本发明涉及水处理设备技术领域，具体为一种直饮水磁性净化处理装置。
背景技术：
直饮水，也称为活化水、健康活水，采用碘触酶技术和分离膜装置等进行过滤，杀死其中的病毒和细菌并过滤掉自来水中异色，异味，余氯，臭氧硫化氢，细菌，病毒，重金属。阻挡悬浮颗粒改善水质，同时保留对人体有益的微量元素，并用离子交换体软化水质，在最后通过高能量生化陶瓷的作用将水体能量化，矿化，达到完全符合世界卫生组织公布的直接饮用健康水的标准。现如今在我们的城市中布局了大量的自来水输水管道，例如导水管，这些导水管由于长期使用会出现各种杂质，例如产生水垢。这些水垢是导水管的大敌，一方面导 致了自来水水质的降低，另一方面也影响了导水管的使用寿命。同时最致命的是，城市用自来水一般通过氯气杀菌消毒处理，在大批量向市民家中供水的需求下，对自来水的处理并不彻底，送入家中的自来水直接烧开饮用的话往往会带有非常浓重的氯气的味道，令人感到不适，而为了消除这种味道，采用专业的净水机对于普通家庭来说价格昂贵，且需要经常更换滤芯，使用成本也较高，而一般的传统过滤水的设备过滤效果并不好，且通过水的自然沉降过滤较慢。
技术实现要素：
为了解决上述问题，本发明的目的是提出一种直饮水磁性净化处理装置，过滤净化自来水的效果优异，相比传统的过滤水设备效果要好很多，且成本价格相比专业的净水设备要低很多，适合日常家居使用。
本发明为了解决上述问题所采取的技术方案为：一种直饮水磁性净化处理装置，包括净化箱以及分别设置在净化箱顶部和底部的进水管和出水管，所述净化箱内腔设置有磁性净化机构，该磁性净化机构包括由上至下依次水平固定设置的净化箱内的三个滤槽，位于最上层的滤槽内填设有石英石，且该层滤槽底部设置有滤网，位于中间层的滤槽内填设有锰砂，位于最下层的滤槽内填设有活性炭，且该层滤槽底部设置有渗透膜，任意相邻的两层滤槽之间均垂直设置有若干个磁棒，每个磁棒的上下两端分别固定抵靠在相邻的两层滤槽之间。
作为优选的，所述进水管位于净化箱内腔的一端连接有一喷水箱，所述喷水箱呈梯形体结构，喷水箱顶部中心处与进水管连通，喷水箱底壁上开设有若干喷水孔。
作为优选的，所述净化箱底部连通有锥状结构的储水箱，所述出水管设置在储水箱的底部中心处。
作为优选的，所述滤槽中的石英石的粒径大于锰砂的粒径。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
第一，本发明所述的直饮水磁性净化处理装置，在进水管底部设置的喷水箱能够对待净化的水进行一次缓冲与过滤，避免由进水管流入的水对净化箱内水的冲击，另外，通过喷水孔将水喷洒出，可以对水进行一次粗滤，避免流入净化箱内的水掺杂大颗粒物质。
第二，本发明所述的直饮水磁性净化处理装置，通过三层滤槽对水进行整体的过滤，过滤精细度层层递进，有效保证水中杂质与异味的消除，另外，滤槽之间的磁棒在水渗透过滤过程中，自身的磁场能够对水进行细弱的磁化，增加水质的口感，有益于身体健康。
第三，本发明所述的直饮水磁性净化处理装置，储水箱能够将渗透过滤完全的水集中存储，在需要使用时直接打开出水管接水即可，无需等待过滤，且储水箱也能作为一静置池，其内的水在储水箱内能够进一步静置，保证水质与口感。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图中标记：1、净化箱，2、进水管，3、出水管，4、滤槽，5、滤网，6、渗透膜，7、磁棒，8、喷水箱，801、喷水孔，9、储水箱。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作详细说明，本实施例以本发明技术方案为前提，给出了详细的实施方式和具体的操作过程。
如图所示，本发明为一种直饮水磁性净化处理装置，包括净化箱1以及分别设置在净化箱1顶部和底部的进水管2和出水管3，所述净化箱1内腔设置有磁性净化机构，该磁性净化机构包括由上至下依次水平固定设置的净化箱1内的三个滤槽4，位于最上层的滤槽4内填设有石英石，且该层滤槽4底部设置有滤网5，位于中间层的滤槽4内填设有锰砂，位于最下层的滤槽4内填设有活性炭，且该层滤槽4底部设置有渗透膜6，任意相邻的两层滤槽4之间均垂直设置有若干个磁棒7，每个磁棒7的上下两端分别固定抵靠在相邻的两层滤槽4之间。
以上为本发明的具体实施方式，可在以上基础上作进一步的改进、优化或限定。
进一步的，所述进水管2位于净化箱1内腔的一端连接有一喷水箱8，所述喷水箱8呈梯形体结构，喷水箱8顶部中心处与进水管2连通，喷水箱8底壁上开设有若干喷水孔801。
进一步的，所述净化箱1底部连通有锥状结构的储水箱9，所述出水管3设置在储水箱9的底部中心处。
进一步的，所述滤槽4中的石英石的粒径大于锰砂的粒径。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例描述如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述所述技术内容作出的些许更动或修饰均为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。