基板处理装置及基板的处理方法与流程

本发明的实施方式涉及一种基板处理装置及基板的处理方法。

背景技术：

1、作为将附着于压印用模板、光刻用掩模、半导体晶片等基板的表面的微粒等污染物去除的方法，提出有冻结洗净法。

2、在冻结洗净法中，一般而言使用纯水作为用于洗净的液体。例如，在冻结洗净法中，首先，向旋转的基板的表面供给纯水与冷却气体。接着，停止纯水的供给，将所供给的纯水的一部分排出而在基板的表面形成水膜。水膜通过所供给的冷却气体而冻结。在水膜冻结而形成冰膜时，微粒等污染物被收进冰膜中，由此污染物从基板的表面分离。接着，向冰膜供给纯水而使冰膜溶融，将污染物与纯水一起从基板的表面去除。

3、若进行冻结洗净法，则可提高污染物的去除率。然而，近年来要求进一步提高污染物的去除率。

4、此处，本发明人等进行研究，结果判明，在向冰膜供给纯水而使冰膜溶融时，被收进冰膜中的污染物难以移动。若被收进冰膜中的污染物难以移动，则难以提高污染物的去除率。

5、因此，期望开发一种可使被收进冰膜中的污染物容易移动的技术。

6、[现有技术文献]

7、[专利文献]

8、[专利文献1]日本专利特开2018-026436号公报

技术实现思路

1、[发明所要解决的问题]

2、本发明所要解决的问题在于提供一种可使被收进冻结膜中的污染物容易移动的基板处理装置及基板的处理方法。

3、[解决问题的技术手段]

4、实施方式的基板处理装置是使形成于基板的表面的液膜冻结而形成冻结膜，来将附着于所述基板的表面的污染物收进所述冻结膜中的基板处理装置。所述基板处理装置包括：载置部，能够使所述基板旋转；液体供给部，具有喷嘴，能够经由所述喷嘴向包含所述污染物的所述冻结膜供给液体；移动部，能够使与所述基板的表面平行的方向上的所述喷嘴的位置移动；以及控制器，能够对利用所述载置部进行的所述基板的旋转、利用所述液体供给部进行的所述液体的供给、及利用所述移动部进行的所述喷嘴的移动进行控制。所述控制器对所述载置部进行控制而使所述基板旋转，对所述液体供给部进行控制而将所述液体供给至所述冻结膜，对所述移动部进行控制而使所述喷嘴从所述基板的周缘侧向所述基板的旋转中心侧移动。

5、[发明的效果]

6、通过本发明的实施方式，提供一种可使被收进冻结膜中的污染物容易移动的基板处理装置及基板的处理方法。

技术特征：

1.一种基板处理装置，使形成于基板的表面的液膜冻结而形成冻结膜，来将附着于所述基板的表面的污染物收进所述冻结膜中，所述基板处理装置包括：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述控制器对所述移动部进行控制而使所述喷嘴的移动速度一定，或者使所述喷嘴的移动速度变化。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述控制器对所述移动部进行控制而使所述喷嘴在所述基板的旋转中心侧的移动速度比所述喷嘴在所述基板的周缘侧的移动速度快。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述控制器对所述移动部进行控制而使所述喷嘴的移动速度逐渐增加，或者使所述喷嘴的移动速度阶段性地增加。

5.一种基板的处理方法，包括如下工序：

6.根据权利要求5所述的基板的处理方法，其中，在对所述冻结膜进行解冻的工序中，使所述喷嘴的移动速度一定，或者使所述喷嘴的移动速度变化。

7.根据权利要求5或6所述的基板的处理方法，其中，在对所述冻结膜进行解冻的工序中，使所述喷嘴在所述基板的旋转中心侧的移动速度比所述喷嘴在所述基板的周缘侧的移动速度快。

8.根据权利要求7所述的基板的处理方法，其中，在对所述冻结膜进行解冻的工序中，使所述喷嘴的移动速度逐渐增加，或者使所述喷嘴的移动速度阶段性地增加。

技术总结
实施方式的基板处理装置及基板的处理方法是使形成于基板的表面的液膜冻结而形成冻结膜，来将附着于所述基板的表面的污染物收进所述冻结膜中的基板处理装置。所述基板处理装置包括：载置部，能够使所述基板旋转；液体供给部，具有喷嘴，能够经由所述喷嘴向包含所述污染物的所述冻结膜供给液体；移动部，能够使与所述基板的表面平行的方向上的所述喷嘴的位置移动；以及控制器，能够对利用所述载置部进行的所述基板的旋转、利用所述液体供给部进行的所述液体的供给、及利用所述移动部进行的所述喷嘴的移动进行控制。

技术研发人员：出村健介,中村聡,神谷将也,中村美波,髙居康介,田边万奈,梅泽华织
受保护的技术使用者：芝浦机械电子装置株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24