技术特征：
技术总结
本发明公开了一种柔性压阻式应力传感器，由第一PDMS微结构衬底、Ag纳米线/PEDOT:PSS导电层、第二PDMS微结构衬底和导线组成，所述第一PDMS微结构衬底和第二PDMS微结构衬底包夹住Ag纳米线/PEDOT:PSS导电层。本发明制备的柔性压阻式应力传感器，方法简单、易操作、可以批量化生产；柔性压阻式应力传感器前体薄膜具有良好的耐弯折性能：弯曲1000次，电阻只降低5％，具有可拉伸、可按压等力学性能，适用于制备柔性传感器等电子元器件。
技术研发人员：何鑫;沈耿哲;刘志豪;杨为家;张弛;陈柏桦;梁天龙;赵思柔
受保护的技术使用者：五邑大学
技术研发日：2019.06.17
技术公布日：2019.09.13