20)将堆放有匣钵(30)的推板推送至传送装置(10)前面，通过传送装置(10)送至排胶炉体(1)内。
摞在一起的匣钵(30)内的瓷料完成烧结排胶后，由传送装置(10)将堆放有匣钵并排在一起的推板送入还原烧成炉体(2)内，匣钵(30)内瓷片经过还原烧成后，被传送装置(11)快速推送至氧化炉体(3)内，进行氧化。完成氧化工序后，被传送装置(12)送至出口，氧化炉体(3)的出口设有滚道(25)，匣钵(30)从滚道(25)上出来成为成品。这样实现了还原烧成后直接进入氧化炉，并可按照设计的工艺要求快速降温。处于氧化炉体(3)外的滚道(25)内侧设有传送装置(28)，传送装置(28)为液压推进装置，传送装置(28)可将匣钵(30)内的成品传送至传送装置(22)的前面，再由传送装置(22)推送至滑动导轨(21)上，由工人将盛有成品的匣钵(30)搬下来。
控温装置(13)连接排胶炉体(1)、还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)，分别控制此三个炉体内的烧结温度，实现炉体内可分段控制炉温，从而炉内可按照本公司开发的晶界层半导体陶瓷电容器制造方法设计的温度曲线进行调节。
权利要求1.晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，其特征在于它包括排胶炉体(1)、还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)，排胶炉体(1)用于瓷料的锻烧和排胶，还原烧成炉体(2)用于排胶后的瓷片还原烧成，氧化炉体(3)用于还原烧成后的瓷片氧化，排胶炉体(1)的炉膛(1a)、还原烧成炉体(2)的炉膛(2a)和氧化炉体(3)的炉膛(3a)连通；排胶炉体(1)、还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)内分别设有传送装置(10、11、12)，可沿炉膛推动承烧物；排胶炉体(1)和还原烧成炉体(2)间设有气幕(4、5)；还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)间设有闸门(6、7)，闸门(6)外侧设有火帘(8)，形成火帘密封；控温装置(13)连接排胶炉体(1)、还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)，分别控制此三个炉体内的烧结温度；排胶炉体(1)上设有排气装置(14)，以排出排胶炉体(1)内胶体碳化物、一氧化碳、二氧化碳气体；还原烧成炉体(2)和气体配比装置(16)通过气管连接起来，气体配比装置(16)又同氢气氮气发生装置(15)相连接，氢气氮气发生装置(15)和气体配比装置(16)提供给还原烧成炉体(2)按所要求气体浓度成份；氧化炉体(3)上设有送风装置(17)及排气装置(18)。
2.如权利要求1所述的晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，其特征在于送风装置(17)上连接有空气过滤器(19)。
3.如权利要求1或2所述的晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，其特征在于还原烧成炉体(2)和气体配比装置(16)间连接有气体流量计(24)。
4.如权利要求1或2所述的晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，其特征在于氧化炉体(3)和送风装置(17)间连接有气体流量计(23)。
5.如权利要求1或2所述的晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，其特征在于还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)间的闸门(6、7)为自动控制闸门。
6.如权利要求1或2所述的晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，其特征在于送风装置(17)为鼓风机。
7.如权利要求1或2所述的晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，其特征在于排气装置(14、18)为离心通风机。
8.如权利要求1或2所述的晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，其特征在于排胶炉体(1)的进口依次连接有推送器(20)、传送装置(27)和滑动导轨(21)，滑动导轨(21)的末端连接传送装置(22)。
9.如权利要求1或2所述的晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，其特征在于氧化炉体(3)的出口设有滚道(25)，处于氧化炉体(3)外的滚道(25)内侧设有传送装置(28)，传送装置(28)可将成品传送至传送装置(22)的前面。
10.如权利要求1或2所述的晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，其特征在于传送装置(10、11、12)为液压推进装置。
11.如权利要求8所述的晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，其特征在于传送装(22、27)为液压推进装置。
12.如权利要求9所述的晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，其特征在于传送装置(28)为液压推进装置。
13.如权利要求9所述的晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，其特征在于滚道(25)由变频电机(26)带动。
14.如权利要求1或2所述的晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，其特征在于排胶炉体(1)、还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)为一体连成的完整炉体。
专利摘要本实用新型涉及电子元件技术领域，公开了一种晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，其排胶炉体(1)、还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)分别连接控温装置(13)，其内并设有传送装置(10、11、12)；排胶炉体(1)和还原烧成炉体(2)间设有气幕(4、5)；还原烧成炉体(2)和氧化炉体(3)间设有闸门(6、7)，闸门(6)外侧设有火帘(8)；还原烧成炉体(2)和气体配比装置(16)通过气管连接起来，气体配比装置(16)又同氢气氮气发生装置(15)相连接；氧化炉体(3)上设有送风装置(17)及排气装置(18)。可实现还原烧成后直接进入氧化炉，从而完成一次性烧成晶界层半导体瓷片。
文档编号F27B5/04GK2702256SQ20032011972
公开日2005年5月25日 申请日期2003年12月26日 优先权日2003年12月26日
发明者章士瀛, 王守士, 王振平, 吴宾, 张卓宇, 余如鳌 申请人:广东南方宏明电子科技股份有限公司