技术特征：
技术总结
本发明提供了一种硫化镉/石墨相氮化碳CdS/g‑C3N4双纳米片光催化剂的制备方法。该方法首先通过气体模板法，将气体模板、氮化碳前驱体混合研磨，在惰性氛围下一步煅烧得到g‑C3N4纳米片，然后将制备得到的g‑C3N4纳米片加入到含有半水氯化镉(CdCl2·2.5H2O)、硫粉(S)的二乙烯三胺(DETA)溶液中，在油浴加热的条件下制备得到具有特定结构即双纳米片结构的CdS/g‑C3N4材料。本发明所述方法利用半导体复合的方法，将CdS/g‑C3N4双纳米片应用于光催化产H2O2表现出非常高效的催化活性，该材料不仅有效提高了g‑C3N4纳米片的光催化活性，还有效地减弱了CdS的光腐蚀现象，该材料在光催化产氢、还原CO2、降解有机污染物等光催化领域也具有很好的应用前景。
技术研发人员：张金龙;雷菊英;江振颖;刘勇弟;王灵芝;郑家豪;张嘉宽;姜森
受保护的技术使用者：华东理工大学
技术研发日：2018.09.12
技术公布日：2019.01.04