一种烧结炉用硅片输送装置及烧结炉的制作方法

1.本技术涉及太阳能电池技术领域，具体而言，涉及一种烧结炉用硅片输送装置及烧结炉。


背景技术：

2.传统工序中，一般都是将硅片放置在烧结炉的网带输送装置上，以对硅片进行输送。传统的网带输送装置会大面积遮挡来自烧结炉下方热源发出的热量，进而导致硅片的下表面受热不均匀。
3.为解决上述问题，现有技术中采用设置于输送装置上的支撑件分别对硅片的相对两端进行支撑。但是，现有的采用支撑件对硅片进行支撑输送的过程中，支撑件一直支撑于硅片的同一位置，导致硅片下表面被支撑件支撑的位置无法有效进行烧结，进而影响硅片的性能。


技术实现要素：

4.本技术的目的在于提供一种烧结炉用硅片输送装置及烧结炉，其旨在改善现有的烧结炉用硅片输送装置无法使得硅片与支撑件接触的位置有效被烧结的技术问题。
5.第一方面，本技术提供一种烧结炉用硅片输送装置，包括：
6.间隔设置的两个输送组件，两个输送组件用于共同输送硅片。
7.两组支撑组件，两组支撑组件设置于输送组件上，且两组支撑组件分别用于支撑硅片的相对两端；每组支撑组件均包括沿输送方向间隔设置的至少两个支撑单元，每个支撑单元均包括至少两个支撑元件，且每个支撑元件分别用于支撑硅片的不同位置。
8.动力组件，动力组件被配置为分别使每个支撑单元中的每个支撑元件交替支撑硅片。
9.本技术在烧结炉用硅片输送装置中设置用于对硅片的相对两端进行支撑的支撑组件，且每组支撑组件均设置包括沿输送组件的输送方向间隔设置的至少两个支撑单元，使得硅片至少同时被四个支撑单元进行支撑，有效保证硅片被支撑的稳定性。此外，每个支撑单元均设置包括至少两个用于支撑硅片不同位置的支撑元件，并设置被配置为分别使每个支撑单元中的每个支撑元件交替支撑硅片的动力组件，使得硅片在被烧结炉用硅片输送装置输送的过程中，硅片下表面的不同位点交替被支撑元件支撑，在保证稳定输送硅片的前提下，有效解决了硅片与支撑组件接触的位置无法被烧结的技术问题，有利于提高硅片的性能。
10.在本技术第一方面的一些实施例中，动力组件设置于输送组件与支撑元件之间，动力组件的一端固定于输送组件，动力组件的另一端驱动连接支撑元件，以使动力组件能够带动支撑元件相对输送组件转动。
11.上述设置方式，可以有效实现动力组件带动每个支撑单元中的每个支撑元件交替支撑硅片的不同位置。
12.在本技术第一方面的一些实施例中，动力组件包括多个动力元件，每个动力元件的一端均分别驱动连接一个支撑元件，且每个动力元件的另一端均固定于输送组件。
13.上述设置方式，可以使得每个动力元件精准带动每个支撑元件支撑或者不支撑硅片，进而有效实现带动每个支撑单元中的每个支撑元件交替支撑硅片的不同位置。
14.在本技术第一方面的一些实施例中，烧结炉用硅片输送装置还包括控制器，控制器被配置为控制动力组件带动每个支撑单元中的每个支撑元件交替支撑硅片。
15.在本技术第一方面的一些实施例中，支撑元件的延伸方向与水平方向之间具有夹角。
16.上述设置方式，可以使得支撑元件在支撑硅片时是与硅片相对两端的边缘位置进行接触，有效减少了支撑元件与硅片的接触面积，进而有利于减少输送硅片过程中支撑元件对硅片下表面的划伤或磨损。
17.在本技术第一方面的一些实施例中，支撑元件具有远离输送组件的自由端以及与自由端相对的连接端，自由端的高度低于连接端的高度。
18.上述设置方式，可以提高支撑元件对硅片的支撑稳定性。
19.在本技术第一方面的一些实施例中，支撑元件为圆柱形支撑杆。
20.上述设置方式，可以使得支撑元件是以点接触的方式与硅片接触，进一步有效减小支撑元件与硅片的接触面积，进而有利于减少输送硅片过程中支撑元件对硅片下表面的划伤或磨损。
21.在本技术第一方面的一些实施例中，动力组件被配置为使支撑硅片的支撑元件绕支撑元件的轴线转动。
22.上述设置方式，可以使得支撑元件在支撑硅片时，硅片能够相对于支撑元件沿输送方向具有一定的位移，可以使得硅片下表面被支撑元件的支撑位点发生变化，进一步有效减少硅片下表面的同一位置被支撑元件支撑的时间，进而进一步提高硅片下表面的受热均匀性，有利于提高电池片的性能。
23.在本技术第一方面的一些实施例中，烧结炉用硅片输送装置还包括加热元件，加热元件设置于每个支撑元件的内部。
24.加热元件的设置，可以使得硅片下表面被支撑元件遮挡的区域可以受到来自加热元件的热量，从而提高硅片下表面的受热均匀性，有利于提高电池片的性能。此外，加热元件设置于支撑元件的内部，可以使得支撑元件表面的热量分布较为均匀，进而进一步提高硅片下表面的受热均匀性，也有效避免了支撑元件在动力组件的带动下转动时加热元件与硅片下表面接触而磨损或划伤硅片的情况。
25.第二方面，本技术提供一种烧结炉，包括：炉体、热源装置以及如上述第一方面提供的烧结炉用硅片输送装置；烧结炉用硅片输送装置以及热源装置均设置于炉体内；热源装置用于对硅片的相对两面进行烧结加热。
附图说明
26.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这
些附图获得其他相关的附图。
27.图1示出了本技术实施例提供的烧结炉的主视图。
28.图2示出了本技术实施例提供的烧结炉内的烧结炉用硅片输送装置的俯视图。
29.图3示出了本技术实施例提供的支撑元件和加热元件的剖视图。
30.图标：100-烧结炉用硅片输送装置；101-硅片；102-输送方向；110-输送组件；120-支撑组件；121-支撑单元；1211-支撑元件；130-动力组件；131-动力元件；140-控制器；150-加热元件；200-烧结炉；210-炉体；220-热源装置。
具体实施方式
31.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
32.因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
33.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
34.在本技术实施例的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
35.在本技术实施例的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
36.实施例
37.图1示出了本技术实施例提供的烧结炉200的主视图，请参阅图1，本技术提供了一种烧结炉200，烧结炉200包括炉体210、热源装置220以及烧结炉用硅片输送装置100。热源装置220和烧结炉用硅片输送装置100均设置于炉体210内。烧结炉用硅片输送装置100用于输送硅片101。热源装置220用于对硅片101的相对两面进行烧结加热。
38.需要说明的是，硅片101并不属于烧结炉200或烧结炉用硅片输送装置100的一部分，本技术附图中显示硅片101是为了更加清楚地呈现烧结炉200或烧结炉用硅片输送装置100的结构以及运作方式。
39.热源装置220分别设置于炉体210的顶壁和底壁，以实现热源装置220对硅片101的相对两面进行烧结加热。热源装置220可以为红外加热灯管或加热电阻丝等，本技术不对热源装置220的具体选用进行限定。
40.图2示出了本技术实施例提供的烧结炉200内的烧结炉用硅片输送装置100的俯视图，请参阅图1和图2，烧结炉用硅片输送装置100设置于炉体210的侧壁。烧结炉用硅片输送装置100包括输送组件110以及支撑组件120。输送组件110为两个，两个输送组件110间隔设置并用于共同输送硅片101。支撑组件120为两组，两组支撑组件120设置于输送组件110上，且两组支撑组件120分别用于支撑硅片101的相对两端。
41.硅片101在烧结炉200中沿输送方向102被输送组件110输送，图2中由上至下的方向即为输送方向102。
42.需要说明的是，本技术不对输送组件110的具体选用进行限定，只要能够在烧结炉200内沿输送方向102输送硅片101即可；例如，输送组件110可以为如图1和图2中所示的直型传送带，也可以为首尾相连的环形传送带。
43.在本技术中，每组支撑组件120均包括沿输送方向102间隔设置的至少两个支撑单元121，使得硅片101至少同时被四个支撑单元121进行支撑，有效保证硅片101被支撑的稳定性。
44.需要说明的是，本技术不对每组支撑组件120中的支撑单元121的数量进行限定；例如，可以如图2所示，每组支撑组件120中的支撑单元121的数量为两个；或者，每组支撑组件120中的支撑单元121的数量也可以为更多个。
45.在本技术中，每个支撑单元121均包括至少两个支撑元件1211，且每个支撑元件1211分别用于支撑硅片101的不同位置。
46.需要说明的是，本技术不对每个支撑单元121中的支撑元件1211的数量进行限定；例如，可以如图2所示，每个支撑单元121中的支撑元件1211的数量为两个；或者，每个支撑单元121中的支撑元件1211的数量也可以为更多个。
47.在本技术中，支撑元件1211的延伸方向与水平方向之间具有夹角。上述设置方式，可以使得支撑元件1211在支撑硅片101时是与硅片101相对两端的边缘位置进行接触，有效减少了支撑元件1211与硅片101的接触面积，进而有利于减少输送硅片101过程中支撑元件1211对硅片101下表面的划伤或磨损。
48.进一步地，支撑元件1211具有远离输送组件110的自由端以及与自由端相对的连接端，且自由端的高度低于连接端的高度。上述设置方式，可以进一步提高支撑元件1211对硅片101的支撑稳定性。
49.在本技术中，支撑元件1211为圆柱形支撑杆。上述设置方式，可以使得支撑元件1211是以点接触的方式与硅片101接触，进一步有效减小支撑元件1211与硅片101的接触面积，进而有利于减少输送硅片101过程中支撑元件1211对硅片101下表面的划伤或磨损。
50.烧结炉用硅片输送装置100还包括动力组件130和控制器140。动力组件130配置为分别使每个支撑单元121中的每个支撑元件1211交替支撑硅片101。控制器140被配置为控制动力组件130带动每个支撑单元121中的每个支撑元件1211交替支撑硅片101。
51.动力组件130和控制器140的设置，使得硅片101在被烧结炉用硅片输送装置100输送的过程中，硅片101下表面的不同位点交替被支撑元件1211支撑，在保证稳定输送硅片101的前提下，有效解决了硅片101与支撑组件120接触的位置无法被烧结的技术问题，有利于提高硅片101的性能。特别适用于对烧结温度均匀性和硅片101洁净度要求高的topcon和hit电池。
52.动力组件130设置于输送组件110与支撑元件1211之间，动力组件130的一端固定于输送组件110上，动力组件130的另一端驱动连接支撑元件1211，以使动力组件130能够带动支撑元件1211相对输送组件110转动，可以有效实现动力组件130带动每个支撑单元121中的每个支撑元件1211交替支撑硅片101的不同位置。
53.在本技术中，动力组件130被配置为使支撑硅片101的支撑元件1211绕支撑元件1211的轴线转动；换言之，当每个支撑单元121中的任意一个支撑元件1211在支撑硅片101时，动力组件130带动此支撑元件1211绕支撑元件1211自身的轴线转动。上述设置方式，可以使得支撑元件1211在支撑硅片101时，硅片101能够相对于支撑元件1211沿输送方向102具有一定的位移，可以使得硅片101的下表面被支撑元件1211的支撑位点发生变化，进一步有效减少硅片101下表面的同一位置被支撑元件1211支撑的时间，进而进一步提高硅片101下表面的受热均匀性，有利于提高硅片101的性能。
54.需要说明的是，在支撑元件1211支撑硅片101时，具体通过控制器140控制动力组件130带动支撑元件1211绕自身旋转的转速，控制支撑元件1211绕自身的轴线旋转的转速远小于输送组件110的输送速度，使得在硅片101在烧结炉200传送的过程中，硅片101相对于支撑元件1211沿输送方向102具有一定的位移，且硅片101一直是被同两组支撑组件120中的四个支撑单元121支撑，即硅片101不会从烧结炉用硅片输送装置100上掉落。或者，也可以在硅片101在烧结炉200传送的过程中且在支撑元件1211支撑硅片101时，调控支撑元件1211绕自身的轴线交替沿顺时针和逆时针转动；例如，在支撑元件1211支撑硅片101时，先通过控制器140控制支撑元件1211绕自身的轴线沿顺时针转动，使得硅片101相对于支撑元件1211具有一定的位移，然后再通过控制器140控制支撑元件1211绕自身的轴线沿逆时针转动，使得硅片101相对于支撑元件1211向与之前位移方向的反方向具有一定的位移；只要保证在硅片101于烧结炉200中输送过程中不会从烧结炉用硅片输送装置100上掉落即可。
55.进一步地，动力组件130包括多个动力元件131，每个动力元件131的一端均分别驱动连接一个支撑元件1211，且每个动力元件131的另一端均固定于输送组件110，可以有效使得每个动力元件131精准带动每个支撑元件1211支撑或者不支撑硅片101，进而有效实现带动每个支撑单元121中的每个支撑元件1211交替支撑硅片101的不同位置。
56.此外，在动力元件131带动支撑元件1211支撑硅片101后，动力元件131被配置为带动支撑硅片101的支撑元件1211绕自身的轴线运动；即在本实施例中，动力元件131可以用于调整支撑元件1211的轴线与水平方向之间的夹角，以使得动力元件131可以支撑或者不支撑硅片101，且动力元件131也可以带动支撑元件1211绕自身的轴线转动，以使得硅片101可以相对支撑元件1211具有一定的位移。
57.在本实施例中，动力元件131可以为双轴转台。需要说明的是，本技术不对动力元件131的具体选用进行限定，只要能够实现动力元件131不仅可以调整支撑元件1211的轴线与水平方向之间的夹角，也可以带动支撑元件1211能够绕自身的轴线转动即可。
58.在本实施例中，控制器140与动力组件130信号连接，控制器140设置于炉体210外并设置于炉体210的侧壁。需要说明的是，本技术不对控制器140的具体安装位置进行限定，本技术也不对控制器140与动力组件130之间的连接方式进行限定，只要能够满足控制器140可以控制动力组件130带动每个支撑单元121中的每个支撑元件1211交替支撑硅片101
即可；例如，控制器140可以与动力组件130电连接。
59.图3示出了本技术实施例提供的支撑元件1211和加热元件150的剖视图，请参阅图1至图3，烧结炉用硅片输送装置100还包括加热元件150，加热元件150设置于每个支撑元件1211的内部。加热元件150的设置，可以使得硅片101下表面被支撑元件1211遮挡的区域可以受到来自加热元件150的热量，从而提高硅片101下表面的受热均匀性，有利于提高硅片101的性能。此外，加热元件150设置于支撑元件1211的内部，可以使得支撑元件1211表面的热量分布较为均匀，进而进一步提高硅片101下表面的受热均匀性，也有效避免了支撑元件1211在动力组件130的带动下转动时加热元件150与硅片101下表面接触而磨损或划伤硅片101的情况。
60.作为示例性地，加热元件150可以为加热电阻丝或者电加热管等。
61.本实施例提供的烧结炉用硅片输送装置100至少具有以下优点：
62.本技术在烧结炉用硅片输送装置100中设置用于对硅片101的相对两端进行支撑的支撑组件120，且每组支撑组件120均设置包括沿输送组件110的输送方向102间隔设置的至少两个支撑单元121，使得硅片101至少同时被四个支撑单元121进行支撑，有效保证硅片101被支撑的稳定性。此外，每个支撑单元121均设置包括至少两个用于支撑硅片101不同位置的支撑元件1211，并设置被配置为分别使每个支撑单元121中的每个支撑元件1211交替支撑硅片101的动力组件130，使得硅片101在被烧结炉用硅片输送装置100输送的过程中，硅片101下表面的不同位点交替被支撑元件1211支撑，在保证稳定输送硅片101的前提下，有效解决了硅片101与支撑组件120接触的位置无法被烧结的技术问题，有利于提高硅片101的性能。
63.以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。