用于将覆层施加到至少一个电子器件上的方法和覆层载体与流程

本发明涉及一种用于将覆层施加到至少一个、优选多个电子器件上的方法。尤其，将覆层施加到多个传感器装置上。本发明还涉及一种传感器装置，优选温度传感器装置，所述传感器装置具有覆层。本发明还涉及一种用于将覆层施加到至少一个电子器件上的覆层载体。

背景技术：

1、对电子器件、诸如例如ntc(负温度系数)温度传感器的提升的需求要求通过降低材料和能耗的成本有益的生产。然而，高的可靠性要求使用新型的材料和生产技术的彼此协调的组合。

2、对于高的可靠性的主要前提是限定的几何尺寸(层厚度、头部直径和被覆层的长度)的、典型地具有基于粉末和基于树脂的覆层材料的覆层保护层(相对于机械的、气候的、化学的、热学的、光技术等的影响进行保护)。

3、对金属线接触的电子器件覆层的现有技术当前是静电、涡流层、喷枪和浸涂法。

4、这些技术造成覆层材料的大量浪费(在器件中所需的覆层材料和损耗的覆层材料之间的关系)。此外，需要将未使用的覆层材料回收，这造成杂质的堆积。在对设计的微型化的要求的同时对较高精度的提升的要求造成在上述技术中的收益损失。

技术实现思路

1、本公开的一个目的是，解决上述问题。所述目的通过根据独立权利要求的方法和传感器装置来实现。

2、根据第一方面，提供一种用于施加覆层的方法。尤其，将覆层至少施加到至少一个电子器件、优选多个电子器件的部分上。相应的电子器件可以是任意的电子器件，例如温度传感器。然而要理解的是，本公开不局限于温度传感器。

3、所述方法包括以下步骤：

4、在第一步骤a)中提供覆层载体。覆层载体包括主底座。主底座包括扁平的、例如矩形的基座并且适合于和设置用于容纳覆层载体的其他组件。

5、覆层载体还包括覆层底座。覆层底座设置在主底座上并且具有凹部。凹部适合于和设置用于容纳和保持覆层材料。凹部形成覆层底座的覆层材料床。

6、覆层载体还包括储备容器。储备容器至少部分地安装在覆层底座上。储备容器垂直于覆层底座的主延伸方向延伸。储备容器是可移动的。尤其，所述储备容器沿着覆层载体/主底座的纵轴线是可移动的。储备容器具有另一凹部。储备容器的凹部同样适合于和设置用于容纳和保持覆层材料。凹部是储备容器的覆层材料床。

7、在下一步骤b)中，将覆层材料填入到储备容器的凹部中。这无倾洒地进行。不浪费覆层材料。覆层材料具有粉末或树脂。

8、在下一步骤c)中，将储备容器沿着覆层载体的纵轴线移置，使得覆层底座的凹部用覆层材料填充。这无倾洒地进行。储备容器的移置手动地或自动地进行。

9、在下一步骤d)中，提供至少一个电子器件，优选多个电子器件。相应的电子器件设置在覆层底座的被填充的凹部之上。相应的电子器件至少部分地沉入到在覆层底座的凹部中提供的覆层材料中，以便构成电子器件(的至少一些部分)的覆层。通过沉入到覆层材料中构成覆层无溢出地且无飞溅地进行。

10、无飞溅的覆层方法可实现覆层保护层以限定的几何尺寸的制造，而不必将附加的机械功能结合到过程中。产品成本可以通过：

11、a)粉末材料的直至80％的降低和树脂材料的直至20％的降低；

12、b)杂质的堆积的减少；

13、c)较少的机械功能(在机械之内不需要回收、配量、喷射、平整、搅拌)；

14、d)覆层飞溅的减少/消除

15、来最少化。

16、总而言之，提供非常高效且成本有效的用于施加覆层的方法。

17、根据一个实施方式，储备容器的凹部具有留空部。留空部设置在所述凹部的底部中。留空部形成在储备容器的凹部的底部中的开口。留空部垂直于纵轴线延伸。留空部适合于和设置用于将覆层材料传递到覆层底座的凹部中。

18、在步骤c)中，将储备容器移动到覆层底座之上、尤其移动到覆层底座的上侧之上，直至留空部直接设置在覆层底座的凹部之上。

19、在步骤c)中，将储备容器从初始位置移置到最终位置中。在初始位置中，储备容器的凹部中的留空部是封闭的。尤其，留空部通过覆层底座的上侧封闭，储备容器至少部分地安装在所述覆层底座上。在最终位置中，留空部不再封闭。尤其，留空部在最终位置中直接设置在覆层底座的凹部之上。与之相应地，覆层材料从储备容器的凹部中经由留空部传递到覆层底座的凹部中或落到所述凹部中。

20、以这种方式可以将覆层材料容易地且无滴洒地从储备容器传递到覆层底座的凹部中。

21、根据一个实施方式，将储备容器在用覆层材料填充覆层底座的凹部之后移回到初始位置中。这手动地或自动地进行。在储备容器移动期间，其余覆层材料可靠地留在储备容器的凹部中。防止了覆层材料的浪费。

22、根据一个实施方式，覆层载体包括至少两个引导元件。引导元件具有轨道(例如金属轨道)，所述轨道固定在主底座的上侧上。引导元件至少部分地沿着主底座设置。引导元件彼此平行地沿着主底座的纵轴线延伸。在步骤d)中，将储备容器沿着引导元件移置。以这种方式，将具有覆层材料的储备容器可靠地沿着主底座移动。覆层材料的浪费/倾洒可以有效地防止。

23、根据一个实施方式，覆层的总长度的变化与常规的覆层技术相比是更小的。将覆层的总长度理解为覆层沿着相应的电子器件的主纵轴线的整个扩展，即电子器件的被覆层的长度。

24、由此能推断出，覆层材料的使用，即覆层材料的量，通过之前所描述的方法降低。此外，通过无飞溅的覆层方法可以实现覆层的非常好地限定的几何尺寸。

25、根据本公开的另一方面，提供传感器装置。传感器装置可以构成用于测量温度。传感器装置可以是金属线接触的。传感器装置例如可以是ntc温度传感器装置。

26、传感器装置具有传感器元件，所述传感器元件具有陶瓷基体和至少两个电极。电极设置在陶瓷基体的外侧上。传感器装置还具有至少两个用于电接触传感器元件的接触元件。接触元件在连结区域中与电极连接。

27、传感器装置还具有覆层。覆层的材料具有粉末或树脂。覆层借助于之前所描述的方法施加到传感器装置上，尤其施加到传感器装置的部分上。所有结合方法所描述的特征也应用于传感器装置并且反之亦然。

28、至少陶瓷基体和连结区域完全地由覆层覆盖。覆层是传感器装置的保护层。借助于覆层有效地保护传感器装置的至少一些部分免受环境影响。

29、根据一个实施方式，传感器装置包括传感器头。传感器头形成传感器装置的上部区域。传感器头包括具有电极的传感器元件和连结区域以及接触元件的至少一个子区域。覆层形成传感器头的外罩。

30、传感器头的长度的变化与常规的覆层技术相比是更小的。覆层的总长度的变化与传统的覆层技术相比也是更小的。与之相应地，提供具有明确限定的尺寸的非常紧凑的传感器装置。

31、本发明尤其具有以下方面：

32、1.一种用于将覆层施加到至少一个电子器件上的方法，所述方法具有以下步骤：

33、a)提供覆层载体，所述覆层载体具有

34、-主底座，

35、-具有凹部的覆层底座，

36、-具有另一凹部的可移动的储备容器；

37、b)将覆层材料填入到储备容器的凹部中；

38、c)将储备容器沿着覆层载体的纵轴线移置，使得覆层底座的凹部用覆层材料填充；

39、d)提供至少一个电子器件，并且至少将电子器件的部分沉入到在覆层底座的凹部中提供的覆层材料中，以构成电子器件的覆层。

40、2.根据方面1所述的方法，

41、其中储备容器的凹部具有留空部，所述留空部设置在凹部的底部中，并且其中在步骤c)中，将储备容器移动到覆层底座之上，直至留空部设置在覆层底座的凹部上方。

42、3.根据方面1或2所述的方法，

43、其中储备容器的凹部具有留空部，所述留空部设置在凹部的底部中，其中在步骤c)中，将储备容器从初始位置移置到最终位置中，在所述初始位置中，凹部中的留空部是封闭的，在所述最终位置中，凹部中的留空部不再是封闭的，使得覆层材料从储备容器的凹部经由留空部传递到覆层底座的凹部中。

44、4.根据方面3所述的方法，

45、其中在用覆层材料填充覆层底座的凹部之后，将储备容器移回到初始位置中。

46、5.根据上述方面中任一方面所述的方法，

47、其中覆层载体具有至少两个引导元件，所述引导元件至少部分地沿着主底座设置，其中在步骤d)中，将储备容器沿着引导元件移置。

48、6.根据上述方面中任一方面所述的方法，

49、其中当储备容器沿着纵轴线移动时和/或当凹部用覆层材料填充时，不发生覆层材料的倾洒。

50、7.根据上述方面中任一方面所述的方法，

51、其中覆层材料包括覆层粉末或树脂。

52、8.根据上述方面中任一方面所述的方法，

53、其中至少一个电子器件包括用于测量温度的传感器装置。

54、9.根据上述方面中任一方面所述的方法，

55、其中覆层的总长度的变化与传统的覆层技术相比是更小的。

56、10.一种用于测量温度的传感器装置，所述传感器装置具有：

57、-传感器元件，所述传感器元件具有陶瓷基体和至少两个电极，其中电极设置在陶瓷基体的外侧上，

58、-至少两个用于电接触传感器元件的接触元件，其中接触元件在连结区域中与电极连接，

59、-覆层，其中至少陶瓷基体和连结区域完全地由覆层覆盖，

60、其中覆层借助根据上述权利要求中任一项所述的方法施加。

61、11.根据方面10所述的传感器装置，

62、所述传感器装置具有传感器头，其中传感器头包括传感器元件和接触元件的至少一个子区域，其中覆层形成传感器头的外罩。

63、12.根据方面11所述的传感器装置，

64、其中传感器头的长度的和覆层的总长度的变化与传统的覆层技术相比是更小的。

65、13.根据方面10至12中任一方面所述的传感器装置，

66、其中覆层的材料具有粉末或树脂。

67、14.根据方面10至13中任一方面所述的传感器装置，

68、其中传感器装置是ntc温度传感器装置。