专利名称：一种矿用半导体制冷装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及ー种制冷装置，具体涉及ー种矿用半导体制冷装置。
技术背景 制冷剂在制冷领域中应用广泛，目前应用在压缩式制冷机上的制冷剂主要是氟利昂，由于氟利昂是温室气体，可破坏臭氧层、对环境有不利影响，许多国家都禁止利用氟利昂作为制冷剂。目前煤矿应用的制冷设备以制冷剂制冷，制冷效率较低，制冷设备占用巷道空间，工作阻カ大，制冷设备的噪音比较大，而且有些制冷剂是污染环境的物质。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供ー种制冷效率高、适于煤矿井下使用的半导体制冷装置。为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为ー种矿用半导体制冷装置，包括变压器、交直流电转换器和制冷设备主机，所述制冷设备主机由外壳、位于该外壳内的冷端散热器、半导体制冷元件和热端散热器构成，其特征在于所述半导体制冷元件位于制冷设备主机的两端，位于该半导体制冷元件冷效应面的冷端散热器通过风流降温，位于半导体制冷元件热效应面的热端散热器与外壳形成的空腔内装有散热载体，该散热载体从外壳上端设置的进液ロ进入，从外壳下端设置的出液ロ流出进行散热。采取以上技术方案，本实用新型具有的有益效果为I、本实用新型采用半导体作为冷源，避免了采用制冷剂对环境的破坏，由于不使用制冷剂，没有压缩-膨胀循环，因而对环境的影响小；同时本实用新型没有压缩机，在エ作时没有机械运动，从而降低了工作噪音。2、本实用新型在制冷设备主机的两端布置散热器，冷端散热器在制冷设备主机的内部，通过风流降温；热端散热器与外壳形成ー个空腔，空腔作为热端散热载体(选用水)的流动空间，采用下部进水，上部出水的方式散热，制冷效率高。3、本实用新型的结构简单，降低了制冷设备的占地空间，減少了工作阻力，适于煤矿井下使用。
以下结合附图
和具体实施方式
对本实用新型作进ー步详细的说明。图I为本实用新型ー种矿用半导体制冷装置的结构示意图。
具体实施方式
如图I所示，ー种矿用半导体制冷装置，包括变压器I、交直流电转换器2和制冷设备主机3,所述制冷设备主机3由外壳8、位于该外壳8内的冷端散热器5、半导体制冷兀件6和热端散热器7构成,所述半导体制冷元件6位于制冷设备主机3的冷端散热器5和热端散热器7中间，位于该半导体制冷元件6冷效应面的冷端散热器5通过风流降温，位于半导体制冷元件6热效应面的热端散热器7与外壳8形成的空腔内装有散热载体，该散热载体从外壳8下端设置的进液ロ 4进入，从外壳8上端设置的出液ロ 9流出进行散热。本实用新型采用半导体作为冷源，避免了采用制冷剂对环境的破坏，本实用新型设置的冷端散热器通过风流降温，热端散热器采用下部进水，上部出水的方式散热，制冷效率高 。
权利要求1.ー种矿用半导体制冷装置，包括变压器(I)、交直流电转换器⑵和制冷设备主机(3),所述制冷设备主机(3)由外壳(8)、位于该外壳(8)内的冷端散热器(5)、半导体制冷元件(6)和热端散热器(7)构成，其特征在于所述半导体制冷元件(6)位于制冷设备主机(3)的冷端散热器(5)和热端散热器(7)中间，位于该半导体制冷元件(6)冷效应面的冷端散热器(5)通过风流降温，位于半导体制冷元件(6)热效应面的热端散热器(7)与外壳(8)形成的空腔内装有散热载体，该散热载体从外壳(8)下端设置的进液ロ(4)进入，从外壳⑶上端设置的出液ロ(9)流出进行散热。
专利摘要本实用新型公开了一种矿用半导体制冷装置，包括变压器、交直流电转换器和制冷设备主机，制冷设备主机由外壳、位于该外壳内的冷端散热器、半导体制冷元件和热端散热器构成。本实用新型采用半导体作为冷源，避免了采用制冷剂对环境的破坏。本实用新型在制冷设备主机的两端布置散热器，冷端散热器在制冷设备主机的内部，通过风流降温，热端散热器与外壳形成一个空腔，空腔作为热端散热载体的流动空间，采用下部进水，上部出水的方式散热，制冷效率高。
文档编号F25B21/02GK202403447SQ20112048181
公开日2012年8月29日 申请日期2011年11月28日 优先权日2011年11月28日
发明者袁树杰, 马瑞峰 申请人:马瑞峰