专利名称：一种基于pic16c711的燃气灶脉冲点火控制器的制作方法
技术领域：
本发明属于自动控制领域，是涉及一种基于PIC16C711的燃气灶脉冲点火控制器 设计。
背景技术：
目前我国约有1000家燃气灶具生产企业。年产量约3000万台。其中规模较大、 产品质量和管理水平好的企业只有100家左右，其余大部分则是简单组装型企业。由于这 些组装型企业的产品质量和技术普遍较低。随着国家燃气灶具产品生产许可证换(发)证 制度的实施，超过600家的企业将被强制淘汰。如何降低成本，生产性能稳定，节省能源的 燃气灶是各燃气灶具生产企业取胜的关键，而脉冲点火控制器则是燃气灶中核心部分。本发明的内容本发明就是针对上述问题，提供一种能够实现自动点火控制的基于PIC16C711的 燃气灶脉冲点火控制器设计。为实现上述目的，本发明采用如下技术方案，本发明包括晶体管Q2控制TT变压器 振荡电压，Ql维持变压器振荡，而Ql，Q2都由单片机的I/O端口控制，其中Dl为一只IOV 稳压管，当一个I/O 口发出点火信号，变压器开始振荡，次级产生约180V的高压信号，高压 信号通过二极管整流向Cl充电，这样高压信号就可施加到可控硅，同时TT次级也向稳压管 产生高电压，若高电压达到稳压管的击穿电压，稳压管被击穿，此时二极管导通，触发可控 硅D3，D4导通，在单点火高压包初级产生高电压，次级也产生12kV 18kV的高电压，点火 针接至T1，T2的次级。本发明的有益效果脉冲点火控制器系统主要实现的功能是自动点火控制，由于本发明包括晶体管Q2 控制TT变压器振荡电压，Ql维持变压器振荡，而Ql，Q2都由单片机的I/O端口控制，其中 Dl为一只IOV稳压管，当一个I/O 口发出点火信号，变压器开始振荡，次级产生约180V的 高压信号，高压信号通过二极管整流向Cl充电，这样高压信号就可施加到可控硅，同时TT 次级也向稳压管产生高电压，若高电压达到稳压管的击穿电压，稳压管被击穿，此时二极管 导通，触发可控硅D3，D4导通，在单点火高压包初级产生高电压，次级也产生12kV ISkV 的高电压，点火针接至Tl，T2的次级，所以点火信号从单片机发出后，会在点火针产生电火 花，从而达到点火目的。本发明是一种高性价比的燃气脉冲点火控制器设计，采用Microchip公司生产的 PIC16C711单片机作为主控器，实现了点火的智能化和火焰检测的无传感器设计，同时使能 源的消耗降到最低。
图1是本发明的电路原理图。
具体实施例方式本发明包括晶体管Q2控制TT变压器振荡电压，Ql维持变压器振荡，而Ql，Q2都 由单片机的I/O端口控制，其中Dl为一只IOV稳压管，当一个I/O 口发出点火信号，变压器 开始振荡，次级产生约180V的高压信号，高压信号通过二极管整流向Cl充电，这样高压信 号就可施加到可控硅，同时TT次级也向稳压管产生高电压，若高电压达到稳压管的击穿电 压，稳压管被击穿，此时二极管导通，触发可控硅D3，D4导通，在单点火高压包初级产生高 电压，次级也产生12kV 18kV的高电压，点火针接至Tl，T2的次级。在使用本发明时整个系统由点火开关控制，当用户按下点火开关时，点火针产生 高压火花，为了保证安全，延时0. 1秒后再由点火控制器控制燃气阀打开，并通过火焰检测 判断点火是否成功，若有火焰信号则停止点火，同时启动反馈检测功能。整个过程能有效避 免出现燃气阀打开而未燃烧的状况，大大提高了产品的安全性和可靠性。
权利要求
一种基于PIC16C711的燃气灶脉冲点火控制器，其特征在于晶体管Q2控制TT变压器振荡电压，Q1维持变压器振荡，而Q1，Q2都由单片机的I/O端口控制，其中D1为一只10V稳压管，当一个I/O口发出点火信号，变压器开始振荡，次级产生约180V的高压信号，高压信号通过二极管整流向C1充电，这样高压信号就可施加到可控硅，同时TT次级也向稳压管产生高电压，若高电压达到稳压管的击穿电压，稳压管被击穿，此时二极管导通，触发可控硅D3，D4导通，在单点火高压包初级产生高电压，次级也产生12kV～18kV的高电压，点火针接至T1，T2的次级。
2.根据权利要求1所述的一种基于PIC16C711的燃气灶脉冲点火控制器，其特征在于 PIC16C711是8位单片机，具有RISC结构CPU、8级硬件堆栈、13个双向I/O 口、4路8位A/ D ；I/O驱动吸收电流可达25mA。
全文摘要
一种基于PIC16C711的燃气灶脉冲点火控制器属于自动控制领域。本发明提供一种能够实现自动点火控制的基于PIC16C711的燃气灶脉冲点火控制器设计。本发明包括晶体管Q2控制TT变压器振荡电压，Q1维持变压器振荡，而Q1，Q2都由单片机的I/O端口控制，其中D1为一只10V稳压管，当一个I/O口发出点火信号，变压器开始振荡，次级产生约180V的高压信号，高压信号通过二极管整流向C1充电，这样高压信号就可施加到可控硅，同时TT次级也向稳压管产生高电压，若高电压达到稳压管的击穿电压，稳压管被击穿，此时二极管导通，触发可控硅D3，D4导通。
文档编号F24C3/12GK101995036SQ20091001341
公开日2011年3月30日 申请日期2009年8月26日 优先权日2009年8月26日
发明者高秀珍 申请人:高秀珍