一种陶瓷清洁石及其制备方法与流程

本发明涉及清洁石领域，特别涉及一种陶瓷清洁石及其制备方法。

背景技术：

cof(chiponfilim)倒装芯片的封装是在陶瓷压合座上以高温压合基板与芯片线路。在封装过程中经常会有残胶残留在压合座上，而残胶会在高温下硬化，难以去除。传统清洁方式是采用黄铜刀片或不锈钢刀片对残胶进行刮除。虽此种方法可有效去除残胶，但也同时会对陶瓷压合座表面造成刮伤及破坏。

技术实现要素：

为解决上述残胶清洁时对陶瓷压合座造成刮伤及破坏问题，本发明提供陶瓷清洁石及其制备方法，其中，陶瓷清洁石，包括清洁石本体；所述清洁石本体由三氧化二铝或氮化铝烧结而成；所述清洁石本体设有抛光面；所述抛光面的平坦度在1μm、粗糙度在0.1μm以下。

进一步地，所述清洁石本体设有刻印面。

进一步地，所述清洁石本体为立方体。

进一步地，所述三氧化二铝、氮化铝的纯度百分比均在85％以上。

进一步地，所述抛光面的平坦度为1μm-0.3μm，粗糙度为0.1μm-0.03μm。

本发明提供的陶瓷清洁石，能够对陶瓷压合座表面上的残胶进行有效的清除并且不会造成刮伤及破坏，提高了陶瓷压合座的使用寿命；另外，通过烧结制备而成的清洁石本体，强度高，使用寿命长，具有良好的市场前景。

本发明另外提供的陶瓷清洁石的制备方法具体如下：

s10、选取三氧化二铝或氮化铝烧结制成的烧结体为素材；

s20、对素材进行切割；

s30、切割完成后，对素材进行研磨和抛光，使抛光面的平坦度在1μm、粗糙度在0.1μm以下；

s40、品检确认平坦度和粗糙度后激光打标，形成清洁石本体。

本发明提供的陶瓷清洁石的制备方法，工艺简洁，制备出的清洁石本体能够对陶瓷压合座表面上的残胶进行有效的清除并且不会造成刮伤及破坏。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的陶瓷清洁石一实施例图；

图2为陶瓷清洁石一实施例图。

附图标记：

10清洁石本体11抛光面12刻印面

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

本发明提供陶瓷清洁石及其制备方法，其中，陶瓷清洁石，包括清洁石本体10；所述清洁石本体10由三氧化二铝或氮化铝烧结而成；所述清洁石本体10设有抛光面11；所述抛光面11的平坦度在1μm、粗糙度在0.1μm以下。

具体实施时，如图1所示，清洁石本体10由三氧化二铝或氮化铝陶瓷原料经过烧结制成；清洁石本体10设有抛光面11；抛光面11的平坦度在1μm以下、粗糙度在0.1μm以下；通过抛光面11的平坦度在1μm以下、粗糙度在0.1μm以下的设计在抛光面11上形成细孔。

使用本发明提供的清洁石本体10上的抛光面11对cof倒装芯片封装用陶瓷压合座表面进行清理时，通过抛光面11上的细孔，将硬化的残胶刮除下来；并且，通过平坦度在1μm以下的设计，使抛光面11能够精密贴合于陶瓷压合座表面，在不会造成刮伤的情况下清除残胶；通过高温烧结制备而成的清洁石本体10强度高，相较于通过陶瓷粉胶合制备而成的胶合体，使用寿命更长、清洁效率更高。

本发明提供的陶瓷清洁石，能够对陶瓷压合座表面上的残胶进行有效的清除并且不会造成刮伤及破坏，提高了陶瓷压合座的使用寿命；另外，通过烧结制备而成的清洁石本体，强度高，使用寿命成，具有良好的市场前景。

优选地，所述清洁石本体10设有刻印面12。

具体实施时，如图2所示，清洁石本体10设有刻印面12。刻印面12较佳地设置于抛光面11的反面，用于打标上此清洁石本体10的平坦度、粗糙度、尺寸大小、本公司商标等产品信息。通过刻印面12对清洁石本体10进行标识，让使用者能够根据实际需要选择适宜型号的清洁石。显然，刻印面12设置在清洁石本体10侧面也是可以的。

优选地，所述清洁石本体10为立方体。

具体实施时，如图1、图2所示，清洁石本体10为立方体，一方面，立方体的结构便于切割成型，另一方面，立方体的结构方便握持，提高清洁效率。

优选地，所述三氧化二铝、氮化铝的纯度百分比均在85％以上。

优选地，所述抛光面11的平坦度为1μm-0.3μm，粗糙度为0.1μm-0.03μm。

本发明另外提供的陶瓷清洁石的制备方法具体如下：

s10、选取三氧化二铝或氮化铝烧结制成的烧结体为素材；该步骤中，发明人经过长期的研发和大量的工作，发现采用纯度百分为85％以上的三氧化二铝或氮化铝烧结体制做而成的清洁石对于cof倒装芯片封装残胶的清洁效果最佳，采用其他材料制成的清洁石均无法达到对cof倒装芯片封装残胶进行有效去除且不刮划压合座的效果。

s20、对素材进行切割；该步骤中，根据客户要求或清洁机台清洁面大小将素材切割成合适的大小；

s30、切割完成后，对素材进行研磨和抛光，使抛光面11的平坦度在1μm、粗糙度在0.1μm以下；该步骤中，通过抛光面11的平坦度在1μm以下、粗糙度在0.1μm以下的设计在抛光面11上形成细孔。

s40、品检确认平坦度和粗糙度后激光打标，形成清洁石本体。

本发明提供的陶瓷清洁石的制备方法，工艺简洁，制备出的清洁石本体能够对陶瓷压合座表面上的残胶进行有效的清除并且不会造成刮伤及破坏。

尽管本文中较多的使用了诸如清洁石本体、抛光面、刻印面等术语，但并不排除使用其它术语的可能性。使用这些术语仅仅是为了更方便地描述和解释本发明的本质；把它们解释成任何一种附加的限制都是与本发明精神相违背的。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。