一种高反射率太阳能薄膜的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明提供了一种高反射率太阳能薄膜的制备方法，特别是一种太阳能反射材料的制备。
【背景技术】
[0002]随着世界范围内能源的短缺和环境问题的加剧，以太阳能为主的可再生能源的研究、开发和利用日益得到重视。太阳能发电主要有太阳能光热发电和太阳能光伏发电两种方式。对于太阳能热发电系统，其核心设备包括聚光集热装置、反射镜传动和跟踪系统；其中聚光系统包括定日镜群和跟踪装置，成本占总投入的50%以上。聚光系统中的反射材料在太阳能中高温应用系统以及聚光光伏系统中有着广泛的应用，它的好坏直接决定了太阳能光伏电池的转换效率与热发电的成本。高反射率的材料是提高上述过程太阳能利用率的关键。
[0003]为了制备一种高反射率太阳能薄膜，本发明公开了一种高反射率太阳能薄膜的制备方法，该薄膜对太阳光和可见光的反射率分别为96.66%和98.84%,并且膜材的耐磨性和抗老化性良好。
【发明内容】
[0004]本发明的目的就是针对现有技术存在的缺陷，提供一种高反射率太阳能薄膜的制备方法。
[0005]其技术方案是:采用直流磁控溅射法在玻璃基材上制备纳米Ag薄膜，并采用射频磁控溅射法在其上镀一层S12薄膜作为保护层。其特征是:银膜的厚度为130 nm，二氧化硅薄膜的厚度为320 nm。
[0006]本发明的特点是反射率高，对太阳光和可见光的反射率分别为96.66%和98.84%,并且膜材的耐磨性和抗老化性良好。
【具体实施方式】
[0007]Ag薄膜的制备:采用中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司制造的JGP-450A型磁控溅射沉积系统，所用Ag靶尺寸为Φ60Χ5 mm，纯度为99.99%，溅射气体为高纯氩(99.999%)，本底真空度为6.lX10_4Pa，工作压力设为0.7 Pa，靶基距固定在75mm, Ar的流量为22 sccm ；Ag的溅射功率是40 W，其中溅射电压为0.35 KV，电流为0.12A ;溅射速率测得约为64.4 nm/min。溅射前先对靶材进行5 min的预溅射，以除去靶表面残留的氧化物和其它污染物。
[0008]S12薄膜的制备=S12薄膜采用射频磁控溅射法制备，S12靶材尺寸为Φ60Χ5mm，纯度为99.99%，溅射气体为高纯氩(99.999%)，本底真空度为6.1 X 10_4Pa，工作压力设为0.7 Pa，靶基距固定在75 mm, Ar的流量为22 sccm ;Si02的溅射功率是280 W，其中入射功率为300 W，反射功率为20 W，板电压为1.12 KV，板电流为0.32 mA。整个镀膜过程由计算机控制完成。溅射速率测得是9.1 nm/min。溅射前先对靶材进行10 min的预溅射，以除去靶表面残留的氧化物和其它污染物。制备的样品表面立即用去离子水和无水乙醇清洗干净，电吹风吹干后立即放入培养皿并保存于真空干燥箱中。
[0009]另外，本发明创造不意味着说明书所局限，在没有脱离设计宗旨的前提下可以有所变化。
【主权项】
1.一种高反射率太阳能薄膜的制备方法，其特征是:采用直流磁控溅射法在玻璃基材上制备纳米Ag薄膜，并采用射频磁控溅射法在其上镀一层S12薄膜作为保护层。
2.根据权利要求1所述的一种高反射率太阳能薄膜的制备方法，其特征是:银膜的厚度为130 nm，二氧化硅薄膜的厚度为320 nm。
【专利摘要】本发明提供了一种高反射率太阳能薄膜的制备方法，其技术方案是：采用直流磁控溅射法在玻璃基材上制备纳米Ag薄膜，并采用射频磁控溅射法在其上镀一层SiO2薄膜作为保护层。测试结果表明，薄膜的反射率曲线呈周期性变化，当银膜的厚度为130nm和二氧化硅的为320nm时，膜反射率最高，太阳光和可见光反射率分别为96.66%和98.84%，并且膜材的耐磨性和抗老化性良好。
【IPC分类】H01L31-18, C23C14-35
【公开号】CN104681662
【申请号】CN201310630482
【发明人】谭秀航
【申请人】青岛事百嘉电子科技有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2013年12月2日