电磁元件烧结炉缓冲出料及热能利用一体化设施的制作方法

文档序号:14150030阅读:146来源:国知局

本实用新型属于磁性元件生产设备领域,尤其是电磁元件烧结炉缓冲出料及热能利用一体化设施。



背景技术:

磁性元件是电子元器件中常用的导磁材料,是采用高导磁率铁氧化体粉料经过烧结后制成,传统的烧结炉,没有温度缓冲段,从高温炉推出的烧结磁芯初始温度大概700℃,如果将磁芯直接暴露在厂房内(厂房常温25℃),会由于温差过大,而导致磁芯破裂、变形而产生大量的不良品,严重影响产品质量,造成成本上升,而且制约生产效率。



技术实现要素:

本实用新型的主要目的在于提供电磁元件烧结炉缓冲出料及热能利用一体化设施,此设施通过在烧结炉的尾部增加一端缓冲段,进而使磁芯温度缓慢降低,有效的防止了温差过大而导致的磁芯破裂问题,而且能够用于余热用于锅炉加热,提高了热能的利用率。

为了实现上述的技术特征,本实用新型的目的是这样实现的:电磁元件烧结炉缓冲出料及热能利用一体化设施,它包括烧结炉架,所述烧结炉架的顶部安装有烧结炉,所述烧结炉的出料口连接有缓冲炉,所述缓冲炉固定安装在缓冲炉架上,所述缓冲炉的出口设置有保温板,在缓冲炉的出料口安装有中转支架,所述中转支架的顶部设置有支撑板,所述支撑板的另一端与缓冲炉的出料口相连。

所述烧结炉的出料口顶部镶嵌安装有水箱体,所述水箱体上连接有进水管和出水管。

所述烧结炉的顶部安装有多个副排烟筒,所述副排烟筒的顶部与横管相连通,所述横管通过多根支撑杆安装在烧结炉上,所述横管的顶部连通有主排烟管。

所述缓冲炉的内壁铺设有耐火砖。

所述支撑板和缓冲炉架之间安装有加强斜板。

所述出水管的另一端洗手池的热水管相连通。

所述出水管的另一端通过泵体与员工浴室的热水管相连通。

所述缓冲炉的长度为2.5~3m。

本实用新型有如下有益效果:

1、通过采用上述的缓冲炉,能够对高温磁芯进行有效的温度缓冲,使其缓慢的通过缓冲炉,进而使其温度呈梯度缓慢降低,有效的防止了其温度骤然降低所造成的磁芯破裂问题。

2、通过所述的水箱体一方面能够起到降温的作用,另一方面当其内部的水温升高之后,可以将其排出用于厂房内部人员的洗手,或者用于员工宿舍的洗澡用水,进而节省了能量,起到了热能再利用的目的。

3、通过缓冲炉能偶保证磁性从初始的700℃缓慢的降低到150℃,有效的防止了突然降温所造成的磁芯破裂问题。

4、通过采用上述的设施,提高了产能大概36.4%。

5、节能大概36%。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

图1是本实用新型三维图。

图中:中转支架1、支撑板2、磁芯托盘3、耐火砖4、保温板5、加强斜板6、缓冲炉架7、缓冲炉8、水箱体9、副排烟筒10、横管端盖11、横管12、主排烟管13、出水管14、进水管15、支撑杆16、烧结炉架17、烧结炉18。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的实施方式做进一步的说明。

参见图1,电磁元件烧结炉缓冲出料及热能利用一体化设施,它包括烧结炉架17,所述烧结炉架17的顶部安装有烧结炉18,所述烧结炉18的出料口连接有缓冲炉8,所述缓冲炉8固定安装在缓冲炉架7上,所述缓冲炉8的出口设置有保温板5,在缓冲炉8的出料口安装有中转支架1,所述中转支架1的顶部设置有支撑板2,所述支撑板2的另一端与缓冲炉8的出料口相连。

进一步的,所述烧结炉18的出料口顶部镶嵌安装有水箱体9,所述水箱体9上连接有进水管15和出水管14。通过水箱体9内部的水能够吸收热量,进而起到降温的作用。

进一步的,所述烧结炉18的顶部安装有多个副排烟筒10,所述副排烟筒10的顶部与横管12相连通,所述横管12通过多根支撑杆16安装在烧结炉18上,所述横管12的顶部连通有主排烟管13。通过主排烟管13能够进行排烟。

进一步的,所述缓冲炉8的内壁铺设有耐火砖4。通过耐火砖4能够起到一定的缓冲保温作用。

进一步的,所述支撑板2和缓冲炉架7之间安装有加强斜板6。通过所述的加强斜板6提高了连接强度。

进一步的,所述出水管14的另一端洗手池的热水管相连通。通过与热水管相连通,能够用于洗手。

进一步的,所述出水管14的另一端通过泵体与员工浴室的热水管相连通。进而用于浴室洗澡用。

进一步的,所述缓冲炉8的长度为2.5~3m。通过上述的长度能够保证很好的温度缓冲效果,进而有效的防止了由于温度过快降低而导致的磁芯破裂,或者变形的缺陷。

本实用新型工作过程和工作原理为:

首先,将需要烧结的原料放置于磁芯托盘3内部,并将磁芯托盘3通过传送带输送到烧结炉18内部;

然后,通过烧结炉18对原料进行烧结,烧结成型之后在运出;

最后,进入到缓冲炉8,通过缓冲炉8对高温磁性进行缓慢降温,使其从700℃缓慢的降低到150℃,有效的防止了突然降温所造成的磁芯破裂问题。

上述的实施例仅为本实用新型的优选技术方案,而不应视为对于本实用新型的限制,本实用新型的保护范围应以权利要求记载的技术方案,包括权利要求记载的技术方案中技术特征的等同替换方案为保护范围。即在此范围内的等同替换改进,也在本实用新型的保护范围之内。

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