一种高梯度场磁处理器的制作方法

文档序号:4889579阅读:260来源:国知局
专利名称:一种高梯度场磁处理器的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种高梯度场磁处理器。
在工业化生产,人们的生活当中,涉及到许多热交换器的应用,无论其作用的是水、气、油,还是其它物质,常因这些气、液态物质的内在原而造成能量的损耗,例如,高温水生成硬垢,汽、柴油不充分燃烧油田管道内蜡层堵塞,由于这种应用涉及区域范围较广,因而能源浪费综合一起达到了相当大的程度。
本实用新型的目的是提供一种安装方便,磁场强度高且均匀的高梯度场磁处理器。
为实现上述目的,本实用新型采取以下设计方案这种高梯度场磁处理器,由外壳及磁路装置构成,所述的外壳为一铁质的密闭套筒,所述的磁路装置包括上下内置体设置一对装有稀土永磁体的组合件,上下永磁体中间处设置一铁质材料导磁板,前后两侧在永磁体上下两极边缘间设置两片与磁路走向同方向的磁片,在内置体的边环侧有一套铁质槽形导磁铁;在磁路装置的前后分别装置气、液态物质导流槽。
以下结合附图对本实用新型作进一步说明。


图1为本实用新型结构示意图(纵剖面)图2为本实用新型结构示意图(横断面)图中箭头方向表示磁路走向。

图1、图2所示,本实用新型主要由外壳2及磁路装置1组成,外壳2是一个铁质材料制成的密闭套筒。磁路装置1包括内置体内装有稀土永磁体组合件,该永磁体由两部分组合并配合使用,中间为矩形块永磁体101,两边为斜面斜向磁通量的永磁体102,整体组合后呈梯形状体,为使磁场间气隙内的磁通量均匀导向,在上下永磁体中间处设置一铁质材料的导磁板103,在上下永磁体两侧边缘处设置两片与磁路走向同方向的磁片104,以阻止两侧磁体的磁通量形成侧倾而导致的漏磁,将磁通量由上至下垂直导入下面磁极内,在上述内置体的环侧装有一套铁质槽形导磁槽铁105,使磁通量在导磁槽铁内部形成回路。
在磁路装置的前后,设置了与导磁槽铁因内径的气液态物质导流槽3,以使气液态物质流向与磁场方向正交,避免气液态物质进入密闭套管后在管壁边缘形成湍流,从而影响磁场对气液态物质的磁化效果。
为使气、液态物质通过磁路装置的磁化区域具有均匀强磁场,在采用稀土永磁体的基础上,利用了磁学物理的聚磁技术磁路结构,特殊设计了在中心矩形磁体两侧附加两块斜面斜向磁通量的永磁体102,即斜面磁场内磁场方向与矩形磁体101的磁场方向形成15度-45度角(45度为佳),以维护矩形磁体102的磁场方向垂直向下,防止漏磁,在1 5度-45度角范围间,可使梯度场达到不同的数值。以上设计的养分作用不仅防止磁通量外倾导致的漏磁,更在于在矩形磁体边缘形成一个超强的磁场高梯度。
在磁体N-S极间设量一片高导磁铁质材料导磁板103,其作用是将两极间的磁场方向正交,并使两极间的磁通量,在导磁板103的高导磁作用下强化导入与导出,形成磁场加速的模式。
在上下永磁体两极侧边嵌入两块片状磁片104,该磁片内磁场方向与永磁体两极间的磁场方向同向平行。其作用是使永磁体上下极间隙中的磁场不形成侧倾,同时保证磁化区域内100%的均匀磁场。
以上聚磁技术的综合作用使磁极间的磁场走向在方形区域内全部正交,该区域内的磁场强度形成高场强,高梯度,高度均匀。
使用时,气、液态物质通过导流槽,并保持同等流速进入磁化区域,气、液态物质的流向与磁场方向正交,由于磁化区域内保证着高场强,高梯度的均匀磁场,气、液态物质一经接近磁化区域边缘,首先受到的是高梯度场的作用,其结果导致气液态物质中偶极矩产生高能量极化,导致能级跃迁,在能量转换的过程中,气液态物质内部能量与结构形成新的调整,气液态物质进入磁化区域内后,则受到超强均匀磁场作用,使其达到在同等磁程中充分磁化。
在气、液态物质保持一定流速0.5M/S-1.5M/S条件下,本实用新型高梯度场磁处理器适用于热交换器上的水质防垢除垢,油田管道的防蜡,内燃机形成富氧燃烧,提高功率。降低金属表面的腐蚀程度。本实用新型高梯度场磁处理器,由于采用稀土永磁体作为能源,无需补充能量,无噪声无法污染,起到环保节能的作用。
本实用新型与现有技术比较有如下优点1、采用闭合回路设计,使磁场强度提高到6000高斯以上。
2、采用斜面磁体,利用斜面磁体磁场方向与矩形磁体磁场方向形成45度角,这一聚磁技术可使磁场间隙的边缘达到高梯度磁场。
3、采用磁片104的方式,可使永磁体N极方向磁场均能垂直导人S极内,而不发生侧倾形成气隙边缘漏磁。
4、在N-S极中间设置一片高导磁板103,使N极磁场导入S极时起到加速的作用。
5、采用导流槽3使气、液态物质保持匀速,直线流入磁化区内,而不在磁化区域形成湍流。
权利要求1.一种高梯度场磁处理器,由外壳及磁路装置构成,其特征在于所述的外壳为一铁质的密闭套筒,所述的磁路装置包括上下内置体设置一对装有稀土永磁体的组合件,上下永磁体中间处设置一铁质材料导磁板,前后两侧在永磁体上下两极边缘间设置两片与磁路走向同方向的磁片,在内置体的边环侧有一套铁质槽形导磁铁;在磁路装置的前后分别装置气、液态物质导流槽。
2.根据权利要求1所述的一种高梯度场磁处理器,其特征在于所述的组合永磁体由中心块及两边侧块组成,中心块为矩形永磁体,两边侧块为斜面斜向磁通量的永磁体,组合后整体呈梯形状体。
3.根据权利要求1所述的一种高梯度场磁处理器,其特征在于所述的斜面永磁体与矩形永磁体的磁场方向呈15度-45度角。
4.根据权利要求2所述的一种高梯度场磁处理器,其特征在于所述的斜面永磁体与矩形永磁体的磁场方向呈45度。
专利摘要本实用新型涉及一种高梯度场磁处理器,由外壳及磁路装置构成,外壳为铁质的密闭套筒,磁路装置包括上下内置体设置一对装有稀土永磁体的组合件,上下永磁体中间设置铁质材料导磁板,前后两侧在永磁体上下两极边缘间设两片与磁路走向同方向的磁片,在内置体边环侧有铁质槽形导磁铁;在磁路装置的前后分别装置气、液态物质导流槽。其形成磁化区域内均匀强磁场及边缘的高梯度场强,适用于对气、液态物质的磁化,从而达降低损耗的作用。
文档编号C02F1/48GK2334750SQ98206048
公开日1999年8月25日 申请日期1998年6月23日 优先权日1998年6月23日
发明者孟祥林, 王亮 申请人:孟祥林, 王亮
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