具有优化几何结构以降低辐射效应引起的偏移的MEMS设备的制作方法

文档序号:21485543发布日期:2020-07-14 17:11阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种mems设备,包括:

可移动质量块,所述可移动质量块具有在平面中的面积、以及在垂直于所述平面的方向上的厚度,所述可移动质量块绕平行于所述平面延伸的旋转轴是可倾斜的,并且从而形成被布置在所述旋转轴的相对侧的第一质量块部分和第二质量块部分,所述第一质量块部分和所述第二质量块部分分别具有第一形心和第二形心,所述第一形心和所述第二形心分别被布置在距所述旋转轴的第一距离b1和第二距离b2处;

在所述第一质量块部分中的多个第一贯穿开口,其中所述多个第一贯穿开口和所述第一质量块部分具有在所述平面中的第一总周长p1;以及

在所述第二质量块部分中的多个第二贯穿开口,其中所述多个第二贯穿开口和所述第二质量块部分具有在所述平面中的第二总周长p2,

其中所述第一总周长p1和所述第二总周长p2满足方程:

p1×b1=p2×b2。

2.根据权利要求1所述的mems设备,其中所述mems设备是加速度计或陀螺仪中的至少一个。

3.根据权利要求1所述的mems设备,其中所述可移动质量块形成z轴加速度计的一部分。

4.根据权利要求1所述的mems设备,其中所述可移动质量块由单片半导体主体制成。

5.根据权利要求1所述的mems设备,其中所述可移动质量块具有均匀的厚度。

6.根据权利要求1所述的mems设备,其中所述多个第二贯穿开口的数量不同于所述多个第一贯穿开口的数量。

7.根据权利要求1所述的mems设备,其中所述多个第二贯穿开口的形状不同于所述多个第一贯穿开口的形状。

8.一种电子设备,包括:

mems设备,包括:

可移动质量块,所述可移动质量块具有在平面中的面积、以及在垂直于所述平面的方向上的厚度,所述可移动质量块绕平行于所述平面延伸的旋转轴是可倾斜的,并且从而形成被布置在所述旋转轴的相对侧的第一质量块部分和第二质量块部分,所述第一质量块部分和所述第二质量块部分分别具有第一形心和第二形心,所述第一形心和所述第二形心分别被布置在距所述旋转轴的第一距离b1和第二距离b2处;

在所述第一质量块部分中的多个第一贯穿开口,其中所述多个第一贯穿开口和所述第一质量块部分具有在所述平面中的第一总周长p1;以及

在所述第二质量块部分中的多个第二贯穿开口,其中所述多个第二贯穿开口和所述第二质量块部分具有在所述平面中的第二总周长p2,

其中所述第一总周长p1和所述第二总周长p2满足方程:p1×b1=p2×b2;

专用集成电路,被耦合到所述mems设备;

处理单元,被耦合到所述专用集成电路;

接口,被耦合到所述处理单元;以及

存储设备,被耦合到所述处理单元。

9.根据权利要求8所述的电子设备,其中所述电子设备是以下中的至少一个:惯性导航系统、汽车系统、个人数字助理、膝上型电脑、移动电话、可穿戴设备、智能手表、数字音频播放器、照相机或摄像机。

10.根据权利要求8所述的电子设备,其中所述可移动质量块由单片半导体主体制成。

11.根据权利要求8所述的电子设备,其中所述可移动质量块形成z轴加速度计或陀螺仪的一部分。

12.根据权利要求8所述的电子设备,其中所述多个第二贯穿开口的数量不同于所述多个第一贯穿开口的数量。

13.根据权利要求8所述的电子设备,其中所述多个第二贯穿开口的形状不同于所述多个第一贯穿开口的形状。

14.一种mems设备,包括:

基板;

第一电极和第二电极,被耦合到所述基板;

柱,具有第一端和第二端,其中所述第一端在所述第一电极和所述第二电极之间被耦合到所述基板;以及

可移动质量块,其可倾斜地被耦合到所述柱的第二端,所述可移动质量块包括:

在平面中的面积、以及在垂直于所述平面的方向上的厚度,所述可移动质量块绕平行于所述平面延伸的旋转轴是可倾斜的,并且从而形成被布置在所述旋转轴的相对侧的第一质量块部分和第二质量块部分,所述第一质量块部分和所述第二质量块部分分别具有第一形心和第二形心,所述第一形心和所述第二形心分别被布置在距所述旋转轴的第一距离b1和第二距离b2处;

在所述第一质量块部分中的多个第一贯穿开口,其中所述多个第一贯穿开口和所述第一质量块部分具有在所述平面中的第一总周长p1;以及

在所述第二质量块部分中的多个第二贯穿开口,其中所述多个第二贯穿开口和所述第二质量块部分具有在所述平面中的第二总周长p2,

其中所述第一距离b1、所述第二距离b2、所述第一总周长p1和所述第二总周长p2满足方程:p1×b1=p2×b2。

15.根据权利要求14所述的mems设备,其中所述第一质量块部分的形状不同于所述第二质量块部分的形状。

16.根据权利要求14所述的mems设备,其中所述柱被定位成从所述可移动质量块的中心轴偏移。

17.根据权利要求14所述的mems设备,其中所述可移动质量块具有均匀的厚度。

18.根据权利要求14所述的mems设备,其中所述可移动质量块由单片半导体主体制成。

19.根据权利要求18所述的mems设备,其中所述单片半导体主体是硅。

20.根据权利要求14所述的mems设备,其中所述可移动质量块形成z轴加速度计的一部分。


技术总结
本公开涉及具有优化几何结构以降低辐射效应引起的偏移的MEMS设备。具有跷跷板结构的MEMS设备包括可移动质量块,可移动质量块具有在平面中的面积、以及在垂直于该平面的方向上的厚度。可移动质量块绕平行于该平面延伸的旋转轴是可倾斜的,并且由被布置在旋转轴的相对侧的第一和第二半质量块形成。第一和第二半质量块分别具有第一和第二形心,该第一和第二形心被分别布置在距旋转轴的第一距离b1和第二距离b2处。第一贯穿开口被形成在第一半质量块中,并且连同第一半质量块一起具有在平面中的第一总周长p1。第二贯穿开口被形成在第二半质量块中,并且连同第二半质量块一起具有在平面中的第二总周长p2,其中第一周长p1和第二周长p2满足以下方程:p1×b1=p2×b2。

技术研发人员:F·里奇尼;A·托齐奥
受保护的技术使用者:意法半导体股份有限公司
技术研发日:2020.01.07
技术公布日:2020.07.14
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1