专利名称：(0，1，2和非整数)维数锗纳米可控结构的制备方法
技术领域：
本发明涉及到一种简单的、形貌可控的、微结构奇异的、重复性良好的(0，1，2 和非整数)维数半导体锗纳米可控结构的制备方法，是属于半导体纳米材料制备工艺技术 领域。
背景技术：
金属/半导体复合薄膜是信息功能材料中广泛研究的领域，尤其在太阳能电池、 光电管器件方面具有潜在的应用前景。随着纳米材料的迅猛发展，金属/半导体锗(Ge)薄 膜的纳米结构特征已涉及到微电子器件和光电子元件的小型化问题。本发明利用一种简单 易行的方法，通过控制薄膜的厚度、真空退火温度和时间，制备出了具有不同形貌特征的锗 纳米结构，这些纳米结构特征包括锗纳米颗粒、纳米环以及纳米分形结构。
发明内容
本发明的目的是提供一种简单的、形貌可控的、微结构奇异的、重复性良好的(0， 1，2和非整数)维数半导体锗纳米可控结构的制备方法。本发明涉及到(0，1，2和非整数)维数锗纳米可控结构的的制备方法，其特 征在于具有以下的过程和步骤
根据热蒸发公式，锗和金的薄膜厚度均设计为25纳米。将高纯锗(纯度 99. 9 wt. %)和高纯金(纯度99. 99 wt. %) (mAu:mGe = PAu:PGe = 19. 3:5. 323)分 别放置于真空热蒸发装置中的钨丝花篮上。当真空度在室温下优于2X10—5 Torr 时，先蒸发半导体锗，然后在不破坏真空度的条件下，后蒸发金属金。衬底选择单 晶氯化钠(100)晶面。蒸发源到衬底的距离设计为10厘米。根据热蒸发公式
权利要求
1. 一种(0，1，2和非整数)维数半导体锗纳米可控结构的制备方法，其特征在于具有 以下步骤a.根据热蒸发公式，锗和金的薄膜厚度均设计为25纳米；将纯度为99.9wt. %的高纯 锗和纯度为99.99wt.%的高纯金按质量比mAu:mee = 19. 3 5. 323分别放置于真空热蒸发装 置中的钨丝花篮上；衬底选择单晶氯化钠(100)晶面，蒸发源到衬底的距离设计为10厘米； 当真空度在室温下优于2 X ΙΟ"5 Torr时，在室温条件下先蒸发半导体锗，然后在保持真空度 的条件下，后蒸发金属金，即可得到二维金/锗双层膜；b.将室温条件下制备的金/锗双层膜置于真空炉中，在真空度优于2X10—5Torr时， 在50 210 °C真空退火30 60分钟，即可得到不同形貌特征的锗纳米结构。
全文摘要
本发明涉及到一种简单的、形貌可控的、微结构奇异的、重复性良好的(0,1,2和非整数)维数半导体锗纳米可控结构的制备方法，属于半导体纳米材料制备工艺技术领域。本发明方法的主要要点是将高纯锗(纯度99.9wt.%)和高纯金(纯度99.99wt.%)分别放置于真空热蒸发装置中的钨丝花篮上。当真空度在室温下优于2′10-5Torr时，先蒸发半导体锗，然后在不破坏真空度的条件下，后蒸发金属金。衬底选择单晶氯化钠(100)晶面。蒸发源到衬底的距离设计为10厘米。锗和金的薄膜厚度均设计为25纳米。真空退火温度分别为50oC，75oC，100oC，120oC，150oC，180oC和210oC，退火时间分别30分钟，40分钟和60分钟，即可得到不同形貌特征的锗纳米结构。
文档编号B82B3/00GK102092679SQ20111000111
公开日2011年6月15日 申请日期2011年1月6日 优先权日2011年1月6日
发明者吴明红, 张海娇, 李全宝, 潘登余, 焦正, 陈志文 申请人:上海大学