一种微机电系统复合牺牲层的处理方法
【专利摘要】一种微机电系统复合牺牲层的处理方法，属于电子工艺领域。包括如下步骤：（1）首先在硅片表面旋涂一层聚酰亚胺，在涂覆之前把电镀号传输线结构的硅片烘干；接着滴几滴聚酰亚胺在硅片的中央；在涂完聚酰亚胺，把聚酰亚胺放在密封的盒子里使其自然流平；（2）将步骤（1）所得硅片在80℃的温度下烘烤30min，然后在110℃的温度下烘烤1h进行预胺化；（3）预胺化后，涂覆一层正胶；（4）接着将硅片置于烘箱内烘干，温度为140℃，对正胶进行固化；（5）用NaOH的溶液浸泡，再用去离子水冲净，置于80℃的烘箱内使其水分挥发，之后与O2进行刻蚀处理。避免了单独使用正胶或聚酰亚胺作为牺牲层的缺点，又充分利用了他们的长处，缩短了牺牲层去除的时间，去除的比较干净并且所需时间短。
【专利说明】一种微机电系统复合牺牲层的处理方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明属于电子工艺领域，尤其涉及一种微机电系统复合牺牲层的处理方法。
【背景技术】
[0002]在微机电系统器件中，微结构通常采用体硅腐蚀工艺或表面微机械工艺加工而成。体硅工艺存在着诸多缺陷，如腐蚀时间慢，浪费硅片面积，最主要的缺点是与标准的CMOS工艺兼容性差，而常用的表面微机械加工技术与CMOS工艺相兼容，在微机电系统表面加工工艺中，牺牲腐蚀技术得到了广泛应用。常用的牺牲层材料包括光刻胶和聚酰亚胺，光刻胶易溶于丙酮或碱性溶剂，比较容易去除，但是容易引起龟裂，加之光刻胶牺牲层中含有烘胶时未能完全除净的残余溶剂与气体，内部液体与气体就会挥发出来从而聚集形成气泡与缺陷，引发开裂。
【发明内容】
[0003]本发明旨在解决上述问题，提供一种微机电系统复合牺牲层的处理方法。
[0004]一种微机电系统复合牺牲层的处理方法，包括如下步骤:
(O首先在硅片表面旋涂一层聚酰亚胺，在涂覆之前把电镀号传输线结构的硅片烘干；接着滴几滴聚酰亚胺在硅片的中央，使用匀胶机逐渐加速旋转使聚酰亚胺散开，均匀的覆盖在硅衬底上；在涂完聚酰亚胺，把聚酰亚胺放在密封的盒子里使其自然流平；
(2)将步骤(I)所得硅片在80°C的温度下烘烤30min，然后在110°C的温度下烘烤Ih进行预胺化；
(3)预胺化后，涂覆一层正胶，将匀胶机转速确定为2500r/min，匀胶时间为5s，甩胶时间为20s得到厚度为2 μ m的正胶,之后在90°C温度下进行前烘,曝光45s,之后在质量分数为0.6%Na0H溶液里显影90s ；
(4)接着将硅片置于烘箱内烘干，温度为140°C，对正胶进行固化；
(5)用质量分数为6%的NaOH的溶液浸泡，之后再用去离子水冲净，置于80°C的烘箱内使其水分挥发，之后与O2进行刻蚀处理。
[0005]本发明所述的一种微机电系统复合牺牲层的处理方法，所述步骤(I)中匀胶机的转速为 1500r/min。
[0006]本发明所述的一种微机电系统复合牺牲层的处理方法，所述步骤(I)中自然流平的时间为4tT5h。
[0007]本发明所述的一种微机电系统复合牺牲层的处理方法，所述步骤(5)中硅片的刻蚀处理时间为2h。
[0008]本发明所述的一种微机电系统复合牺牲层的处理方法，牺牲层有聚酰亚胺和正胶两种材料组成，避免了单独使用正胶或聚酰亚胺作为牺牲层的缺点，又充分利用了他们的长处，缩短了牺牲层去除的时间，牺牲层去除的比较干净并且所需时间短。
【具体实施方式】
[0009]本发明一种微机电系统复合牺牲层的处理方法，包括如下步骤:
(O首先在硅片表面旋涂一层聚酰亚胺，在涂覆之前把电镀号传输线结构的硅片烘干；接着滴几滴聚酰亚胺在硅片的中央，使用匀胶机逐渐加速旋转使聚酰亚胺散开，均匀的覆盖在硅衬底上；在涂完聚酰亚胺，把聚酰亚胺放在密封的盒子里使其自然流平；
(2)将步骤(I)所得硅片在80°C的温度下烘烤30min，然后在110°C的温度下烘烤Ih进行预胺化；
(3)预胺化后，涂覆一层正胶，将匀胶机转速确定为2500r/min，匀胶时间为5s，甩胶时间为20s得到厚度为2 μ m的正胶,之后在90°C温度下进行前烘,曝光45s,之后在质量分数为0.6%Na0H溶液里显影90s ；
(4)接着将硅片置于烘箱内烘干，温度为140°C，对正胶进行固化；
(5)用质量分数为6%的NaOH的溶液浸泡，之后再用去离子水冲净，置于80°C的烘箱内使其水分挥发，之后与O2进行刻蚀处理。
[0010]本发明所述的一种微机电系统复合牺牲层的处理方法，所述步骤(I)中匀胶机的转速为1500r/min。所述步骤(I)中自然流平的时间为4tT5h。所述步骤(5)中硅片的刻蚀处理时间为2h。
【权利要求】
1.一种微机电系统复合牺牲层的处理方法，其特征在于包括如下步骤: (1)首先在硅片表面旋涂一层聚酰亚胺，在涂覆之前把电镀号传输线结构的硅片烘干；接着滴几滴聚酰亚胺在硅片的中央，使用匀胶机逐渐加速旋转使聚酰亚胺散开，均匀的覆盖在硅衬底上；在涂完聚酰亚胺，把聚酰亚胺放在密封的盒子里使其自然流平； (2)将步骤(I)所得硅片在80°C的温度下烘烤30min，然后在110°C的温度下烘烤Ih进行预胺化； (3)预胺化后，涂覆一层正胶，将匀胶机转速确定为2500r/min，匀胶时间为5s，甩胶时间为20s得到厚度为2 μ m的正胶,之后在90°C温度下进行前烘,曝光45s,之后在质量分数为0.6%NaOH溶液里显影90s ； (4)接着将硅片置于烘箱内烘干，温度为140°C，对正胶进行固化； (5)用质量分数为6%的NaOH的溶液浸泡，之后再用去离子水冲净，置于80°C的烘箱内使其水分挥发，之后与O2进行刻蚀处理。
2.如权利要求1所述的一种微机电系统复合牺牲层的处理方法，其特征在于所述步骤Cl)中匀胶机的转速为1500r/min。
3.如权利要求1所述的一种微机电系统复合牺牲层的处理方法，其特征在于所述步骤(I)中自然流平的时间为4h?5h。
4.如权利要求1所述的一种微机电系统复合牺牲层的处理方法，其特征在于所述步骤(5)中娃片的刻蚀处理时间为2h。
【文档编号】B81C1/00GK104310303SQ201410544022
【公开日】2015年1月28日 申请日期:2014年10月15日 优先权日:2014年10月15日
【发明者】张俊 申请人:陕西易阳科技有限公司