技术特征：
技术总结
本发明公开了一种适用于碳化硅半导体的高温加热炉体，包括炉壳，炉壳内设有炉膛，所述炉膛底部设有反应管、以及用于隔离反应管和所述炉膛的隔离罩，所述隔离罩底部与所述炉壳内壁之间设有隔离罩密封件，所述炉壳底部设有工艺气体进口和工艺气体出口，所述工艺气体进口与所述反应管连通，所述反应管与所述隔离罩连通，所述工艺气体出口位于所述隔离罩密封件下方并与所述隔离罩连通。本发明具有洁净度高、适用于碳化硅半导体等优点。
技术研发人员：王学仕;邓斌;万喜新;杨金;陈庆广
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十八研究所
技术研发日：2018.09.20
技术公布日：2019.02.15