专利名称：计算机硬盘磷化铟基片cmp后表面洁净方法
技术领域：
本发明属于计算机硬盘磷化铟(InP)基片抛光液使用方法，特别是涉及计算机硬 盘InP基片CMP后表面洁净方法
背景技术：
硬盘的容量非常关键，大多数被淘汰的硬盘都是因为容量不足，不能满足日益增 长大量数据的存储，特别是笔记本式计算机与掌上型计算机的大量应用，更是要求硬盘同 时满足高容量与小体积的要求。硬盘主要由盘片与磁头两部分组成，通过增加盘片的数目 或采用硬盘阵列形式可以提高硬盘的容量，但这却违背了个人计算机向小型化发展的潮 流。解决这两者之间矛盾的最好方法是提高单片容量，即提高盘片的存储密度。磁存储密 度不断上升，磁头与磁盘磁介质之间的距离进一步减小，对磁盘表面质量的要求也越来越 高.当硬盘表面具有波度时，磁头就会随着高速旋转的存储器硬盘的波动上下运动，当波 度超过一定的高度时，磁头就不再能随着波度运动，它就会与磁盘基板表面碰撞，发生所谓 的“磁头压碎”导致磁盘设备发生故障或读写信息的错误.另一方面，当存储器硬盘表面上 存在数微米的微凸起时也会发生磁头压碎.此外，当硬盘表面存在凹坑时，就不能完整地 写入信息，由此导致所谓的“比特缺损”或信息读出的失败.因此，在盘片表面加工中，就要 求制造的磁头浮动高度更小、具有优异的表面光滑度、没有表面缺陷(突起划痕和凹坑).目前，采用化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，简称CMP)技术进行 硬盘基片的表面加工。它借助超微粒子的研磨作用以及浆料的化学腐蚀作用使被抛光的介 质形成光洁平坦的表面。目前，工业上硬盘基片的抛光工艺中一般PH值都低于4，抛光设 备损耗严重，降低了使用寿命，而且抛光过程中会引入金属离子污染，容易造成低击穿、软 击穿、漏电流增大。且由于其采用硬度大的三氧化铝做为磨料，容易造成划伤；且其粘滞性 强，后续难以清洗。且计算机硬盘InP基片批量抛光生产后，存在晶片表面能量高、表面张 力大、残留抛光液分布不均等现象，从而造成后续加工中成本的提高及器件成品率的降低。
发明内容
本发明是为了解决现有计算机硬盘InP基片抛光后晶片表面能量高、表面张力 大、残留抛光液分布不均、沾污金属离子等问题，而公开一种计算机硬盘InP基片CMP后表 面洁净方法。本发明计算机硬盘InP基片CMP后表面洁净方法，按照下述步骤进行(1)水抛液的制备取一定量的去离子水，边搅拌边加入活性剂、螯合剂、阻蚀剂， 活性剂的加入量为15-30g/L，螯合剂的加入量为5-20g/L，阻蚀剂的加入量为l_60g/L ；(2)计算机硬盘InP基片CMP后立即使用上述水溶液采用采用1000g/min-4000g/ min的流量进行水抛清洁，水抛时间为30s-3min。所述的活性剂为天津晶岭微电子材料有限公司市售FA/0表面活性剂、0 π -7 ((C10 H2「C6H4-0-CH2CH20) 7-H)、0 31 -10 ( (C1(iH2「C6H4-0-CH2CH20) 10-H) ,0-20 (C12_18H25_37-C6H4-O-CH2CH
320)7(ΓΗ)、聚氧乙烯仲烷基醇醚(JFC)的一种。所述的螯合剂为天津晶岭微电子材料有限公司市售FA/0螯合剂，乙二胺四乙酸 四(四羟乙基乙二胺)，结构式如下
权利要求
一种计算机硬盘磷化铟基片CMP后表面洁净方法，其特征在于按照以下步骤进行(1)水抛液的制备取一定量的去离子水，边搅拌边加入活性剂、螯合剂、阻蚀剂，活性剂的加入量为15 30g/L，螯合剂的加入量为5 20g/L，阻蚀剂的加入量为1 60g/L；(2)计算机硬盘磷化铟基片CMP后立即使用上述水溶液采用1000g/min 4000g/min的流量进行水抛清洁，水抛时间为30s 3min。
2.根据权利要求1所述的计算机硬盘磷化铟基片CMP后表面洁净方法，其特征在于 所述步骤(1)的活性剂为天津晶岭微电子材料有限公司销售的FA/0表面活性剂、0 π-7 (( C10H2^C6H4-O-CH2CH2O) 7_Η)、0 π -10 ((C1(lH2「C6H4-0-CH2CH20) 10-Η)、0-20 (C12_18H25_37-C6H4-0_CH 2CH20) 70-H)或 JFC 的一种。
3.根据权利要求1所述的计算机硬盘磷化铟基片CMP后表面洁净方法，其特征在于 所述步骤(1)螯合剂为天津晶岭微电子材料有限公司销售的FA/0螯合剂。
4.根据权利要求1所述的计算机硬盘磷化铟基片CMP后表面洁净方法，其特征在于 所述步骤(1)的阻蚀剂为六次甲基四胺或苯丙三氮唑。
全文摘要
本发明涉及计算机硬盘InP基片表面高精密加工过程中化学机械抛光(CMP)后表面洁净方法。当碱性抛光刚刚完成后，马上加入活性剂、螯合剂、阻蚀剂组成的抛光液，并采用大流量水抛的方法，可将残留的抛光液冲走，同时可迅速降低表面张力、形成单分子钝化膜、并可使金属离子形成可溶的螯合物，从而达到洁净、完美的抛光表面。
文档编号G11B5/84GK101937687SQ20101023165
公开日2011年1月5日 申请日期2010年7月21日 优先权日2010年7月21日
发明者刘玉岭, 王胜利, 王辰伟 申请人:河北工业大学