用于太阳能应用的反射层系统及其制造方法

用于太阳能应用的反射层系统及其制造方法
【专利摘要】本发明涉及用于太阳能应用的前侧镜的反射层系统RSS及其制造方法，所述反射层系统RSS包括在基底S上的在太阳光谱中具有高反射性的层。为了在弯曲和平坦基底S上实现这种反射层系统RSS且同时保持低的材料用量并获得较高TSR值，将金属反射功能层F、金属反射层R和作为覆盖层D的透明的介电保护层沉积在所述基底S上，所述透明的介电保护层含有金属的氧化物、氮化物或氮氧化合物或者半导体并且其厚度为500nm或更大，优选大于1μm。
【专利说明】用于太阳能应用的反射层系统及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及用于太阳能应用的前侧镜的反射层系统，其具有在太阳光谱中高度反射且沉积在基底上的层。本发明还涉及制造反射层系统的方法。
【背景技术】
[0002]反射层系统长期以来已用于我们生活的许多领域中；然而，现今其变得越来越重要，例如对于解决能量问题用的镜子。而用于常规室内应用的镜子需要“仅”反射光谱的可见部分，对于太阳能应用来说，其必须尽可能反射太阳光谱的整个范围。
[0003]至于镜子，根据基底哪一侧实现主要反射，大体上，在此处区分为前侧镜和后侧镜。
[0004]经常借助于湿化学法将反射涂层沉积在基底例如玻璃或塑料上来制造反射层系统以用于室内和室外应用，例如太阳能应用(CSP—聚光太阳能)。根据上述定义，这涉及其中在每种情况下相对于光入射将反射涂层设置在基底后侧(后侧镜)或其前侧(前侧镜)的镜子。根据具体应用和关于机械、化学和环境相关耐久性的相关要求，必须相对于大气永久性保护镜子的反射涂层。
[0005]关于弯曲镜，例如对于抛物面槽式发电厂中的CSP应用来说，原则上于此处涂布弯曲玻璃。那是指首先对平坦基底进行热弯曲并且在所述工艺中也可能进行钢化或对其进行热处理，且接着以湿化学、物理方法或这两种方法的组合仅对其涂布反射层或反射层系统和可能的附加保护层。
[0006]对太阳反射器的质量至关重要的尤其是其太阳光总反射率(TSR)的值，即其反射太阳辐射的能力。甚至在外后视镜的情况下，除由基底所致的吸收损失之外，这个值主要由其涂层的反射率决定。为了获得最高的可能反射，此处优选使用银作为反射层。在后侧镜的情况下，通常使用吸收特别低并且透明度高的基底，例如所谓的白玻璃或太阳能玻璃。在后侧，在这种情况下接着由铜层封闭所述银层，所述铜层同时也用作随后保护漆涂层的界面层。
[0007]因为这种镜子在其应用中还必须耐受高的机械负荷例如强风，并且必须甚至在高负荷下仍几何尺寸稳定，所以基底厚度不能低于最小厚度。太阳能镜的厚度现今通常为4mm。即使使用高纯度白玻璃或太阳能玻璃，也不能在基底材料制造中任意降低基底材料的光吸收，且因此构成关于后侧太阳能镜的TSR的限制因素之一。
[0008]制造这种镜子的工艺通常如下所示。在预先所需的适当处理之后，如果合适，则再次对基底进行抛光和洗涤，所述适当处理可包括切成所需形状、研磨基底边缘、弯曲和/或热处理平坦或已经弯曲的基底以及其它步骤。任选地，随后在其仍然湿润时，向其提供具有胶粘促进作用的溶液，例如二氯化锡，以用于活化目的。然后使薄片相继穿过涂布台，在所述涂布台中用银湿化学涂布薄片，然后直接用铜涂布所述薄片。之后直接用漆涂布或用多级漆体系的多种漆进行涂布。然后，在150°C -200°C下干燥整个涂层。
[0009]在已知系统中，所施加的银的厚度处于约120nm和150nm之间，银对于反射重要但也是成本密集型的材料，从而导致相对较高的材料成本。此外，在弯曲基底的情况下，例如，证明如下现象是不利的:在湿化学涂布基底凸面期间，最初液体银和/或铜溶液因重力而流到基底边缘且在那里产生较高层厚，对于银，所述层厚经常在例如150nm的范围内。这种效果显著增加材料的用量且导致层厚不均匀性，在这个数量级下不能为多种应用所容许。
[0010]根据基底的吸收性质和其厚度，例如在太阳能玻璃厚度4mm的情况下，可借助于所述方法制造TSR为93%-94%的镜子。这个值低于例如从银的相应表列光学数据的模拟计算得到的可获得值。

【发明内容】

[0011]因此，目的在于提供在弯曲和平坦基底上的用于太阳能应用的反射层系统，以及可在减少使用材料的情况下获得更高TSR值的制造该反射层系统的方法。
[0012]为了实现所述目的，提出根据权利要求1所限定的反射层系统和根据权利要求13所限定的其制造方法。相关的从属权利要求提出本发明的有利构造。
[0013]根据本发明的反射层系统允许所述构造作为前侧镜，因此，关于所述基底的材料和关于其厚度和形状，都存在大得多的变化性，而不损失机械和化学耐久性。这也包括以下事实:首先涂布平坦基底且在涂布之后进行弯曲或进行热处理以达到其它目的。此外，除玻璃之外，也可将例如塑料或金属用作基底。除板状材料和膜之外，条状材料和膜也是可行的。
[0014]根据本发明，所述反射层系统包括如下的金属反射层，该金属反射层当本身单独考虑时不必不透光。已经发现，为了实现所述反射层系统的最大太阳光反射，特别是如果其已根据一种方法构造溅射，则所需的反射层厚度远小于湿化学法中所用的反射层厚度。
[0015]也称为不透明层的不透光层为如下厚度的层:该厚度使得该不透光层不再展现透射，即，太阳光总透射率(TST)小于0.1%，且因此达到其最大反射或吸收。在银的情况下，由约100nm-120nm的层厚度开始，该层为不透明的。相反地，如果制造显著薄于实现最大反射所必需的厚度且因此仍展现小比例透射率的反射层，则可借助于一些其它合适材料的另外的反射层，来实现用单独的不透明反射层实现的基本相同的全反射，所述另外的反射层相对于光入射方向配置在高反射性反射层之后。
[0016]在这种情况下，这种另外的材料可具有显著低于所述反射层的单独的反射，其也允许使用廉价的非贵金属。配置在所述反射层之后的第二层因此不仅可用于反射，而且可用于额外的功能，特别是用于保护所述反射层。因此，在下文将其认定为反射功能层，以便更好地区分。
[0017]对于所述反射层和所述功能层的多种材料组合，可能有利的是，不将这两层配置成彼此直接相邻，而是将胶粘促进层插于这两层之间。这种胶粘促进层可具有非常小的层厚度；小于Inm便足够。该胶粘促进层无需必须在功能层上形成闭合的层或表面；相反地，也可将所述胶粘促进层视作所谓的晶种层。
[0018]为了提高所述反射层系统对所述基底的胶粘性，可预处理面对所述反射层系统的基底表面。根据用于这种目的层系统和方法的多种构造，在真空下借助于电晕放电或热学处理(热处理)，通过等离子体处理，这是可行的。任选地，也可将胶粘促进和扩散阻挡层沉积在所述基底上。这个层也无需必须在所述基底上形成闭合的层或表面，且因此也可将其视作所谓的晶种层。因此，此处非常小的层厚度便足够。其通常小于5nm。
[0019]以此方式制造的反射层系统满足关于通过多种标准化试验进行测试的化学和热学耐久性和胶粘强度的必需要求。在这种情况下，所提及的预处理步骤也可以彼此组合。那也包括以下事实:除沉积胶粘促进和扩散阻挡层以外，也可在真空下实现等离子体处理和/或热处理。
[0020]在预处理或多个预处理的组合的情况下，可省去在现有技术湿化学涂布的情况中所用的基底的化学活化。
[0021]为了以针对性的方式改善和设置光学性质，所述方法的一种构造包括如下的交互层系统，该交互层系统包含至少一种如下的层序列，所述层序列具有低折射率介电层和高折射率介电层。这种交互层系统在此处适用于例如增加反射。
[0022]此外，为了提高胶粘性的目的并且同时免受因反射层系统的进一步处理而扩散至所述反射层中工艺的影响，可在所述反射层和所述交互层系统之间配置胶粘促进和阻挡层。几纳米、优选小于Inm的范围内的非常小的厚度，对于所述胶粘促进和阻挡层同样是足够的。
[0023]在不另外引入氧或另外引入极少氧的情况下，通过DC (直流)或MF (中频)溅射，可从金属或陶瓷靶材沉积在反射层和透明的介电和反射增加交互层系统的第一层之间的薄胶粘促进和阻挡层，以及同样地沉积在反射层和功能层之间的上述胶粘促进层。在这种情况下，与从金属靶材完全反应性沉积相比，需要显著更少的氧。特别地，因此显著减少在溅射所述胶粘促进和阻挡层期间例如银反射层的表面氧化。
[0024]将以此方式制造的层首先用作在两侧分别相邻的层之间的胶粘层，即金属反射层和另外的层之间的胶粘层。其次，其构成反射层就后续涂布工艺过程中的氧化而言的保护层。当沉积二氧化硅时，这特别适用，所述二氧化硅优选作为所述交互层系统的第一低折射率层并且在其等离子体中含有氧。
[0025]此外，所述胶粘促进层和所述胶粘促进和阻挡层可保护所述反射层在热弯曲和/或热处理工艺期间不发生氧化。根据本发明的层系统因此适用于使弯曲反射系统首先沉积在平坦基底上并且然后仅进行弯曲。
[0026]在这种情况下，选择所述胶粘促进层和所述胶粘促进和阻挡层的层厚度，以使在热处理和/或弯曲期间仅仅这些层而非所述反射层被氧化，因此实现最低的反射损失。然而，所述层的厚度必须足够大，以完全结合在热处理期间通过扩散而输送的氧，或者阻挡所述氧扩散到所述反射层。取决于所述材料，在弯曲之后，同样地也在热处理之后，所获得的TSR值可能高于弯曲之前的。特别地，具有无吸收性或低吸收性氧化物的金属，例如Al、Zn、Sn、S1、Ti和NiCr，适于这种情况，其中对于各种应用，例如对于不必高度透明的层，其氧化或完全氧化不是必需的。因此，能够以金属状态或者亚化学计量或化学计量氧化的状态，来沉积所述胶粘促进层和所述胶粘促进和阻挡层。
[0027]另外，如下的可能性提供了众多其它优势:首先用全反射层系统或其至少一些层涂布基底，然后仅将其弯曲。因为该基底的平面性质，所以可将许多不同方法用于涂布，特别是包括阴极溅射，其在平面基底和已经弯曲的基底上都能实现强胶粘性、高度反射性并且同时非常薄的层。就这而言，已知方法能够实现偏差最多为±1.5%的层厚度，从而允许在整个基底上均匀沉积最小的所需层厚度。对于所述功能和反射层，可更精确调整的层厚度有利于层厚度小的所述反射层系统，因为由此可制造本身单独并非不透光的各个层。
[0028]在所述反射层系统的情况下，弯曲基底形式是可行的，由此将反射层系统配置在凹面上，即基底的向内弯曲侧，其中在弯曲期间将该层压缩，和配置在凸侧，从而在弯曲期间延展所述层。两种形式的组合也是可行的，条件是上述基底支持这种弯曲。
[0029]然而，湿化学法同样也是可行的，其可用以在平面基底上制造均匀层。例如，可采用溶胶-凝胶法，其涉及沉积由胶态分散物、即所谓溶胶组成的通常非金属无机或混合聚合材料。为了涂布的目的，首先将涂布溶液施加在所述基底上，然后任选地在温度的作用下进行干燥。贯穿涂布和干燥，进行水解和缩合反应，直到聚集体已变成固体膜为止。
[0030]与根据现有技术的方法相比，在所有情况下并且由于所导致的层材料的材料节省，不同沉积方法导致显著的成本节省。
[0031]补充地或可选地，在材料和厚度方面与上述胶粘促进层和胶粘促进和阻挡层一样，也可在所述基底上制造所述胶粘促进和扩散阻挡层，以便如上所述也借助于这种层来获得对所述功能和反射层的保护以免其在弯曲或热处理期间被氧化。对于这种层的功能和构建，因此参照关于所述胶粘促进和阻挡层的上述说明。
[0032]通过由金属的氧化物、氮化物或氮氧化合物或者半导体组成的透明介电的厚覆盖层，形成上述反射层系统的终止处。在这种情况下，将“厚”视作层厚度为至少500nm，以在不必接受TSR值显著损失的情况下获得足够的机械和化学耐久性。根据这些要求，大于I μ m的层厚度也可能是必需的。
[0033]令人惊讶地，已经发现厚覆盖层也支持沉积所述反射层系统之后的热弯曲或热处理，因为与具有显著更小层厚度的常规覆盖层相比，具有如下厚覆盖层的根据本发明的弯曲反射层系统具有至少相同的TSR值，该厚覆盖层由金属的氧化物、氮化物或氮氧化合物或者半导体组成。
[0034]如果所述层在其成比例的材料组成和与此相关的其在厚度上的形态方面会根据各种构造而变化，则可进一步促进所述厚覆盖层对于热弯曲和/或热处理的这种适合性。这可通过沉积具有相互不同的金属或半导体和氧和/或氮比例的不连续子层来完成。可选地，梯度层也是合适的，其成比例的材料组成随着层厚度连续变化。特别地，因为层厚度大，所以一个覆盖层中的两种实施方式的组合也是可行的，也就是说，沉积不连续的子层，其中的至少一个，同样可选地多个，表现为梯度层。
[0035]例如可借助于光学模拟计算来确定根据本发明的反射层系统的可能层厚度。在这方面已经确定，在如下层系统的情况下，可以获得仅比其后具有任意其它层的例如120-150nm厚即不透光的银层低约0.1%的太阳光总反射，该层系统例如由以下组成:作为反射层R的至少65nm厚的银层，和位于其后的约45nm厚的由不同金属组成的反射功能层F。这使材料成本大幅地节省了几乎50%。
[0036]用于所述反射层R的材料可不同于上述银。根据本发明，这样的金属，例如铝、金、钼，也是可行的，或者含有至少一种所述材料的合金也是可行的。所提及的金属都具有同等高的太阳光反射，如合适，对于特定波长具有同等高的太阳光反射，例如金和钼，且因此适于所述反射层系统。如果合适，则可根据金属材料、反射功能层F通过试验或通过模拟以确定所需最小层厚度，从而可获得最大反射。例如，对于银与铜的上述层组合，确定最小的银层厚度为60nm，且对于银与铜的层组合，所述银层的厚度优选在40nm和IOOnm之间，尤其在60nm和90nm之间。
[0037]如下的材料适合作为所述金属反射功能层F，所述材料例如是铜、镍、铬、优质钢、硅、锡、锌、钥或含有至少一种所述金属的合金。使用这些材料，可将反射性质与机械和/或化学防护结合。
[0038]多种材料也可用于所述交互层系统的介电层，其中相对于彼此将折射率评估为高折射率和低折射率。例如，可将氧化钛或者氧化铌(Nb2O5)用作高折射率层。例如，可将氧化硅或氧化铝(Al2O3)或氟化镁(MgF2)用作低折射率层。对于材料组合，必需考虑折射率变化以获得增加反射的效果。
[0039]因为将反射层系统实施为前侧镜和上述反射促进措施，其也可随后应用于弯曲镜，所以可获得具有96%的TSR或更高的反射值，其比从后侧镜获知的值高数个百分点。作为材料，例如，TiO2或Nb2O5被证明有利于任选交互层系统的高折射率介电层，而Si02、Al203或MgF2因其光学、机械和/或化学性质而被证明有利于低折射率介电层。
【专利附图】

【附图说明】
[0040]下文将根据例示性实施方式更详细地说明本发明。在相关附图中，
[0041]图1示出作为前侧镜的反射层系统，而
[0042]图2示出作为弯曲基底上的前侧镜的反射层系统。
【具体实施方式】
[0043]在根据图1的实施方式中，根据本发明的反射层系统具有以下的层构造，从基底向上看，所述层构造在光入射的方向(通过箭头识别)具有如下所述的层厚度:
[0044]
S 基底
HD 掺杂铝的氧化锌(ZAO)或氧化钛(TiO2) ； 3 nm
F 镍-铬(NiCr) ； 45 nm
R 银(Ag) ； 75 nm
HB ZAO 或 TiO2; I nm
WS 氧化硅(SiO2) ; 58 nm 和 TiO2; 27 nm
D SiO2或氮氧化硅(SiOxNy) ； 1200 nm
[0045]根据IS09050:2003，用这样的前侧镜反射层系统获得大于96%的太阳光总反射。
[0046]为了制造所述层系统，通过磁控管溅射将所述层相继沉积在经过相应谨慎地抛光、洗涤和干燥的基底S上，例如浮法玻璃上。可选地，磁控管溅射与其它PVD方法例如电子束蒸发，或CVD或PECVD方法或另外湿化学涂布法的组合，也是可行的。
[0047]在通过溅射进行涂布之前，可任选地在真空中对基底S进行等离子体预处理。出于这个目的，例如，在2-5X10_2毫巴的压力下，在可含有氩气、氧气、CDA (压缩干燥空气)或氮气或其任意混合物的稀薄气体气氛中，引发DC或MF电晕放电，将所述基底的待稍后涂布的那侧暴露于所述DC或MF电晕放电。电晕持续时间为0.5分钟至5分钟。[0048]可选地，也可在涂布之前加热基底S。根据也可组合的预处理步骤，然后可任选地沉积一个或多个胶粘层HS。
[0049]在示例性实施方式中，在另外引入氧的靶材材料的溅射特征的完全反应性MF模式中，从所述金属靶材沉积单一的胶粘促进和扩散阻挡层HD。然而，可选地，其也可在另外引入或不引入氧的情况下以DC或MF模式从陶瓷靶材沉积。在以MF模式从金属靶材进行反应性涂布的情况下，以氧化模式操作溅射工艺。在这种情况下实现与低溅射率相关的特别密集的等离子体。这会改善总是结合于基底表面的水的除去，和仅必须以小于5nm的值非常细沉积的胶粘促进和扩散阻挡层HD的最优形成。此外，将通常对胶粘强度具有极不利影响的含碳杂质氧化，以形成可通过真空泵运出的气态二氧化碳。
[0050]通过DC溅射或通过脉冲DC溅射从金属靶材沉积所述两个金属反射层F、R。在示例性实施方式中，其分别由镍-铬和银组成。可选地，其也可由上述材料中的另一种组成。[0051 ] 在这种情况下，通过DC、脉冲DC或MF溅射从陶瓷靶材沉积如下的薄胶粘促进和阻挡层HB，其处于反射层R和透明的介电和反射增加交互层系统WS的第一层之间。同样,在所述胶粘促进和扩散阻挡层HD的情况下，这可在未另外引入氧或另外引入极少量氧的情况下实现，其中与从金属靶材进行反应性沉积相比，需要显著更少的氧。因此，显著减少了在溅射这种胶粘促进和阻挡层HD期间的银的表面氧化。还要求所述胶粘促进和阻挡层HB仅具有非常小的厚度，确切地说小于Inm的厚度。首先将由此制造的层用作所述金属银和所述介电交互层系统WS之间的胶粘层。其次它构成与氧化有关的银的保护层，所述氧化是由后续的反应性沉积工艺引起，特别是在沉积优选作为所述交互层系统WS的第一层的二氧化硅的期间，并且其等离子体在涂布期间含有氧。
[0052]下一个步骤是在反应性MF模式中沉积如下的交互层系统，其至少包括一个低折射率介电层和一个高折射率介电层，例如低折射率SiO2和高折射率TiO2。
[0053]之后接着是作为覆盖层D的足够厚的保护层。这种保护层必须高度透明，并且如所述交互层系统的两层那样，也可通过物理气相沉积(PVD)，例如通过反应性MF溅射或电子束蒸发、通过CVD或PECVD或另外湿化学方式(WCD)制造。
[0054]如所述的，可优选通过合适的溅射方法实现所述多个层的沉积，从而可制造特别密实和致密的层。其原因在于，在涂布期间在真空中以此方式沉积的成层粒子的粒子能量高。在这种情况下，这些层的电性质和光学性质几乎达到相应固体的那些性质。适当选择沉积参数，可以在宽范围内影响所述层的晶体结构。
[0055]使用PVD技术的另外的优势在于以下事实:甚至在大的基底宽度上也能够实现极均匀的层厚度分布。例如，对于3.21m基底宽度上的大面积建筑玻璃应用，可获得距平均值小于+/_1.5%的层厚度偏尚。
[0056]除上文优选用于个别层的溅射方法的关于组成和层结构的变体以外，还可用靶材方式进一步影响其性质。为了满足由各个层构成的特定要求，引入湿化学法同样任选地是可行的。
[0057]任选地，可以在真空中，在涂布银之后或另外仅在涂布后续层之一后，在将经过涂布的薄片例如从真空装备取出之前，将具有溅射层系统的基底加热。在这种情况下，通过加热溅射层，形成关于银反射最优的晶体结构，且因此产生甚至更高的TSR值。
[0058]因为可通过PVD方法沉积在所有位置处都具有所期望层厚度的层，并且因为以此方式沉积的层不能“脱离”，所以除平面基底之外，根据本发明的方法还特别适用于至少部分具有弯曲、凸面或凹面形状的弯曲基底。
[0059]图2示例在弯曲基底上的根据本发明的反射层系统RSS的构造，其中用以下方式修改根据图1的反射层系统RSS的沉积:可在沉积所述反射层系统RSS之后进行弯曲，并且仍然可获得所提及的高TSR值。
[0060]也将所述反射层系统RSS的上述组成用于可弯曲的变体。在这方面，可参考上述说明。
[0061]差异仅在于在功能层和反射层之间的额外的薄的即厚度小于Inm的胶粘促进层H的沉积，以及所述胶粘促进和阻挡层HB和胶粘促进和扩散阻挡层HD的沉积模式。作为胶粘促进层H的材料，可将相同材料用于胶粘促进和阻挡层HB和胶粘促进和扩散阻挡层HD，即金属或Zn、S1、Sn、T1、Zr、Al、N1、Cr的氧化物或其化合物。
[0062]在未另外引入氧或另外仅引入极少量氧以使其相对于所引入惰性工艺气体的比例小于10%的情况下，通过DC溅射、脉冲DC溅射或MF溅射，从陶瓷靶材，从金属靶材，沉积这三层。因此，这些层是以未氧化状态存在，或者仅起初在涂布后直接以氧化状态存在。
[0063]在根据图2的示例性实施方式中，此外从氧化硅或氮氧化硅的两个不连续子层TD制造所述覆盖层，其中氮比例向着该反射层系统RSS的表面而增大。
[0064]在后续工艺步骤中，将用这种反射层系统RSS涂布的基底S切至所需尺寸，在其边缘处进行研磨，然后进行热弯曲。在这种情况下，将基底S热弯曲，即加热至其软化点以上的温度，就玻璃来说是在约600°C至650°C的范围内，并且产生期望的形状。例如，此处已知在这个温度范围中操作的重力 弯曲炉。根据最终温度和冷却方法，在这种情况下同时也可对经过涂布的基底S进行热处理和/或钢化。此外，所述反射层系统RSS的结构缺陷在这种处理期间退火并且提供甚至更高的TSR值。根据涂层，可在保护气体下或在空气中进行
所述弯曲工艺。[0065]与图1中的相应值相比，在根据图2的反射层系统RSS的情况下，在弯曲之后可进一步增大TSR值。由此获得大于97%的TSR值。[0066]附图标记[0067]S基底[0068]O经过预处理的表面[0069]HD胶粘促进和扩散阻挡层[0070]F金属反射功能层[0071]H胶粘促进层[0072]R金属反射层[0073]HB胶粘促进和阻挡层[0074]WS交互层系统[0075]D覆盖层[0076]TD子层[0077]RSS反射层系统
【权利要求】
1.一种用于太阳能应用的反射层系统，从基底向上看，所述反射层系统包括以下组成部分:-基底(S)，-金属反射功能层(F)，-金属反射层(R)，和-作为覆盖层(D)的透明的介电保护层，所述介电保护层含有金属的氧化物、氮化物或氮氧化合物或者半导体，所述介电保护层的厚度为500nm或更大，优选大于I μ m。
2.根据权利要求1所述的反射层系统，其中所述金属反射层(R)和所述金属反射功能层(F)总共具有如下的厚度，该厚度使得所述金属反射层(R)和所述金属反射功能层(F)结合起来不透光，但是所述金属层(R、F)中的一者或两者本身并非这种情况。
3.根据前述权利要求中的任一项所述的反射层系统，其中将所述金属反射层(R)配置成与所述金属反射功能层(F)相邻。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的反射层系统，其中所述功能层(F)由铜、镍、铬、优质钢、硅、锡、锌、钥或含有至少一种所提及材料的合金组成，和/或所述反射层(R)由银、铝、金、钼或含有至少一种所提及材料的合金组成。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的反射层系统，其中所述基底(S)具有至少一个经过预处理的表面(O)。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的反射层系统，其中将胶粘促进和扩散阻挡层(HD)配置在所述基底(S)和所述功能层(F)之间。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的反射层系统，其中将胶粘促进和阻挡层(HB)配置在所述反射层(R)之上。
8.根据权利要求1、2或4至7中的任一项所述的反射层系统，其中将胶粘促进层(H)配置在所述金属反射功能层(F)和所述金属反射层(R)之间。
9.根据权利要求6、7或8中的任一项所述的反射层系统，其中所述胶粘促进和扩散阻挡层(HD)和/或所述胶粘促进和阻挡层(HB)和/或所述胶粘促进层(H)含有金属或者化学计量或亚化学计量的Zn、S1、Sn、T1、Zr、Al、N1、Cr的氧化物或者其化合物。
10.根据前述权利要求中的任一项所述的反射层系统，其中所述覆盖层(D)由多个不连续子层组成和/或包括一个或多个其材料成分的比例变化的梯度层。
11.根据前述权利要求中的任一项所述的反射层系统，其中将包含至少一个如下层序列的介电交互层系统(WS)配置在所述覆盖层(D)之下，所述层序列具有低折射率介电层和高折射率介电层。
12.根据前述权利要求中的任一项所述的反射层系统，其中将所述层系统配置在至少部分具有凸面和/或凹面弯曲的基底(S)上。
13.—种沉积根据前述权利要求中的任一项所述的反射层系统的方法，其中将至少以下层相继沉积在基底(S)上:-金属反射功能层(F)，-金属反射层(R)，和-作为覆盖层(D)的透明的介电保护层，所述介电保护层由金属的氧化物、氮化物或氮氧化合物或者半导体组成，所述介电保护层的厚度为500nm或更大，优选大于Iy m。
14.根据权利要求13所述的沉积反射层系统的方法，其中将所述金属反射层(R)和所述金属反射功能层(F)沉积，所述金属反射层(R)和所述金属反射功能层(F)总共具有如下的厚度，所述厚度使得所述金属反射层(R)和所述金属反射功能层(F)结合起来不透光，但是所述金属层(R、F)中的一者或两者本身并非这种情况。
15.根据权利要求13和14中的任一项所述的沉积反射层系统的方法，其中在涂布之前预处理所述基底(S)的至少一个表面。
16.根据权利要求13至15中的任一项所述的沉积反射层系统的方法，其中将胶粘促进和扩散阻挡层(HD)沉积在所述基底(S)和所述功能层(F)之间。
17.根据权利要求13至16中的任一项所述的沉积反射层系统的方法，其中将胶粘促进和阻挡层(HB)沉积在所述反射层(R)之上。
18.根据权利要求13至17中的任一项所述的沉积反射层系统的方法，其中将胶粘促进层(H)沉积在所述金属反射功能层(F)和所述金属反射层(R)之间。
19.根据权利要求16、16或17所述的沉积反射层系统的方法，其中将所述胶粘促进和扩散阻挡层(HD)和/或所述胶粘促进和阻挡层(HB)和/或所述胶粘促进层(H)沉积成如下的层，所述层含有金属或者Zn、S1、Sn、T1、Zr、Al、N1、Cr的氧化物或者其其它化合物。
20.根据权利要求16至18中的任一项所述的沉积反射层系统的方法，其中通过DC溅射、脉冲DC溅射或MF溅射，在未另外引入氧或仅另外引入极少量氧、其相对于所引入惰性工艺气体的比例小于10%的情况下，从陶瓷靶材沉积所述胶粘促进和扩散阻挡层(HD)和/或所述胶粘促进和阻挡层(HB)和/或所述胶粘促进层(H)。
21.根据权利要求18所述的沉积反射层系统的方法，其中在未另外引入氧或仅另外引入极少量氧、其相对于所引入惰性工艺气体的比例小于10%的情况下，从金属靶材沉积所述胶粘促进和扩散阻挡层(HD)和`/或所述胶粘促进和阻挡层(HB)和/或所述胶粘促进层(H)，并且在后续工艺步骤中进行氧化。
22.根据权利要求21所述的沉积反射层系统的方法，其中通过热弯曲或通过热处理所述经过涂布的基底(S)，以实现所述胶粘促进和扩散阻挡层(HD)和/或所述胶粘促进和阻挡层(HB)和/或所述胶粘促进层(H)的氧化。
23.根据权利要求13至22中的任一项所述的沉积反射层系统的方法，其中以由多个不连续的子层(TD)组成的方式和/或具有一个或多个梯度层的方式沉积所述覆盖层(D)，其中在所述覆盖层(D)内，其材料成分的比例变化。
24.根据权利要求13至23中的任一项所述的沉积反射层系统的方法，其中通过反应性MF溅射或电子束蒸发或者借助于CVD或PECVD方法或湿化学方式沉积所述覆盖层(D)。
25.根据权利要求13至24中的任一项所述的沉积反射层系统的方法，其中将包含至少一个如下层序列的介电交互层系统(WS)沉积在所述覆盖层(D)之下，所述至少一个层序列具有低折射率介电层和高折射率介电层。
26.根据权利要求25所述的沉积反射层系统的方法，其中通过反应性中频溅射或电子束蒸发来沉积所述交互层系统(WS)。
27.根据权利要求13至26中的任一项所述的沉积反射层系统的方法，其中借助于湿化学法沉积所述反射层系统的一层或多层。
28.根据权利要求13至27中的任一项所述的沉积反射层系统的方法，其中在用所述反射层(F、R)涂布之后或在 涂布以下层之一后对所述基底(S)进行热处理。
【文档编号】F24J2/10GK103443559SQ201180069357
【公开日】2013年12月11日 申请日期:2011年6月27日 优先权日:2011年3月17日
【发明者】克里斯多佛·科克尔特, 马库斯·贝伦特 申请人:冯·阿德纳设备有限公司