1.一种微电容式加速度传感器中梁的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一步，选取P型单晶硅片生长二氧化硅掩模，硅晶片主要是为了制作重掺杂的硼硅膜，用做电容的一个电极，先在硅片的两面氧化出5～6um的氧化层，光刻相应的沟槽形状，然后用四甲基氢氧化氨水溶液腐蚀得到2um的真空腔；
第二步，选用固态硼源硼扩，然后用BHF液除去硅片另一面用作保护的氧化层，浓硼扩散其实首先是在上步骤所刻出的槽中采用套刻出二氧化硅的掩模来；
第三步，玻璃是传感器的衬底，也是电容的另一个电极，选用7740号玻璃，玻璃上面的电极采用磁控溅射的方法实现，为了加强金属电极与玻璃之间的结合效果，采用两种金属，先溅射50nm的钛，然后再溅射200nm的铝；
第四步，把经浓硼扩散的硅片和做好电极的玻璃用静电法键合；
第五步，打薄硅片使得其厚度为200um，生长二氧化硅保护层；
第六步，再次光刻腐蚀氧化掩模。
2.如权利要求1所述微电容式加速度传感器中梁的加工方法，其特征在于，硅片的两面的氧化层厚度为5.5um。