用的混合过程位于同一位置。
[0023] b.时间上分离。自第一阶段生产经过直接电离的流体和自第二阶段生产混合流体 无需像所有的现有技术中那样同时同步进行生产。
[0024] 本发明所提出的方法具有W下优点：1)所提出的工艺中的Ξ个阶段之间在时间 和空间上完全分离，其中，经过处理的流体的生产（阶段I)、对经过处理的流体和未经处理 的流体进行混合的过程（阶段II)W及将经过混合的流体用于合适的应用中（阶段III) 在时间和空间上完全分离。运意味着处理装置无需与混合装置位于同一位置（空间上分 离），且经过处理和混合的流体无需像文献中所报道的经过处理的流体在生产后立即瞬时 混合的方法那样同时和并行生产（时间上分离）。2)排除了现场处理和混合。运是本发明 的一个十分重要的特征，因为如果处理装置要被安装在现有的系统和装置中，则（在某些 情况下）可能没有空间来将任何附加的装置安装在位。3)便于将处理装置的规模从处理几 升的经过处理的流体扩大到处理几千立方米的经过处理的流体。4)无需在系统和装置中进 行任何改动而便于使用。运是由于生产阶段与混合和使用阶段完全分离的缘故。经过处理 的流体可W根据目标应用、优选的混合比和混合方法而被包装入容积从小于1升的瓶子到 几十立方米的槽罐的匹配用户要求的容器中。
[0025] 因此，本发明的目的在于提供一种对流体进行磁/静电/电磁处理的方法和装置， 其能够克服现有的对流体进行磁/静电/电磁处理的缺陷，运些缺陷包括：1)直接施加方 法，其中，具有不同通量密度和可变几何形状的磁场或静电场或电磁场被施加在移动流体 上，该流体的整体或全部应当直接流过磁/静电/电磁场W接受处理；2)立即瞬时混合方 法，其中，对流体的一部分直接施加具有不同通量密度和可变几何形状的磁/静电/电磁 场，而流体的其余部分保持未经处理的状态并因此与流体经过处理的部分立即瞬时混合。
[0026] 根据本发明的实施方式，提供了一种对流体进行磁/静电/电磁处理的方法和装 置，其包括Ξ个独立且在时间和空间上都分离的阶段。在第一阶段（处理阶段）中，向处于 具有受控时间和/或流速的循环过程中的工作流体施加基于永磁体装置、或静电装置、或 电磁装置的场，W获得可W在用于第二阶段前被储存起来的经过直接电离的流体。在第二 阶段（混合阶段）中，将经过直接电离的流体用作对正常的未电离流体进行间接电离的催 离素或电离剂，该间接电离是通过按照经过直接电离的流体和正常的未电离工作流体之间 预定的混合比和混合方法对经过直接电离的流体和正常的未电离流体进行混合来进行的。 在第Ξ阶段（使用阶段）中，所得到的经过混合或间接电离的流体被直接用于合适的应用 中或储存在胆槽中供W后使用。根据本发明的实施方式，所提出的方法中的Ξ个阶段（处 理、混合、和使用）在空间和时间上彼此完全分离。运意味着本发明在其阶段之间实现了两 种类型的分离：
[0027]a.空间上分离。第一阶段中所使用的处理过程无需像所有的现有技术中的那样与 第二阶段中所使用的混合过程位于同一位置。
[0028] b.时间上分离。自第一阶段生产经过直接电离的流体和自第二阶段生产混合流体 无需像所有的现有技术中那样同时同步进行。
[0029] 运意味着根据本发明，第一流体是不流过任何直接的磁/静电/电磁场的正常的 未电离流体，而第二流体是经过如阶段I中所述的直接磁/静电/电磁处理的经过直接电 离的流体。在由阶段II生产的第Ξ种经过混合或间接电离的流体中，第一种正常的未电离 流体由第二种经过直接电离的流体所电离和间接处理，且第Ξ种经过混合或间接电离的流 体受到完全处理和电离。换言之，第二种经过直接电离的流体用作电离第一种正常的未电 离流体的催离素或电离剂。
[0030] 在本发明的意思中，设及流体的术语"经过直接电离"或"经过直接处理"或简称 的"经过处理"具体是指流体利用具有特定几何形状和通量密度的直接的磁/静电/电磁 场进行了磁/静电/电磁处理，该磁/静电/电磁场可由例如分别产生各自场的装置或单 元来提供。此外，设及流体的术语"正常的未电离"或"正常"或简称的"未经处理"具体是 指各流体未经电离或流过或未流过任何直接的磁/静电/电磁场。另外，设及流体的术语 "经过混合"或"经过间接电离"具体是指流体被用作催离素或电离剂的经过直接电离的流 体所电离或处理，且该流体未受到任何直接的磁/静电/电磁场的影响。
[0031] 优选地，阶段II中对第二种经过直接电离的流体和第一种正常的未电离流体进 行的混合过程是按照预定的混合比来进行的，混合物中的大部分是第一种正常的未电离流 体。
[0032] 优选地，阶段II中对第二种经过直接电离的流体和第一种正常的未电离流体进 行的混合过程是按照预定的混合方法进行的。
[0033] 优选地阶段I"中用来生产经过直接电离的流体的处理单元可W是永磁体装置、 静电装置、或电磁装置。处理单元中的磁/静电/电磁场可W是任何几何形状（一维、二维、 或Ξ维的场）和按照所需的通量密度值；所施加的场与流体流向之间所需的角度可W是任 何角度如90。、0°、180°或任何其它所需的角度。
[0034] 优选地，在"阶段I"的处理单元中，向经过直接电离的流体施加具有特定通量密度 和几何形状的磁/静电/电磁场的过程是在流体处于具有受控时间和/或流速的循环过程 中的条件下进行的。
[0035] 优选地阶段I"中所阐述的经过直接电离的流体的生产过程可W通过采用"管内 前处理和后处理传感器结构"来实现，其包括：首先，将正常的未电离流体从正常流体主供 给槽加入处理容器中；然后，进行流过处理单元的具有受控时间和/或流速的循环过程，该 过程使排出的流体流回处理容器。在该结构中，在处理单元之前和之后安装一组所需的传 感器（其可W取决于应用和流体），所述传感器将其传感数据传输至控制箱，从而追踪经过 直接电离的流体在处理单元之前和之后的物理量和化学量随时间的变化W用于控制和分 析目的。
[0036] 或者阶段I"中所阐述的经过直接电离的流体的生产过程也可W采用"槽内传 感器结构"来实现，其包括：首先，将正常的未电离流体从正常流体主供给槽加入处理容器 中；然后，进行流过处理单元的具有受控时间和/或流速的循环过程，该处理单元使其排出 的流体流回处理容器。在该结构中，在处理容器中安装一组所需的传感器（其可W取决于 应用和流体），所述传感器将其传感数据传输至控制箱，从而追踪处理槽中经过直接电离的 流体的物理量和化学量随时间的变化。
[0037] 或者阶段I"中所阐述的经过直接电离的流体的生产过程也可W采用"并流结 构"来实现，其包括：首先，将正常的未电离流体从正常流体主供给槽加入处理容器中；然 后，进行流过处理单元的具有受控时间和/或流速的循环过程，该循环过程中处理容器同 时接受流过处理单元的第一受控流和直接来自于处理容器的第二受控流。
[0038] 优选地，"阶段II"中所阐述的混合过程可W采用底部结构来实现，其包括：首先， 使第二种经过直接电离的流体沉在混合容器的底部；然后使第一种正常的未电离流体沉在 第二种经过直接电离的流体的顶部。该过程也可W重复多次（交替底部结构）。
[0039] 或者，"阶段II"中所阐述的混合过程也可W采用顶部结构来实现，其包括：首先， 使第一种正常的未电离流体沉在混合容器的底部；然后使第二种经过直接电离的流体沉在 第一种正常的未电离流体的顶部。该过程也可W重复多次（交替顶部结构）。
[0040] 或者阶段II"中所阐述的混合过程也可W采用并流双槽结构来实现，其包括：提 供接收第二种经过直接电离的流体的第一容器；提供接收第一种正常的未电离流体的第二 容器；W及提供接受第Ξ种经过混合或间接电离的流体的第Ξ容器，所述第Ξ容器与第一 和第二容器相连W同时接受第二种经过直接电离的流体的第一受控流和第一种正常的未 电离流体的第二受控流。
[0041] 或者阶段II"中所阐述的混合过程也可W采用串流单槽结构来实现，其包括：提 供接收第一种正常的未电离流体的第一容器；提供接收第二种经过直接电离的流体的第二 较小容器；W及提供接收第Ξ种经过混合或间接电离的流体的第Ξ容器，其中第二较小容 器从第一容器接收第一种正常的未电离流体的受控流，并向包含第二种经过直接电离流体 和第一种正常的未电离流体的第Ξ容器排出和经过混合或间接电离的流体。该过程也可W 被调整成具有η个串联的用于接受第二种经过直接电离的流体的槽，其中每个槽都串联地 与下一个槽相连，且第η个槽向包含第二种经过直接电离的流体和第一种正常的未电离流 体的第Ξ容器排出经过混合或间接电离的流体（串流η槽结构）。
[0042] 作为本发明的另一个方面，提供了 "阶段I"中所阐述的经过直接电离的流体的生 产过程的示例性结构，其包括如图1所示的管内的前处理和后处理传感器结构、如图2所示 的槽内的传感器结构、如图3所示的并流结构。
[0043] 作为本发明的又一个方面，提供了 "阶段II"中所阐述的混合过程的结构，其包括 如图4所示的底部结构、如图5所示的交替底部结构、如图6所示的顶部结构、如图7所示 的交替顶部结构、如图8所示的并流双槽结构、如图9所示的串流单槽结构、如图10所示的 串流η槽结构。
[0044] 作为本发明的再一个方面，提供了一种处理流体的方法，该方法包括将由"阶段I" 得到的第二种经过直接电离的流体用作对"阶段Π"中第一种正常的未电离流体进行电离 的催离素或电离剂。
[0045] 优选地，将由"阶段I"得到的第二种经过直接电离的流体用作电离第一种正常的 未电离流体的催离素或电离剂，其包括"阶段Π"中所阐述的按照预定的混合比对第一和第 二种流体进行混合。
[0046] 附图的简要说明
[0047] 通过W下与附图相结合的详细描述，本发明的进一步特征和优点将变得显而易 见。
[0048] 图1显示了"阶段I"中所阐述的采用管内前处理和后处理传感器结构的经过直接 电离的流体的示例性生产过程。
[0049] 图2显示了"阶段I"中所阐述的采用槽内传感器结构的经过直接电离的流体的示 例性生产过程。
[0050] 图3显示了"阶段I"中所阐述的采用并流结构的经过直接电离的流体的示例性生 产过程。
[0051] 图4显示了 "阶段II"中所阐述的采用底部结构的示例性混合过程。
[0052] 图5显示了 "阶段II"中所阐述的采用交替底部结构的示例性混合过程。
[0053] 图6显示了 "阶段II"中所阐述的采用顶部结构的示例性混合过程。
[0054] 图7显示了 "阶段II"中所阐述的采用交替顶部结构的示例性混合过程。
[0055] 图8显示了 "阶段II"中所阐述的采用并流双槽结构的示例性混合过程。
[0056] 图9显示了 "阶段Π"中所阐述的采用串流单槽结构的示例性混合过程。
[0057] 图10显示了 "阶段Π"中所阐述的采用串流η槽结构的示例性混合过程。
[00则详细描述
[0059] 根据本发明的第一个方面，作为一例，提供了一种对流体进行磁/静电/电磁处理 的方法，其中正常流体在不直接置于磁/静电/电磁场中的条件下接受处理。
[0060] 本发明的另一个方面设及对流体进行直接的磁/静电/电磁处理的装置，其包括 a)容纳第一种正常的未电离流体的第一流体槽；b)容纳第二种经过直接电离的流体的第 二流体槽，其中第二种经过直接电离的流体是通过向处于循环中的第一种正常的未电离流 体施加直接的磁/静电/电磁场而生产的；C)被配置成向第二流体槽中的流体施加磁/静 电/电磁场的处理单元；d)使第二流体槽中流体在由处理单元产生的磁/静电/电磁场的 影响下进行循环的循环累；e)控制第二流体槽中流体的流速的比例阀；f)循环管道，其包 括连接第二流体槽和处理单元的第一管道、连接处理单元和第二流