1.一种二维自组装的m1/m2-vo2同质结纳米片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)将v2o5粉末和nacl颗粒混合获得气相沉积反应源；
(2)将所述气相沉积反应源放置于容器内，并将云母衬底倒扣在所述容器的开口处；
(3)将所述容器置于预定温度氛围内，使得所述v2o5粉末裂解为vo2前驱体，进而所述vo2前驱体在所述云母衬底上沉积形成二维自组装的m1/m2-vo2同质结纳米片。
2.如权利要求1所述的二维自组装的m1/m2-vo2同质结纳米片的制备方法，其特征在于：所述v2o5粉末的质量大于等于所述nacl颗粒的质量。
3.如权利要求1所述的二维自组装的m1/m2-vo2同质结纳米片的制备方法，其特征在于：所述容器为石英舟；所述石英舟上方倒扣有所述云母衬底。
4.如权利要求1所述的二维自组装的m1/m2-vo2同质结纳米片的制备方法，其特征在于：所述预定温度为760℃～800℃，在该预定温度下保温20min～40min。
5.如权利要求1所述的二维自组装的m1/m2-vo2同质结纳米片的制备方法，其特征在于：所述容器为石英舟，将所述石英舟放置于高温管式炉的中心区域，所述v2o5粉末裂解为vo2前驱体，所述vo2前驱体在所述云母衬底上沉积形成二维自组装的m1/m2-vo2同质结纳米片，其中采用氩气作为保护性气体和载气。
6.如权利要求5所述的二维自组装的m1/m2-vo2同质结纳米片的制备方法，其特征在于：所述中心温区以30℃/min的速率升温至760℃～800℃，并保温30min，保温后采用的降温方式为随炉冷却至室温。
7.如权利要求5所述的二维自组装的m1/m2-vo2同质结纳米片的制备方法，其特征在于：氩气的气体流量为50sccm。
8.一种二维自组装的m1/m2-vo2同质结纳米片，其特征在于：所述m1/m2-vo2同质结纳米片是采用权利要求1-7任一项所述的二维自组装的m1/m2-vo2同质结纳米片的制备方法制备而成的。