1.一种半导体大硅片制造用等静压石墨的石墨化炉进料机构，其特征在于，包括石墨化炉（1），所述石墨化炉（1）一侧设置有楼梯（2），且所述石墨化炉（1）顶端一侧设置有电控转动支架（3），且所述电控转动支架（3）呈倒l型设置，所述电控转动支架（3）顶端固定安装有进料驱动机构（4），所述进料驱动机构（4）设置于起吊连接机构（5）上方，且所述进料驱动机构（4）与起吊连接机构（5）通过绳索（11）连接，且所述起吊连接机构（5）底端挂接有盛料架（6），所述起吊连接机构（5）圆周侧壁上设置有横杆（7），且所述横杆（7）围绕所述起吊连接机构（5）的圆周侧壁呈环形阵列设置，所述横杆（7）远离所述起吊连接机构（5）的一端转动安装有稳定限位机构（8），且所述稳定限位机构（8）对所述盛料架（6）进行限位固定，并保证进料时所述盛料架（6）的稳定性；
2.根据权利要求1所述的一种半导体大硅片制造用等静压石墨的石墨化炉进料机构，其特征在于，所述进料驱动机构（4）包括固定安装于所述电控转动支架（3）倒l型顶端下侧的伺服电机（9），还包括转动安装于所述电控转动支架（3）倒l型顶端下侧的卷线辊（10），以及卷收于所述卷线辊（10）上的绳索（11），所述伺服电机（9）的输出轴与卷线辊（10）一端固定连接，且所述卷线辊（10）位于所述石墨化炉（1）进料口的正上方。
3.根据权利要求2所述的一种半导体大硅片制造用等静压石墨的石墨化炉进料机构，其特征在于，所述起吊连接机构（5）包括与所述绳索（11）一端固定连接的下压套（12），所述下压套（12）底端开设有活动腔（13），且所述活动腔（13）内壁开设有驱动槽（14），所述驱动槽（14）为环形槽，环形槽的上下侧壁之间形成的环形腔为波浪形，且环形槽上侧壁的波浪形边沿与下侧壁的波浪形边沿具有相位差，所述活动腔（13）内活动设置有导向柱（15），且所述导向柱（15）圆周侧壁焊接有驱动块（16），且所述驱动块（16）活动安装于驱动槽（14）内，所述导向柱（15）底端焊接有连接柱（17），且所述连接柱（17）远离导向柱（15）的一端焊接有挂接吊块（18）。
4.根据权利要求3所述的一种半导体大硅片制造用等静压石墨的石墨化炉进料机构，其特征在于，所述挂接吊块（18）远离连接柱（17）的一端两侧均开设有斜面（19），且所述挂接吊块（18）底端位于两组所述斜面（19）之间的位置开设有滚珠槽（20），所述滚珠槽（20）关于挂接吊块（18）底端两侧呈对称开设，且两组所述滚珠槽（20）内均设置有滚珠（21）。
5.根据权利要求4所述的一种半导体大硅片制造用等静压石墨的石墨化炉进料机构，其特征在于，所述盛料架（6）包括盛料台板（22），所述盛料台板（22）上开设有盛料槽（23），且所述盛料槽（23）关于盛料台板（22）顶端呈环形阵列设置，所述盛料台板（22）顶端中心位置焊接有挂接卡块（24），且所述挂接卡块（24）下端侧壁开设有一号贯穿槽（25），所述挂接卡块（24）上端侧壁开设有二号贯穿槽（26），且所述一号贯穿槽（25）和二号贯穿槽（26）呈连通设置，所述挂接卡块（24）上一号贯穿槽（25）顶端两侧均开设有防脱槽（27），所述盛料台板（22）底端焊接有垫高台（28）。
6.根据权利要求5所述的一种半导体大硅片制造用等静压石墨的石墨化炉进料机构，其特征在于，所述弹性组件包括所述连杆（30）中端开设的转动槽（34），所述转动槽（34）内部转动安装有转轴（35），且所述转轴（35）两端与转动耳（29）焊接，所述转轴（35）圆周外壁套接有扭簧（36），且所述扭簧（36）一端与转轴（35）侧壁固定连接，且所述扭簧（36）另一端与转动槽（34）内壁固定连接。
7.根据权利要求6所述的一种半导体大硅片制造用等静压石墨的石墨化炉进料机构，其特征在于，所述石墨化炉（1）一侧设置有电控箱（37），且所述电控箱（37）与电控转动支架（3）和伺服电机（9）均呈电性连接。