技术总结
本申请公开了一种铟柱的及其制备方法。该方法包括：在衬底上涂覆第一光刻胶；对涂覆第一光刻胶后的衬底进行泛曝光；在第一光刻胶上涂覆第二光刻胶；对旋涂了双层光刻胶的衬底进行局部曝光，以光定义铟柱的位置和形状；对曝光后的样品进行显影，获得含有底胶和底切结构的胶结构；对第二光刻胶的第二通槽对应的底胶和第二通槽的边缘进行刻蚀，暴露出边缘修饰后的第二通槽所正对的衬底；蒸发镀铟，在定义图形位置处沉积铟柱；释放第一光刻胶和第二光刻胶，得到铟柱。本发明提供的方法只需要一次显影和一次去胶剥离，工艺简单且可以通过调整第一光刻胶层厚度来实现不同厚度铟柱的制备，并且得到的铟柱的形貌好，且实际尺寸与定义的尺寸一致。寸一致。寸一致。
技术研发人员：张文龙 杨楚宏 郑亚锐 张胜誉 冯加贵 熊康林 丁孙安
受保护的技术使用者：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
技术研发日：2020.03.06
技术公布日：2021/4/12